본 연구의 목적은 객관적으로 측정가능한 이용자 중심의 통합정보검색시스템의 인터페이스 평가영역과 세부평가지표를 설정하는 데 있다. 이를 위하여, 국내외 인터페이스 평가모델을 종합하여 인터페이스 평가영역 및 지표를 도출하고 전무가 집단의 설문조사를 통해 타당성과 신뢰성을 검증한 인터페이스 평가지표를 설정하였다. 따라서 본 연구에서는 통합정보검색시스템의 인터페이스의 평가영역을 페이지 디자인, 컨텐츠 디자인, 사이트 디자인, 정보검색 및 출력, 사용편리성, 미적 표현 그리고 일반 및 기타의 영역으로 구분하였다. 도출된 평가영역은 전문가를 대상으로 설문조사를 실시하여, 신뢰성과 타당성 분석을 실시하였다. 그 결과 인지적${\cdot}$감성적 측면의 평가 관점에서의 페이지 디자인, 컨텐츠 디자인, 사이트 디자인, 정보검색 및 출력, 사용편리성, 미적 표현 그리고 일반 및 기타의 7개 평가영역이 신뢰성이 있었으며, 객관적 측면의 평가 관점에서는 페이지 디자인, 컨텐츠 디자인, 사이트 디자인, 정보검색 및 출력, 사용편리성의 5개 평가영역이 신뢰성이 있는 것으로 분석되었다.
용융 흐름성이 다른 폴리프로필렌(Polypropylene, PP)을 에틸렌-프로필렌 고무(EPR) 또는 에틸렌-프로필렌-디엔 단량체 고무(EPDM) 및 카르복실산 그룹을 갖고 있는 에틸렌 공중합체와 이축 압출기로 용융 혼합한 후 사출성형으로 고분자 블렌드 시편을 제조하였다. 제조된 블렌드의 기계적 특성과 시편의 두께 방향에 따른 모폴로지 변화를 조사하였으며 적외선 분광법(ATR-IR)을 이용하여 표면에서의 카르복실산 그룹의 상대적 피크 크기를 비교하였다. 단면의 모폴로지 조사에서 중앙부에는 PP 연속상에 고무 도메인이 골고루 혼합되어 있지만 표면쪽은 PP가 층을 이루고 있는 경사구조가 관찰되었다. PP의 흐름성이 클수록 블렌드의 인장강도 및 충격강도가 작아졌으며 EPR보다 EPDM을 고무성분으로 사용한 PP계 블렌드가 PP의 흐름성에 대한 영향을 적게 받았다. 또한 PP의 흐름성이 클수록 카르복실산 그룹이 표면에 많이 존재하였다.
Polymer thin films of pentafluorostyrene (PFS) were prepared by RF plasma (13.56 MHz) polymerization in continuous wave (CW) mode, as a function of plasma power and monomer pressure. Conditions for film preparation were optimized by measuring the solvent resistance of plasma polymer thin films in DMAc, NMP, THF, acetone and chloroform, as well as by evaluating the optical clarity via UV-VIS measurements. Pulsed mode plasma polymerization was also utilized to enhance the optical properties of the films by varying the period of on-time and duty cycle. Finally, the films were subjected to refractive index measurements and analyzed by ${\alpha}$-step, TGA and FT-IR.
Silicon dioxide (SiO$_2$) is widely used as a gate dielectric material for thin film transistors (TFT) and semiconductor devices. In this paper, SiO$_2$ films were grown by APCVD(Atmospheric Pressure chemical vapor deposition) at the high temperature. Experimental investigations were carried out as a function of $O_2$ gas flow ratios from 0 to 200 1pm. This article presents the SiO$_2$ gate dielectric studies in terms of deposition rate, refrative index, FT-IR, C-V for the gate dielectric layer of thin film transistor applications. We also study defect passivation technique for improvement interface or surface properties in thin films. Our passivation technique is Forming Gas Annealing treatment. FGA acts passivation of interface and surface impurity or defects in SiO$_2$ film. We used RTP system for FGA and gained results that reduced surface fixed charge and trap density of midgap value.
PET 필름은 핸드폰이나 디스플레이 패널, 노트북 등과 같은 산업전반에 걸쳐 널리 사용 된다. 최근 PET 필름 표면에 부착되는 ITO 표면은 높은 연필 경도와 높은 굴절도 등을 필요로 하기에 본 연구에서는 터치패널용 소자에 쓰이는 PET 필름의 코팅소재로 사용하기 위한 코팅소재를 개발하기 위하여 폐 TNT로부터 추출한 플로로글루시놀(phloroglucinol)을 이용하여 아크릴과 에폭시 형태의 다관능성 모노머를 합성하였다. 다관능성 모노머는 $^1H$ NMR과 FT-IR을 이용하여 구조확인을 하였으며, 다관능성 모노머의 화학구조에 따른 광굴절도, 광투과도, 그리고 표면 경도를 평가하였다. 합성된 다관능성 모노머는 연필 경도 1~3 H의 높은 특성을 나타내었으며, 광굴절도는 1.54~1.57, 광투과도는 93% 이상을 나타내었다.
$Ta_2O_5$박막은 고유전율의 특성으로 차세대 DRAM캐패시터 물질로 유망받고 있는 물질이다. 본 연구에서는 p-type(100)Si 웨이퍼 위에 열 MOCVD 방법으로 $Ta_2O_5$박막을 성장시켰으며 기판온도, 버블러 온도, 반응압력의 조업조건이 미치는 영향을 고찰하엿다. 증착된 박막은 SEM, XRD, XPS, FT-IR, AES, TEM, AFM을 이용하여 분석하였으며 질소나 산소 분위기의 furnace 열처리 (FA)와 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 통하여 열처리 효과를 살펴보았다. 반응온도에 따른 증착속도는 300 ~ $400 ^{\circ}C$ 범위에서 18.46kcal/mol의 활성화 에너지를 가지는 표면반응 율속단계와 400 ~ $450^{\circ}C$ 범위에서 1.9kcal/mol의 활성화 에너지를 가지는 물질전단 율속단계로 구분되었다. 버블러 온도는 $140^{\circ}C$일때 최대의 증착속도를 보였다. 반응압력에 따른 증착속도는 3torr에서 최대의 증착속도를 보였으나 굴절율은 0.1-1torr사이에 $Ta_2O_5$의 bulk값과 비슷한 2.1정도의 양호한 값이 얻어졌다. $400^{\circ}C$에서 층덮힘은 85.71%로 매우 양호하게 나타났으며 몬테카를로법에 의한 전산모사 결과와의 비교에 의해서 부착계수는 0.06으로 나타났다. FT-IR, AES, TEM 분석결과에 의하여 Si와 $Ta_2O_5$ 박막 계면의 산화막 두께는 FA-$O_{2}$ > RTA-$O_{2}$ ~ FA-$N_{2}$ > RTA-$N_{2}$ 순으로 성장하였다. 하지만 질소분위기에서 열처리한 박막은 산소분위기의 열처리경우에 비해 박막내의 산소성분의 부족으로 인한 그레인 사이의 결함이 많이 관찰되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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