Nowadays, TFT-LCD is widely used as display unit of many digital devices. And, the backlight unit(BLU) is used as a light source of TFT-LCD module. In the backlight unit, the most important component is a light guide, which guides the input light to the TFT-LCD module uniformly. Recently, many researchers have focused on improving the efficiency of BLU by changing the design and structure of a light guide. In the present paper, a series of simulation was performed to find the optimal luminance distribution of emanated light from the given geometry as the first step. From the results of simulations for the light guide with given V-groove pattern, the emanated light from it is mostly affected by the groove angle. In the case of acute angle, about 74 degrees was found as optimal angle to satisfy the restrictions of angular luminance distribution, FWHM, the maximum luminance, etc. However, as far as the average luminance value was concerned, the case of 120 degrees(abtuse angle) was found to be the best while prism films were added to the BLU. As a next step the light guide samples of 74 and 120 degrees were manufactured by DSF method, which was recently proposed by the authors. Of course, most of design parameters were chosen by the aid of simulation results. Finally, the results of average luminance values were compared between the simulation and DSF molded samples.
Transparent conductive oxides (TCOs) 박막은 가시광선영역에서의 높은 투과율과 낮은 저항 특성을 동시에 갖고 있어 최근 smart windows, solar cells, liquid crystal displays (LCD), organic light emitting devices (OLED)등과 같은 최첨단 기기에 필수적인 구성요소로 활발히 사용되고 있다. 따라서, 현재까지 FTO ($SnO_2:F$), ITO ($In_2O_3:Sn$), ATO ($SnO_2:Sb$)등과 같은 다양한 TCO들이 많은 연구자들에 의해 연구되고 있다. 그 중 ITO는 우수한 전기적(${\sim}10^{-4}{\Omega}cm$) 및 광학적(~85%) 특성 때문에 현재 상업적으로 활발히 응용되고 있는 대표적인 물질이다. 하지만 ITO의 주된 구성요소인 indium은 제한적인 매장량과 과도한 소비량 때문에 원가가 비싸다는 문제점이 있다. 반면에, ATO는 우수한 전기적(${\sim}10^{-3}{\Omega}cm$) 및 광학적(~80%) 특성뿐만 아니라 구성물질들의 매장량이 풍부하여 ATO의 원가가 저렴하다는 장점을 가지고 있어 현재 ITO을 대체 할 수 물질로 관심 받고 있다 [1]. 지금까지 우수한 특성을 갖는 ATO박막을 합성하는 방법으로 sol-gel spin coating, sputtering, spray pyrolysis, chemical vapor deposition (CVD)등이 알려져 있다. 이 중에서도, sol-gel spin coating과 spray pyrolysis은 solution기반의 합성법으로 분류되며 합성과정이 간단하고 비용이 저렴하다는 장점이 있고 현재까지 많은 연구가 보고되었다. 그러나, 진공기반이 아닌 우수한 특성을 갖는 solution기반의 ATO박막을 합성하기 위해서는 새로운 합성법의 개발이 학문적으로나 산업적으로도 매우 중요한 이슈이다. 따라서, 본 연구에서는 electrospray을 활용하여 solution기반의 ATO박막을 처음으로 합성하였다. 게다가 ATO박막에 열처리온도에 따른 구조, 화학, 전기, 광학적 특성을 확인하기 위하여 X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Scanning Electron Microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), Hall Effect Measurement System, UV spectrophotometer를 사용하였다. 이러한 실험 결과들을 바탕으로 electrospray을 통해 합성된 solution기반의 ATO박막에 자세한 특성을 본 학회에서 다루도록 하겠다.
Indium tin oxide (ITO) has been widely used as transparent conductive oxides (TCOs) for transparent electrodes of various optoelectronic devices, such as liquid crystal displays (LCD) and organic light emitting diodes (OLED). However, indium has become increasingly expensive and rare because of its limited resources. In addition, ITO thin films have some problems for OLED and flexible displays, such as imperfect work function, chemical instability, and high deposition temperature. Therefore, multi-component TCO materials have been reported as anode materials. Among the various materials, IZTO thin films have been gained much attention as anode materials due to their high work function, good conductivity, high transparency and low deposition temperature. IZTO thin films with a thickness of 200nm were deposited on Corning glass substrate at different substrate temperature by pulsed DC magnetron sputtering with a sintered ceramic target of IZTO (In2O3 70 wt%, ZnO 15 wt%, SnO2 15 wt%). We investigated the electrical, optical, structural properties of IZTO thin films. As the substrate temperature is increased, the electrical properties of IZTO are improved. All IZTO thin films have good optical properties, which showed an average of transmittance over 80%. These IZTO thin films were used to fabricate organic light emitting diodes (OLEDs) as anode and the device performances studied. As a result, IZTO has utility value of TCO electrode although it reduced indium and we expect it is possible for the IZTO to apply to flexible display due to the low processing temperature.
Transparent conduction oxides (TCOs) films is extensively reported for optoelectronic devices application such as touch panels, solar cells, liquid crystal displays (LCDs), and organic light emitting diodes(OLEDs). Among the many TCO film, indium tin oxide(ITO) is in great demand due to the growth of flat panel display industry. However, indium is not only high cost but also its deposits dwindling. Therefore, many studies are being done on the transparent conductive oxides(TCOs). We fabricated a target of IZTO(In2O3:ZnO:SnO2=70:15:15 wt.%) reduced indium. Then, IZTO thin films were deposited on glass substrates by pulsed DC magnetron sputtering with various oxygen flow ratio. The substrate temperature was fixed at the room temperature. We investigated the electrical, optical, structural properties of IZTO thin films. The electrical properties of IZTO thin films were dependent on the oxygen partial pressure. As a result, the most excellent properties of IZTO thin films were obtained at the 3% of oxygen flow rate with the low resistivity of $7.236{\times}10^{-4}{\Omega}cm$. And also the optical properties of IZTO thin films were shown the good transmittance over 80%. These IZTO thin films were used to fabricated organic light emitting diodes(OLEDs) as anode and the device performances studied. The OLED with an IZTO anode deposited at optimized deposition condition showed good brightness properties. Therefore, IZTO has utility value of TCO electrode although it reduced indium and we expect it is possible for the IZTO to apply to flexible display due to the low processing temperature.
Objective : Neuroimaging data are of paramount importance in making correct diagnosis. We herein evaluate the clinical usefulness of image transfer using cellular phones to facilitate neurological diagnosis and decision-making. Methods : Selected images from CT, MRI scans, and plain films obtained from 50 neurosurgical patients were transferred by cellular phones. A cellular phone with a built-in 1,300,000-pixel digital camera was used to capture and send the images. A cellular phone with a 262,000 color thin-film transistor liquid crystal display was used to receive the images. Communication between both cellular phones was operated by the same wireless protocol and the same wireless internet service. We compared the concordance of diagnoses and treatment plans between a house staff who could review full-scale original films and a consultant who could only review transferred images. These finding were later analyzed by a third observer. Results : The mean time of complete transfer was $2{\sim}3\;minutes$. The quality of all images received was good enough to make precise diagnosis and to select treatment options. Transferred images were helpful in making correct diagnosis and decision making in 49/50 [98%] cases. Discordant result was caused in one patient by improper selection of images by the house staff. Conclusion : The cellular phone system was useful for image transfer and delivery patient's information, leading to earlier diagnosis and initiation of treatment. This usefulness was due to sufficient resolution of the built-in camera and the TFT-LCD, the user-friendly features of the devices, and their low cost.
현재 상용화된 대부분의 3D 디스플레이는 왼쪽 눈과 오른쪽 눈의 입력영상을 다르게 만들어 입체감을 만드는 양안시차 방식을 적용하고 있다. 하지만 상용화된 3D 영상 출력 장치는 성능 부족에 의한 시청자의 불편 유발과 시청위치의 제약 등의 문제들이 있다. 본 논문에서는 기존 Dual-cell 구조 대비 시야각, Crosstalk 감소, 광투과도를 향상할 수 있는 Single-cell 구조의 편광안경식 입체영상 시스템을 개발하고, 투과도 실험과 시야각 평가를 통해 Single-cell 구조의 편광안경식 입체영상 시스템 특성분석과 Dual-cell 구조 대비 성능향상 효과 분석을 진행하였다. 분석 결과 Single-cell 구조가 Dual-cell 구조 대비 투과도 부분에서 약 25% 이상의 높은 성능을 보이며, 시야각 평가 중 입체 영상 특성품질의 주요지표인 3D crosstalk 지표는 약 37% 이상 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
Kim, Young-Yi;Han, Won-Suk;Kong, Bo-Hyun;Cho, Hyung-Koun;Kim, Jun-Ho;Lee, Ho-Seoung
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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pp.11-11
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2008
ZnO has a very large exciton binding energy (60 meV) as well as thermal and chemical stability, which are expected to allow efficient excitonic emission, even at room temperature. ZnO based electronic devices have attracted increasing interest as the backplanes for applications in the next-generation displays, such as active-matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs), and in solid state lighting systems as a substitution for GaN based light emitting diodes (LEDs). Most of these electronic devices employ the electrical behavior of n-type semiconducting active oxides due to the difficulty in obtaining a p-type film with long-term stability and high performance. p-type ZnO films can be produced by substituting group V elements (N, P, and As) for the O sites or group I elements (Li, Na, and K) for Zn sites. However, the achievement of p-type ZnO is a difficult task due to self-compensation induced from intrinsic donor defects, such as O vacancies (Vo) and Zn interstitials ($Zn_i$), or an unintentional extrinsic donor such as H. Phosphorus (P) doped ZnO thin films were grown on c-sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering with various Ar/ $O_2$ gas ratios. Control of the electrical types in the P-doped ZnO films was achieved by varying the gas ratio with out post-annealing. The P-doped ZnO films grown at a Ar/ $O_2$ ratio of 3/1 showed p-type conductivity with a hole concentration and hole mobility of $10^{-17}cm^{-3}$ and $2.5cm^2/V{\cdot}s$, respectively. X-ray diffraction showed that the ZnO (0002) peak shifted to lower angle due to the positioning of $p^{3-}$ ions with a smaller ionic radius in the $O^{2-}$ sites. This indicates that a p-type mechanism was due to the substitutional Po. The low-temperature photoluminescence of the p-type ZnO films showed p-type related neutral acceptor-bound exciton emission. The p-ZnO/n-Si heterojunction LEO showed typical rectification behavior, which confirmed the p-type characteristics of the ZnO films in the as-deposited status, despite the deep-level related electroluminescence emission.
부산항의 수출이 우리나라 항만의 수출에서 차지하는 비중은 계속해서 감소하고 있는데, 이와 같은 항만의 위상변화는 해당 항만의 주요 수출시장과 수출품목에서 그 원인을 찾아볼 수 있다. 본고는 중국에 대한 부산항의 주요 10개 수출품목의 경쟁력이 어떻게 변화할 것인가를 밝히기 위해 시장비교우위(Market Comparative Advantage: MCA)지수를 도출하여 변화하는 행태를 분석함과 동시에 MCA지수를 대 중국 수출비중과 중국의 수입비중으로 분해한다. 부산항의 수출경쟁력은 MCA지수가 하락한 HS8703 품목을 제외한 9개 품목에서 상승하나, 이 중 7개 품목에서 중국의 수입비중이 감소함을 보인다. 그런데 중국의 수입비중이 줄어든다는 것은 시장비교우위지수가 상승하여도 수출증가를 낙관할 수 없다는 것을 의미한다. 중국의 수입비중이 감소하는 7개 품목에서 5개 품목은 대중 수출비중이 상승하나 2개 품목에서는 대중 수출비중도 함께 하락하여 MCA의 상승에도 불구하고 수출전망이 어둡다는 것을 보인다. 결국 HS3920, HS8708, HS8703과 같은 3개 품목에서만 수출경쟁력 향상이 수출전망을 밝게 한다는 것을 밝힌다. HS8708 품목이 부산항의 대중 수출에서 1위를 차지하는 품목이라는 점은 부산항의 대중 수출에 긍정적인 요소가 될 수 있으나, 10개 품목 중 3개 품목에서만 수출전망이 밝다는 것은 부산항의 대중 수출에 대해 전반적인 검토가 있어야 한다는 것을 보인다.
Carbon nanotubes (CNTs) are attractive material because of their superior electrical, mechanical, and chemical properties. Furthermore, their geometric features such as a large aspect ratio and a small radius of curvature at tip make them ideal for low-voltage field emission devices including backlight units of liquid crystal display, lighting lamps, X-ray source, microwave amplifiers, electron microscopes, etc. In field emission devices for display applications, the phosphor anode is positioned against the CNT emitters. In most case, light generated from the phosphor by electron bombardment passes through the anode front plate to reach observers. However, light is produced in a narrow depth of the surface of the phosphor layer because phosphor particles are big as much as several micrometers, which means that it is necessary to transmit through the phosphor layer. Hence, a drop of light intensity is unavoidable during this process. In this study, we fabricated a transparent cathode back plate by depositing an ultra-thin film of single walled CNTs (SWCNTs) on an indium tin oxide (ITO)-coated glass substrate. Two types of phosphor anode plates were employed to our transparent cathode back plate: One is an ITO glass substrate with a phosphor layer and the other is a Cr-coated glass substrate with phosphor layer. For the former case, light was radiated from both the front and the back sides, where luminance on the back was ~30% higher than that on the front in our experiments. For the other case, however, light was emitted only from the cathode back side as the Cr layer on the anode glass rolled as a reflecting mirror, improving the light luminance as much as ~60% compared with that on the front of one. This study seems to be discussed about the morphologies and field emission characteristics of CNT emitters according to the experimental parameters in fabricating the lamps emitting light on the both sides or only on the cathode back side. The experimental procedures are as follows. First, a CNT aqueous solution was prepared by ultrasonically dispersing purified SWCNTs in deionized water with sodium dodecyl sulfate (SDS). A milliliter or even several tens of micro-liters of CNT solution was deposited onto a porous alumina membrane through vacuum filtration. Thereafter, the alumina membrane was solvated with the 3 M NaOH solution and the floating CNT film was easily transferred to an ITO glass substrate. It is required for CNT film to make standing CNTs up to serve as electron emitter through an adhesive roller activation.
The biased vertical alignment (BVA) liquid crystal (LC) mode shows a has a distinct advantage of lower manufacture cost due to the elimination of a lithographic process step to form either ITO-patterning or protrusions on the color-filter substrates. However, those devices have complex voltage conditions which is the respective induce voltage on common electrode, pixel electrode and bias electrode when positive and negative frame. In order to overcome the complex voltage condition, the pretilt angles is controlled by photo polymerization of the UV-curable reactive mesogen (RM). According to our studies, voltages to the cell are critical to achieve an optimized surface-modified quality BVA (Q-BVA) mode which provides the well defined reorientation of the LCs with respect to an electric field.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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