• 한국광학회지
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• 제10권6호
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• pp.448-452
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• 1999

가우스 함수 형태인 진폭임펄스 초기 함수 $e^{-\sigma^2\chi^2}$를 역푸리에 변환하여 변조된 가우스 동함수 $e^{\frac-{\omega^2}{4\sigma^2}$를 구하였다. 굴절률이 같은 흡수유리와 투명유리를 조합한 가우스 진폭변조판에 적용되는 설계이론을 유도하고 설계에 따라 가우스 진폭변조판을 제작하였다. 가우스 진폭변조판은 포물선 방정식형태로 제작하여 투과율을 측정한 뒤 설계이론에 따라 구한 값과 비교하였다. 파장이 $0.365{\mu}m$이고, 수치구경수(NA)가 0.07인 광학계에서 가우스 진폭변조판이 있을 때와 없을 때에 폭이 $60{\mu}m$인 단일 슬릿과 $25{\mu}m$인 단일 슬릿의 각각의 경우에 대해 회절 선폭을 비교하여 가우스 진폭변조판에 의해서 선폭이 2/3로 감소함을 확인하였다.

• 한국광학회지
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• 제5권1호
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• pp.100-105
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• 1994

Littrow형 회절격자를 이용한 확장공진기를 657 nm 영역에서 연속동작하는 상용 InGaAsP 단일모우드 가시광 반도체를 이용하여 구성하였다. 제작한 확장공진기 시스템에서 657 nm InGaAsP 가시광 반도체 레이저의 선폭은 60 MHz에서 10 MHz 이하로 축소되었다. Littrow 회절격자의 설치각도와 레이저의 온도 및 주입 전류에 대한 반도체레이저의 주파수(파장) 의존성을 레이저 파장계를 이용하여 측정하였다. 상용 CQL820D 가시광 반도체레이저의 회절격자의 설치각도, 레이저 온도 및 주입전류에 대한 비례계수는 각각 1THz/mrad, 32.4 GHz/K, 그리고 6.14 GHz/mA 이었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.1791-1796
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• 2011

가우스 광분포를 가지는 KrF 엑시머 레이저와 위상마스크를 이용해 3dB 파장 선폭이 0.7 nm인 단주기 광섬유 격자(Fiber Bragg Grating)가 제작되었고, 이 격자의 파장에 따른 삽입 손실이 단일파장 광원과 cutback방식을 이용해 측정되었다. 이 격자의 온도 의존성을 확인하기 위해 -10 $^{\circ}C$ ~ 70 $^{\circ}C$ 범위에서 중심 파장의 변화를 측정하였는데 0.01 nm/$^{\circ}C$을 얻었으며 이 값은 온도 변화 방향과 무관하였다. 진폭마스크를 이용해 3 dB 선폭이 14.22 nm인 장주기 격자도 제작되었으며 이 경우는 같은 온도 범위에서 0.044 nm/$^{\circ}C$로 단주기 격자에 비해 온도 의존성이 4배 이상 컸다. 장주기 격자는 광섬유 코팅의 존재 여부도 온도 변화에 큰 영향을 미쳤다.

• 한국광학회지
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• 제3권2호
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• pp.117-122
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• 1992

2색 3-단계 공명이온화 구도를 이용하여 수은 도우이원소들을 선택적으로 광이온화시켰다. 중간 여기 준위로서 $6^3P_1$ 및 $6^1D_2$를 선택했으며, 이때 사용된 레이저파장은 253.7nm(1차 여기)와 313.2nm(2차 여기 및 이온화)이었다. 동위원소들의 선택적 여기는 선폭 ~700MHz의 단일종모드 펄스 레이저를 사용한 1차 여기단계에서 이루어졌으며, 2차 여기 및 이온화 단계에서는 비교적 큰 선폭(~5GHz)의 레이저를 사용하였다. 본 연구에서는 time-of-flight 질량분석기를 사용하여 질량 스펙트럼을 실시간으로 얻었으며. 이를 이용하여 레이저 세기가 수은동위원소 선택성에 미치는 영향을 분석하였다.

• Journal of Magnetics
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• 제16권2호
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• pp.108-113
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• 2011

The electron spin resonance lineshape (ESRLS) function for the electron spin resonance linewidth (ESRLW) of $Cr^{3+}$ (S = 3/2) in ferroelectric lithium niobate single crystals doped with 0.05 wt% of Cr, is obtained by using the projection operator technique (POT), developed by Argyres and Sigel. The ESRLS function is calculated to be axially symmetric about the c - axis and analyzed by using the spin Hamiltonian $H_{SP}={\mu}_B(B{\cdot}{^\leftrightarrow_{g}}{\cdot}S)+S{\cdot}{^\leftrightarrow_{D}}{\cdot}S$ with the parameters g = 1.972 and D = $0.395\;cm^{-1}$. In the ca plane, the linewidths show a strong angular dependence, whereas in the ab plane, they are independent of the angle. This result implies that the resonance center has an axial symmetry along the c - axis. Further, from the temperature dependence of the linewidths that is shown, it can be seen that the linewidths increase as the temperature increases, at a frequency of v = 9.27GHz. This result implies that the scattering effect increases with increasing temperature. Thus, the POT is considered to be more convenient to explain the scattering mechanism as in the case of other optical resonant systems.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.656-661
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• 2002

라이다 광원용 다중통과 Ti-sapphire 증폭기를 각도다중 방식으로 설계하여 출력에너지 및 스펙트럼 특성을 개선하였다. 2-단의 다중통과 증폭기에서 파장이 790nm 일 때, 42mJ의 출력에너지와 21dB의 증폭이득 및 26%의 출력효율을 얻었으며, 715~930nm이 파장가변 영역에서 스펙트럼 선폭은 0.05$cm^{-1}$ / 이하였다. 780nm의 파장에서 35%의 SHG 변환효율과 390nm의 파장에서 13%의 THG 변환효율을 각각 얻었다. 결과적으로 240~306nm의 자외영역과 360~460nm의 deep-blue 영역에서 연속적으로 파장을 가변시킬 수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제6권3호
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• pp.228-232
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• 1995

초고속 광통신을 위한 고속변조용 단일모드 반도체 레이저로서 변조 도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 제작하고 변조특성을 축정 하였다. 제작된 소자의 최소 임계전류는 16.0mA, 최대 slope efficiency는 0.275mW/mA였다. 고속변조를 위한 활성층의 변조도핑으로 소자의 내부손실은 $37cm^{-1}$로 크게 주어졌으나. 이득계수의 증가에 따라 선폭확대계수는 1.8로 감소되었다. 소신호 변조 특성 측정 결과, $46mA(I_{th}+30mA)$ 에서의 공진주파수 8GHz, -3dB 차단주파수 10GHz 이상으로서 고속변조 특성이 우수한 변조도핑된 SMQW-PBH-DFB-LD를 시험 제작하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.477-478
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• 2006

Characteristics of InAs/GaAs quantum dot (QD) ridge laser diodes (LDs) are investigated for high-power $1.3\;{\mu}m$ applications. For QD ridge LDs with a $5-{\mu}m$-wide stripe and a 1-mm-long cavity, the emission wavelength of 1284.1 nm, the single-uncoated-facet CW output power as high as 90 mW, the external efficiency of 0.31 W/A and the threshold current density of $800\;mA/cm^2$ are obtained. The linewidth enhancement factor ($\alpha$-factor) is successfully measured to be between 0.4 and 0.6, which are about four times as small values with respect to conventional quantum well structure. It is possible that this result significantly reduce the filamentation of far-field profiles resulting in better beam quality for high power operation.

• Journal of the Korean Physical Society
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• 제73권9호
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• pp.1279-1282
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• 2018

This paper reports the deposition of a metal line using a multilayer stack and laser-induced forward transfer (LIFT) using a low cost continuous wave blue laser with a wavelength of 450 nm. The donor structure was composed of a light-to-heat (LTH) layer, a release layer, and a transfer layer in series. Amorphous silicon as the LTH layer absorbs photon energy and converts it to heat. A release layer was melted so that a silver transfer layer would be transferred to the receiver substrate. The transferred silver layer showed reasonable physical and electrical characteristics. A low cost fine linewidth metal layer could be achieved using this modified LIFT technique and blue laser.

• Current Optics and Photonics
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• 제5권5호
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• pp.500-505
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• 2021

We demonstrated a wide-fan-angle flat-top irradiance pattern with a very narrow linewidth by using an aspheric lens and a long-pitch reflective diffraction grating. First, we numerically designed a diffraction-based linear beam homogenizer. The structure of the Al diffraction grating with an isosceles triangular shape was optimized with 0.1-mm pitch, 35.5° slope angle, and 0.02-mm radius of the rounding top. According to the numerical results, the linear uniformity of the irradiance was more sensitive to the working distance than to the shape of the Al grating. The designed Al grating reflector was fabricated by using a conventional mold injection and an Al coating process. A uniform linear irradiance of 405-nm laser diode with a 100-mm flat-top length and 0.176-mm linewidth was experimentally demonstrated at 140-mm working distance. We believe that our proposed linear beam homogenizer can be used in various potential applications at a precise inspection system such as three-dimensional morphology scanner with line lasers.