We present in this Paper a microwave Power sensor fabricated by a standard CMOS process and a bulk micromachining process. The sensor consists of a CPW transmission line, a resistor as a healer, and thermocouple arrays. An input microwave heater, the resistor so that the temperature rises proportionally to the microwave power and tile thermocouple arrays convert it to an electrical signal. The sensor uses air bridged 8round of CPW realized by wire bonding to reduce tile device size and cost and to improve the thermal impedance. Al/poly-Si junctions are used for the thermocouples. Poly-Si is used for tile resister and Aluminium is for transmission line. The resistor and hot junctions of the thermocouples are placed on a low stress silicon nitride diaphragm to minimize a thermal loss. The fabricated device operates properly from 1㎼ to 100㎽\ulcorner of input power. The sensitivity was measured to be ,3.2~4.7 V/W.
GZO films prepared on ITO glasses were annealed at various temperatures in a vacuum condition to research the relationship between oxygen vacancies and optical properties. GZO films after annealing in a vacuum showed the various optical-chemical properties depending on the annealing temperatures and oxygen gas flow rate during the deposition. The oxygen vacancy of GZO film prepared by oxygen gas flows of 22 sccm increased with increasing the annealing temperatures, because of the extraction of oxygen by the annealing. But the intensity of photoluminance of GZO with 22 sccm decreased in accordance with the annealing temperature, because of the reduction of ionized charge carriers. The oxygen vacancy by the extraction of oxygen enhanced a depletion, so the widen depletion had the strong Schottky barrier and the PL intensity due to the low carrier density decreased.
In the present study an attempt was made to synthesize the $Al_2O_3$.$2SiO_2$ glass in which atomic ratio is Al:Si=1:1 by sol-gel process. And at such a low temperature as 55$0^{\circ}C$ clear amorphous gel derived glass with Si-O-Al bonding was obtained. $Si(OC_2H_5)_4$ and $Al(NO_3)_3$.$9H_2O$ were used as the precursor and among the mutual solvents only n-butanol gave good results for the synthesis of the gel derived glass. Partial hydrolysis of TEOS with one-fold mol of $H_2O$ prior to the reaction with aluminum nitrate gave the better results., Total oxide content to the total reactants by weight was affective to the results.
The magnetic polishing is the useful method to finish some machinery fabrications by using magnetic power. This method is one of the precision techniques and has m aim for clean technology in the transportation of the pure gas in the clean pipes. The magnetic abrasive polishing method is not so common in the field of machine that it is not known to widely. There are rarely researcher in this field because of non-effectiveness of magnetic abrasive. Therefore, in this paper we deals with the development of the magnetic abrasive with the use of Ba-Ferrite. In this development, abrasive grain WA has been made by using the min bond fabricated at low temperature. And magnetic abrasive powder was fabricated from the Ba-Ferrite which was crushed into 200 mesh. The XRD analysis result shows that only WA abrasive and Ba-Ferrite crystal peaks were detected, explaining that resin bond was not any more to contribute chemical reaction. From SEM analysis, we found that WA abrasive and Ba-Ferrite were strongly bonding with each other.
Adsorption of alkali metals on a silicon surface has attracted much attention due to its importance in metal-semiconductor interface technology, In particular, the bonding nature of alkali metal to silicon substrate has been a focus of fundamental research efforts. We examined the adsorbed layer of Cs on a Si(111)-(7$\times$) surface by reactive ion scattering (RIS) of hyperthermal Cs+ beams. RIS from a Cs-adsorbed surface gives rise to Cs, representing pickup of surface Cs by Cs projectile. The Cs intensity is proportional to surface coverage of Cs at a high substrate temperature (473 K), while it varies anomalously with Cs coverage at low temperatures (130-170 K). This observation indicates that RIS selectively detects metallic Cs on surface, but discriminates ionic Cs. Transition from ionic to metallic Cs adlayer is driven by thermal diffusion of Cs and their clustering process.
Supramolecualr ordering has been actively studied due to it's possible applications to the fabrication processes of nano-electronic devices. Van der Waals interaction and hydrogen bonding are frequently studied mechanisms for various molecular structures based on non-uniform charge distributions. Halogen atoms in molecules can have electrostatic interactions with similar strength. Big halogen atoms have strong non-uniform charge distributions. To study molecular orderings formed by hydrogen and halogen interactions, we chose a molecular system containing oxygen, hydrogen, and bromine atoms, a bromo-quinone. A two-dimensional molecular network was studied on Au(111) using a low-temperature scanning tunneling microscope. Bromo-quinonemolecules form self-assembled square grids having windmill structures. Their molecular orderings, chiral structures, and defects are explained in terms of hydrogen and halogen interactions.
Supramolecualr ordering has been actively studied due to it's possible applications to the fabrication processes of nano-electronic devices. Van der Waals interaction and hydrogen bonding are frequently studied mechanisms for various molecular structures based on non-uniform charge distributions. Halogen atoms in molecules can have electrostatic interactions with similar strength. Big halogen atoms have strong non-uniform charge distributions. To study molecular orderings formed by hydrogen and halogen interactions, we chose a molecular system containing oxygen, hydrogen, and bromine atoms, a bromo-quinone. A two-dimensional molecular network was studied on Au(111) using a low-temperature scanning tunneling microscope. Bromo-quinone molecules form self-assembled square grids having windmill structures. Their molecular orderings, chiral structures, and defects are explained in terms of hydrogen and halogen interactions.
The electronic band structure and electrical properties of KMo4O6 containing chains of condensed molybdenum octahedra are analyzed by means of the extended Hu&ckel tight-binding method. KMo4O6 has partially filled bands of 1D as well as 3D character. They also exhibit the anisotropic band dispersions with bandwidths much larger along the c* axis than along the directions perpendicular to it. Thus, conduction electrons are essentially delocalized along the c* direction (i.e., the chain of condensed molybdenum octahedra) in the solid. The 1D band of two partially filled d-block bands leads to Fermi surface nesting with the wave vector q=0.3c*. The CDW instability due to this nesting is expected to cause the phase transition associated with the resistivity anomaly at low temperature. The characteristics of metallic behavior in the crystallographic ab plane are explained on the basis of the unnested 2D Fermi surfaces.
Porous and net-shaped tantalum powder for a capacitor was formulated in a SHS (self-propagating high-temperature synthesis) process. However, this powder, which has weak strength among its particles and low flow ability, cannot be used for a capacitor. Therefore, this powder was sintered in a high-vacuum furnace to increase agglomeration to improve the flow ability, bonding strength among the particles, and shrinkage during pellet sintering. Finally, it was deoxidated with 2 wt% Mg powder to remove the increased surface oxygen that arose during the sintering process. The final product was analyzed in terms of its chemical and physical properties and was compared with a commercial powder used by a capacitor manufacturer.
Conductive adhesives have been investigated for use in microelectronics packaging as a lead-free solder substitute due to their advantages, such as low bonding temperature. However, high resistivity and poor mechanical behavior may be the limiting factors for the development of conductive adhesives. The metal fillers and the polymer resins provide electrical and mechanical interconnections between surface mount device components and a substrate. As metal fillers used in conductive adhesives, silver is the most commonly used due to its high conductivity and the stability. However the cost of conductive adhesives with silver fillers is much higher than usual lead-free solders and silver has poor electro-migration performance. So, copper can be a promising candidate for conductive filler metal due to its low resistivity and low cost, but oxidation causes this metal to lose its conductivity. In this study, electrically conductive adhesives (ECAs) using surface modified copper fillers were developed. Especially, in order to overcome the problem associated with the oxidation of copper, copper particles were coated with silver, and the silver-coated copper was tested as a filler metal. Especially the effect of silver coating on the electrical resistance just after curing and after aging was investigated. As a result, it was found that the electrical resistance of ECA with silver-coated copper filler was clearly lower and more stable than that of ECA with pure copper filler after curing process. And, during high temperature storage test, the degradation rate of electrical resistance for ECA with silver coated copper filler was quite slower than that for ECA with pure copper filler.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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