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우주방사선차폐 전자공학기술조사 연구 (A Study on Radiation-Shielded Electronics Technology Survey)

  • 황선태;하석호
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • 제26권1호
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    • pp.45-49
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    • 2001
  • 오늘 날 인공위성을 이용하는 통신, 방송, 기상, 환경모니터링 및 원격탐사 등이 각광을 받고 있는 때에 위성에 설치되는 수많은 전자제품 및 부품들의 우주방사선에 대한 내구성이 매우 중요한 문제로 제기되고 있다. 이러한 관점에서 국내에서는 아직 확보할 수 없는 우주방사선차폐 전자공학기술에 관한 정보자료를 조사 수집하여 기술적으로 직접 활용해야할 필요성이 시급하게 대두되고 있다. 따라서 선진국에서 개발된 우주방사선차폐를 위한 첨단전자공학기술에 관한 기술정보 자료를 체계적으로 서술한다.

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고출력전자기파에 의한 반도체부품의 고장메커니즘 고찰 (Review of Failure Mechanisms on the Semiconductor Devices under Electromagnetic Pulses)

  • 김동신;구용성;김주희;강소연;오원욱;천성일
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제18권6호
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    • pp.37-43
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    • 2017
  • 본 논문에서는 고출력 전자기파 (Electromagnetic pulses, EMP) 영향에 의해 발생하는 반도체 부품의 물리적 상호작용에 대한 원리와 고장 발생 메커니즘의 연구를 위해 선행된 연구 내용을 고찰하였다. 반도체 부품에서의 전자기파 전이 과정은 3층 (공기/유전체/도체) 구조로 설명할 수 있으며, 복소반사계수에 의하여 이론적으로 흡수되는 에너지를 예상할 수 있다. 반도체 부품에 전달된 과도한 고출력 전자기파로 인한 반도체 부품의 주요 고장 원인은 전자기파 커플링에 의한 부품 소재의 줄 열에너지의 발생이다. 전기장에 의한 유전가열과 자기장에 의한 맴돌이손실에 의해 반도체 칩의 P-N 접합 파괴, 회로패턴의 burn-out과 리드 프레임과 칩을 연결하는 와이어의 손상 등이 발생한다. 즉, 반도체 부품에 전달된 전자기파는 반도체 내부 물질과 상호작용을 하며, 쌍극자분극과 이온 전도도 현상이 동시에 발생하여, 칩 내부의 P-N 접합 부분에 과도한 역전압이 형성되어 P-N 접합 파괴를 유발한다. 향후 고 신뢰성을 요구하는 전기전자시스템에 대한 EMP 내성을 향상하기 위한 반도체 부품 수준의 연구가 필요하다.

주조 포스트코아에서 시멘트 종류가 미세누출에 미치는 영향 (A Study of the Comparison of Microleakage according to the Types of Cement on the Cast Post and Core)

  • 남기영;이청희;조광헌
    • 구강회복응용과학지
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    • 제16권1호
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    • pp.51-60
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    • 2000
  • 주조 포스트코아와 치질 계면에서 시멘트 종류에 따른 미세누출의 변화를 알아보기 위해 상악 전치부 및 하악 견치, 총 40개의 단근치를 백악-법랑 경계 2mm 상방에서 절단하고 백악-법랑 경계 1mm 상방에 chamfer 변연 형성 후, 통상적 근관 형성, 및 충전을 시행하고 주조용 Parapost를 이용하여 40개의 주조 포스트코아를 제작하였다. 각 군당 10개씩 4군으로 분배하여, 실험 I군에서는 인산아연 시멘트인 Fleck's를, 실험 II군에서는 글래스아이오노머 시멘트인 Fuji I을, 실험 III군에서는 4-META계 레진 시멘트인 Superbond C & B를, 실험 IV군에서는 인산 에스테르계 레진 시멘트인 Panavia 21로 각각 접착한 다음, 500회 thermocycling 및 1% basic fuchsin 염색액 침액을 거친 후 시편을 협설면으로 절단하고 광학 현미경상에서 포스트와 치질 계면사이의 미세누출정도를 지수로 산정하여 시편 협설면의 지수 평균을 계산한 후 각 군간의 비교 분석을 통해 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 모든 시편의 계면에서 미세누출이 관찰되었다. 2. 실험 I군에서 실험 II군, 실험 III군, 및 실험 IV군에 비해 유의성있게 가장 높은 미세누출지수를 보였고, 실험 II군에서 실험 III군, 및 실험 IV군에 비해 유의성있게 높은 미세누출지수를 보였다(p<0.05). 3. 실험 IV군에서 가장 낮은 미세누출지수를 보였으나 실험 III군과의 통계학적 차이는 없었다(p>0.05).

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