• Journal of Ocean Engineering and Technology
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• v.1 no.1
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• pp.65-72
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• 1987

두개의 동일한 원통이 두중심점을 잇는 선에 대하여 수직인 방향으로 저동할때 발생되는 정상류에 대한 해를 구하였다. 관련된 자변수들간의 어떤 가정하에서 본문제는 Stokes문제가 될 수 있었다. 유동함수를 급수전개하였으며, 급수의 계수수함수는 penta-diagonal matrix를 풀어 구할 수 있었다. 해의 결과에 의하면 원통 주위에 몇개의 소용돌이가 생겼며 그소용돌이의 수는 두 원통간의 거리에 따라 달라 졌다. 두 원통간의 거리가 커짐에 따른 점근적 성질을 단일 원통의 경우와 비교하여 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.116-116
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• 2011

오늘날 표시장치는 경량, 고밀도, 고해상도 대면적화의 요구에 의해 TFT-LCD의 발전이 이루어졌다. TFT에는 반도체 재료로서, Poly-Si을 사용하는 Poly-Si TFT와 a-Si:H를 이용하는 a-Si;H TFT가 있는데 a-Si는 $350^{\circ}C$ 이하의 저온으로 제작이 가능하여 많이 사용되고 있다. 이러한 방향에 맞추어 bottom gate 구조의 a-Si TFT 실험을 진행하였다. P-type silicon substrate ($0.01{\sim}0.02{\Omega}-cm$)에 gate insulator 층인 SiNx (SiH4 : NH3 = 6:60)를 200nm 증착하였다. 그리고 그 위에 active layer 층인 a-Si (SiH4 : H2 : He =2.6 : 10 : 100)을 다른 RF power를 적용하여 100 nm 증착하였다. 그 위에 Source와 Drain 층은 Al 120 nm를 evaporator로 증착하였다. active layer, gate insulator 층은 ICP-CVD 장비를 이용하여 증착하였으며, 공정온도는 $300^{\circ}C$ 로 고정하였다. active layer층 증착시 RF power는 100W, 300W, 500W, 600W로 가변하였고, width/length는 100 um/8um로 고정하였다. 증착한 a-Si layer층을 Raman spectroscope, SEM 측정 하였으며, TFT 제작 후, VG-ID, VD-ID 측정을 통해 전기적 특성인 Threshold voltage, Subthreshold swing, Field effect mobility, ON/OFF current ratio를 비교해 보았다.