Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.108-108
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2011
Organometallic complexes containing unpaired spins, such as metalloporphyrin or metallophthalocyanine, have extensively studied with increasing interests of their promising model systems in spintronic applications. Additionally, the use of these complexes as an acceptor molecule in chemical sensors has recently received great attentions. In this presentation, we have investigated adsorption of nitric oxide (NO) molecules at Co-porphyrin molecules on Au(111) surfaces with scanning tunneling microscopy and spectroscopy at low temperature. At the location of Co atom in Co-porphyrin molecules, we could observe a Kondo resonance state near Fermi energy in density of states (DOS) before exposing NO molecules and the Kondo resonance state was disappeared after NO exposing because the electronic spin structure of Co-porphyrin were modified by forming a cobalt-NO bonding. Furthermore, we could locally control the chemical reaction of NO dissociations from NO-CoTPP by electron injections via STM probe. After dissociation of NO molecules, the Kondo resonance state was recovered in density of state. With a help of density functional theory (DFT) calculations, we could understand that the modified electronic structures for NO-Co-porphyrin could be occurred by metal-ligand hybridization and the dissociation mechanisms of NO can be explained in terms of the resonant tunneling process via molecular orbitals.
ZnO films have been deposited on oxide grown Si wafers by the conventional thermal evaporation method. Anhydrous zinc acetate was directly heated and sublimed in the laboratory-made brass boat. The substrates temperature varied from $200^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$. Oxygen has been flowed into the deposition chamber to change the partial pressure of oxygen. The films deposited at high oxygen pressure exhibited higher resistivity than films at low pressure. X-Ray Diffraction(XRD), Energy Dispersive Spectroscopy(EDS) and Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) were conducted on the films to reveal the crystallinity and composition of the ZnO films. The ZnO films deposited at high oxygen pressure were extremly sensitive to the humidity of higher than 70 % RH.
The glass compositions of $PbO-SiO_2-B_2O_3$ system and $P_2O_5-PbO-ZnO$ system for the transparent dielectric materials for front panel and $P_2O_5-ZnO-BaO$ and $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ for the reflective dielectric materials for back panel of PDP(Plasma Display Panel) were investigated. As a transparent dielectric materials for front panel, $PbO-SiO_2-B_2O_3$ glass showed good dielectric properties, high transparency and proper thermal expansion matching to soda-lime glass substrate. And the reflective dielectric materials for back panel were prepared from parent glass of $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system and oxide filler. It was found that these glass-ceramics are useful materials for reflective dielectric layers, as those have a similar thermal expansion to soda-lime glass plate, high reflectance, low sintering temperature.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.19
no.11
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pp.1037-1043
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2006
We report the enhancement of hole injection using ozone-treated Ag nanodots dispersed on indium tin oxide anode in $Ir(ppy)_3-doped$ phosphorescent OLED. Phosphorescent OLED fabricated on Ag nanodots dispersed ITO anode showed a lower turn on voltage and higher luminescence than those of OLEDS prepared commercial ITO anode. Synchrotron x-ray scattering examination results showed that the Ag nanodots dispersed on ITO anode is amorphous structure due to low deposition temperature. It was thought that decrease of the energy barrier height as Ag nanodots changed to $AgO_x$ nanodots by surface treatment using ozone for 10 min led to enhancement of hole injection in phosphorescent OLED. Futhermore, efficient hole injection can be explained by increase of contact region between anode material and organic material through introduction of $Ag_2O$ nanodots.
Gadolinia-doped ceria nanopowder was prepared by glycine-nitrate combustion method with different glycine/nitrate mixing ratio. The characteristics of the synthesized powder were investigated by X-ray diffraction method, transmission electron microscopy, thermal gravity, differential thermal analysis and thermo-mechanical analysis. The smallest powder was obtained with glycine/nitrate ratio 1.00 and the lowest organic and water vapor contained powder was made with glycine/nitrate ratio 1.75. According to dilatometry, fast densification was occurred around $1000^{\circ}C$ and shows full density over $1300^{\circ}C$. Finally near-fully dense ceria electrolyte was fabricated with conventional sintering technique. Glycine-nitrate process yields fine nanopowders which enable low temperature sintering and fabrication of fully dense and nanostructured oxide electrolyte.
We propose a super-thin and light-weight liquid crystal cell, in which glass substrates are eliminated and polarizers are used as substrates. We fabricate a polarizer substrate by depositing a-SiOX as a buffer layer, indium-tin-oxide as a transparent conducting layer, and a-SiOX as an alignment layer on a polarizer sequentially at a low temperature. We use the ion-beam method to align liquid crystals on polarizer substrates.
In this study we investigated the effect of the multi-step texturing process on the electrical and optical properties of hydrogenated Al-doped zinc oxide (HAZO) thin films deposited by rf magnetron sputtering. AZO films on glass were prepared by changing the $H_2/(Ar+H_2)$ ratio at a low temperature of $150^{\circ}C$. The prepared HAZO films showed lower resistivity and higher carrier concentration and mobility than those of non-hydrogenated AZO films. After deposition, the surface of the HAZO films was multi-step textured in diluted HCl (0.5%) for the investigation of the change in the optical properties and the surface morphology due to etching. As a result, the HAZO film fabricated under the type III condition showed excellent optical properties with a haze value of 52.3%.
Magnetic multi-granule nanoclusters (MGNCs) were investigated as an inexpensive means to effectively remove arsenic from aqueous environment, particularly groundwater sources consumed by humans. Various size MGNCs were examined to determine both their capacity and efficiency for arsenic adsorption for different initial arsenic concentrations. The MGNCs showed highly efficient arsenic adsorption characteristics, thereby meeting the allowable safety limit of $10{\mu}g/L$ (ppb), prescribed by the World Health Organization (WHO), and confirming that 0.4 g and 0.6 g of MGNCs were sufficient to remove 0.5 mg/L and 1.0 mg/L of arsenate ($AsO_4{^{3-}}$) from water, respectively. Adsorption isotherm models for the MGNCs were used to estimate the adsorption parameters. They showed similar parameters for both the Langmuir and Sips models, confirming that the adsorption process in this work was active at a region of low arsenic concentration. The actual efficiency of arsenate removal was then tested against 1 L of artificial arsenic-contaminated groundwater with an arsenic concentration of 0.6 mg/L in the presence of competing ions. In this case, only 1.0 g of 100 nm MGNCs was sufficient to reduce the arsenic concentrations to below the WHO permissible safety limit for drinking water, without adjusting the pH or temperature, which is highly advantageous for practical field applications.
In automotive industry, applying of Mg alloy to autobody has been issued recently as a light metal. But poor resistance spot weldability of Mg alloy is blocking commercialization. So studies on improving resistance spot weldability of Mg alloy is increasing continuously. For reduce loss of heat input during welding, inverter DC power source is considered because of short rise time to target welding current. But rapid rising of welding current can increase temperature rapidly in nugget and oxide film between electrode and base metal, and that causes generating expulsion on low welding current range. In this study, for increase optimum welding current range and prevent generating expulsion, applicate various types of welding current waveform controls during resistance spot welding. For analysis effects of each current waveform control, acceptable welding current regions according to electrode force and welding time is determined and lobe diagram is derived. In result, pre heat is proposed as optimum type of welding current waveform control.
Park, Sin-Yeong;Choe, Gwang-Hyeon;Gang, Hyeon-Cheol
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.462-462
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2013
Gallium Oxide (Ga2O3) has been widely investigated for the optoelectronic applications due to its wide bandgap and the optical transparency. Recently, with the development of fabrication techniques in nanometer scale semiconductor materials, there have been an increasing number of extensive reports on the synthesis and characterization of Ga2O3 nano-structures such as nano-wires, nanobelts, and nano-dots. In contrast to typical vaporliquid-solid growth mode with metal catalysts to synthesis 1-dimensional nano-wires, there are several difficulties in fabricating the nanostructures by using sputtering techniques. This is attributed to the fact that relatively low growth temperatures and higher growth rate compared with chemical vapor deposition method. In this study, Ga2O3 chestnut burr were synthesized by using radio-frequency magnetron sputtering method. In contrast to typical sputtering method with sintered ceramic target, a Ga2O3 powder (99.99% purity) was used as a sputtering target. Several samples were prepared with varying the growth parameters, especially he growth time and the growth temperature to investigate the growth mechanism. Samples were characterized by using XRD, SEM, and PL measurements. In this presentation, the details of fabrication process and physical properties of Ga2O3 nano chestnut burr will be reported.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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