• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.223-226
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• 2002

In this paper, we propose the FBG design using coupled mode theory based on perturbation theory. FBG can be used to extract the specific wavelength channel from the transmission ]me when many wavelengths are coupled in a multiwavelength transmission line. To analyze output characteristics of FBG and get optimum design data, we simulate through computer and verify by experiment. From the results obtained by simulation and experimentation, the proposed FBG fits for DWDM(Dense WBM) system because of the tunning narrow linewidth.

• 한국진공학회지
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• 제5권1호
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• pp.33-38
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• 1996

The induced linewidth, frequency shift and absorption spectrum for a molecular dipole in the vicinity of a phase -conjugate mirror have been investgated within a classical phenomenological model, with particularreference to the technique of optical phase conjugation by a surface. While the shifts and the widths show similar characteristics as those obtained recently by Bochove who considered the problem within the context of four-wave mixing, the results obtained in the present model can be defined uniquely with the possibility of an infinite lifetime for the excited admolecule . Furthermore, the absorption lineshape obtained here some interesting features which depend on both the magnitude and the phase of the complex reflectivity of the mirror.

• 한국광학회지
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• 제8권4호
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• pp.320-326
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• 1997

Erbium 첨가 광섬유를 이용하여 광섬유 자이로스코프용 광대역폭 광원을 구성하였다. 광원의 구성방식을 달리하며 펌프 power에 따른 광원의 출력 power, 파장선폭, 중심파장을 측정하여 방식간에 이를 비교하였다. 시도된 4가지의 구성방식 중에서 'double pass'방식의 경우에 25 mW의 비교적 낮은 펌핑(파장 1.48.mu.m)으로 5.5 mW의 가장 큰 출력 power를 얻었으며, 충분히 펌핑하는 경우에 펌프 power 변화에 대한 중심파장 변화율이 거의 0에 가까운 안정된 특성을 얻을 수 있었다. 'Amplifier/source'방식은 광원의 출력은 가장 작았으나, 자이로 검출기에 입사되는 power면에서 다른 방식에 비해 최소한 100배 이상 큰 결과를 얻었다. 광원으로의 귀환 수준이 증가함에 따라 파장선폭은 증가했으나 출력 power는 감소했으며 귀환 수준 변화에 따른 중심파장의 변화가 크게 나타나서 귀환광이 자이로의 scale factor에 큰 영향을 미칠 것임을 예측할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제4권1호
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• pp.117-124
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• 1994

마이크로웨이브 Mg-Mn훼라이트에서 비자성 이온인 알루미늄으로 Fe 이온을 치환하여 포화자화를 낮출 수 있다. 이것은 마이크로웨이브 훼라이트의 사용 주파수 영역의 확장을 위해 필요하다. 이때 다른 특성의 변화가 수반되는 것은 검토해 봐야 할 점중의 하나이다. 본 연구에서는 MgO: MnO : $Fe_2O_3$를 1.0:0.1:0.95몰비로 제조한 마이크로 웨이브 훼라이트[화학식:$(MgO)_{1.0}(MnO)_{0.1}(Al_xFe_{1.9-x}O_{2.85}$]에서 AI을 0.1에서 0.4까지 첨가한 경우의 전기적.자기적 특성을 미세조직과 아울러 조사하였다. 포화자화 값은 첨가량에 따라 감소하였으며 강자성공명 선폭도 마찬가지였다. $H_c$ 값은 첨가량 0.2이상에서 103.48A/m(1.3Oe)이하로 나타났으며 각형비는 모두 우수하였다. 공명자기장은 첨가량에 따라 거의 변화가 없었다. 이상고 같은 실험결과로부터 적절한 조성범위에서 각각의 물성을 조합하여 넓은 범위의 마이크로웨이브 소자에 응용할 수 있는 제반 물성을 얻을 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제13권2호
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• pp.65-71
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• 2004

PECVD 방법으로 증착된 a-C : H 박막들이 공기 중에 노출되었을 때 나타나는 ESR 스펙트럼의 변화가 조사되었다. 증착 조건에 따라 차이는 있으나, 대체적으로 공기 중에서 노출된 시간이 늘어남에 따라 ESR 신호높이가 점차로 줄어들고 ESR 신호폭은 점점 더 넓어지는 것이 관찰되었다. 스핀밀도는 샘플에 따라서 40-80% 정도로의 감소를 보였다. 공기 중에 노출된 a-C : H 박막의 스핀밀도의 감소는 공기 중의 수분의 침투와 후속적인 수소 확산 및 재배치에 의한 것으로 간주되었다. 그리고 공기 중에 있던 샘플들을 다시 진공 중에 놓아두면 ESR 신호높이는 다시 증가하고 신호폭은 다시 감소되었는데, 이것은 샘플에서 산소가 다시 빠져나감에 기인하는 것으로 생각되었다. 결과적으로 공기 중에서 a-C : H 박막의 ESR 스펙트럼 변화는 이러한 스핀밀도의 감소 및 산소 침투와 복합적으로 관련되어 있는 것으로 추정되었다.

• 한국자기학회지
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• 제21권1호
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• pp.10-14
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• 2011

본 연구에서는 열처리에 따른 자기이방성 자기장 및 강자성 공명 선폭(${\Delta}H_{PP}$) 변화 특성을 분석하기 위하여 열처리 전후의 CoFeB/MgO 박막 재료에 대하여 강자성 공명 신호를 측정하였다. 열처리 전에 일축이방성 자기장($H_{K1}$) 특성을 보이던 CoFeB는 열처리 후 쌍축이방성 자기장 ($H_{K2}$) 특성이 부가적으로 확연히 나타났다. 이는 비정질 CoFeB가 열처리에 의하여 B이 확산되는 과정에서 박막의 수평면에서 (001)결정면을 갖는 MgO 계면으로부터 CoFeB 역시 (001)결정면을 갖는 입방결정으로 성장하였기 때문이다. 또한 쌍축이방성을 갖는 결정축의 영향으로 수평면에서의 자화용이축의 분포 특성을 증가시켜 ${\Delta}H_{PP}$도 증가하는 특성을 보인다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권3호
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• pp.60-73
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• 1997

By introducing a compressive-strained quanternary InGaAsP quantum-wells instead of a conventional ternary InGaAs quantum-wells in 1.55.mu.m DFB-LD, the lasing performances canb e improved and the problems caused by the thickness non-uniformity and the compositional abruptness among the hetero-interpaces canb e relaxed. In this paper, we investigated an iptimum InGaAsP/InGaAsP multiple-quantum-well(MQW) structure as an active layer in a direct-modulated 1.55.mu. DFB-LD from the view point of threshold current, chirping charcteristics, and resonance frequency. The optimum compressive-strained MQW structure was revealed as InGaAsP/InGaAsP structure with strain amount of about 1.2%, number of wells $N_{w}$ of 7, well width $L_{w}$ of 58.agns.. The threshold current density J of 500A/c $m^{2}$, the linewidth enhancement factor a of 1.8, and differential resonance frequency of d $f_{r}$/d(I-I)$^{1}$2/=2GHz/(mA)$^{1}$2/(atI=2 $I_{th}$) were expected in 1.55.mu.m .gamma./4-shifted DFB-LD with the cavity length of 400.mu.m long and kL value of 1.25. These values are considerably improved ones compared to those of 1.55um DFB-LD with InGaAs/InGaAsP MQW which have enhancement factor and the resonance frequence frequency by the detuning of lasing wavelength and gain-peak wavelength. It was found that the linewidth enhancement factor of 20% and differential resonance frequency of 35% without the degradation of the threshold current density could be enhanced in the range of -15nm~-20nm detuning which can be realized by controlling the thickness and Incomposition of InGaAsP well. well.and Incomposition of InGaAsP well. well.

• 한국재료학회지
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• 제17권7호
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• pp.390-395
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• 2007

We systematically investigated the effects of InAs coverage variation, two-step annealing and an asymmetric InGaAs quantum well (QW) on the structural and optical characteristics of InAs quantum dots (QDs) by using atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM) and photoluminescence (PL) measurement. The transition of size distribution of InAs QDs from bimodal to multi-modal was noticeably observed with increasing InAs coverage. By means of two-step annealing, it is found that significant narrowing of the luminescence linewidth (from 132 to 31 meV) from the InAs QDs occurs together with about 150 meV blueshift, compared to as-grown InAs QDs. Finally, the InAs QDs emitting at longer wavelength of $1.3\;{\mu}m$ with narrow linewidth were grown by an asymmetric InGaAs QW. The excited-state transition for the InAs QDs with an asymmetric InGaAs QW was not noticeably observed due to the large energy-level spacing between the ground states and the first excited states. The InAs QDs with an asymmetric InGaAs QW will be promising for the device applications such as $1.3\;{\mu}m$ optical-fiber communication.

• Advances in nano research
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• 제13권2호
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• pp.199-206
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• 2022

We present the high-brightness large-area 10.1" in-cell polarizer display panel integrated with a wire grid polarizer (WGP) and metal reflector, from the initial design to final system development in a commercially feasible level. We have modeled and developed the WGP architecture integrated with the metal reflector in a single in-cell layer, to achieve excellent polarization efficiency as well as brightness enhancement through the light recycling effect. After the optimization of key experimental parameters via Taguchi method, the roll nanoimprint lithography employing a flexible large-area tiled mold has been utilized to create the 90 nm-pitch polymer resist pattern with the 54.1 nm linewidth and 5.1 nm residual layer thickness. The 90 nm-pitch Al gratings with the 51.4 nm linewidth and 2150 Å height have been successfully fabricated after subsequent etch process, providing the in-cell WGPs with high optical performance in the entire visible light regime. Finally we have integrated the WGP in a commercial 10.1" display device and demonstrated its actual operation, exhibiting 1.24 times enhancement of brightness compared to a conventional film polarizer-based one, with the contrast ratio of 1,004:1. Polarization efficiency and transmittance of the developed WGPs in an in-cell polarizer panel achieve 99.995 % and 42.3 %, respectively.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권5호
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• pp.495-500
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• 1988

The effectiveness of tri layer resist (TLR) technique is compared with that of single layer resist (SLR) technique in order to make a 0.8um pattern with the linewidth deviation of 10 percents. SLR technique is not appropriate to shape the micro-pattern on oxide and aluminum steps because of the standing wave effect and the light scattering effect in shaping the resist pattern. On the contrary, the uniform line with a width of 0.8um on oxide and aluminum steps can be formed by TLR technique, reducting such effects. The planarization and the light absorption coefficient of the bottom layer resist in TLR are optimized by exposing it to ultra violet light after baking it for 30min at 230\ulcorner. An uniform line with a width of 0.8um on oxide step is defined with the light absorption coefficient of 0.85 whereas that on aluminum step is defined with 0.95.