Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1993.02a
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pp.6-6
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1993
With brief instroduction of fabrication methods of dia.ond fillls by plasma CVD, recent progress in diamond research mainly done in the author's laboratory at Osaka University is reviewed.especially on the following topics: "low temperature diallond fabrication", "ion implantation", "hydrogen plasma treatment of ion-implanted diaaond to remove ion-induced damage", "Oxygen diffusion into the bulk assisted by the hydrogen treatllent", and "hole-burning effect".ffect".
In this study, it was tried to deposit diamond films from a mixture of CH4 and H2 by the microwave plasma chemical vapor deposition(MWCVD). The MWCVD process was designed and set up from the 2.45GHz microwave generator. And the diamond film was successfully deposited on silicon wafers from the mixture of methane and hydrogen. The microstructures of the deposited diamond films were studied by using the following deposition variables : (a) methane concentration(0.6-10%), (b) reaction pressure(10-100torr), and (c) the substrate temperature(450-76$0^{\circ}C$).
Defects formation of Chemical Vapor Deposition (CVD) diamond on $^4He^{2+}$ irradiation and after remote hydrogen plasma treatment(RHPT) were investigated by cathodoluminescence(CL). As calculated in the TRIM simulation, the light elements of $^4He^{2-}$ can be penetrated into the diamond bulk structure at 3~4 $\mu\textrm{m}$ depth. The effects of the implantation region were observed when 5 keV~20 keV electron energy (insight 0.3~4.0$\mu\textrm{m}$) of CL measurement was irradiated to diamond at temperature 80 K. After the RHPT, rehybridization of irradiation damaged diamond was studied. The intensity of 5RL center(intrinsic defect of C) was diminished. The 2.16 eV center (N-V center) occurring usually by annealing could not be seen after RHPT. The diamond was rehybridized by hydrogen radicals without etching and thermal degradation by the RHPT.
Diamondlike carbon thin film have been fabricated using methane as a reactive gas by plasma enhanced chemical vapor deposition. Effects of hydrogen gas on the optical properties of the thin film has been investigated. When the hydrogen was used as a secondary gas, the role of hydrogen changed with deposition power unlike inert gases such as Ar and He. From the changes of optical band gap and FT-IR analysis, it was predicted that the chemical etching, sputtering of C-H bond by hydrogen and the implantation of hydrogen into the thin film could occur. The validity of the possibilities was confirmed by examining the effect of secondary gases such as Ar and He.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.268-268
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2012
Atmospheric pressure microwave induced plasmas are used to excite and ionize chemical species for elemental analysis, for plasma reforming, and for plasma surface treatment. Microwave plasma differs significantly from other plasmas and has several interesting properties. For example, the electron density is higher in microwave plasma than in radio-frequency (RF) or direct current (DC) plasma. Several types of radical species with high density are generated under high electron density, so the reactivity of microwave plasma is expected to be very high [1]. Therefore, useful applications of atmospheric pressure microwave plasmas are expected. The surface characteristics of SUS304 stainless steel are investigated before and after surface modification by microwave plasma under atmospheric pressure conditions. The plasma device was operated by power sources with microwave frequency. We used a device based on a coaxial transmission line resonator (CTLR). The atmospheric pressure plasma jet (APPJ) in the case of microwave frequency (880 MHz) used Ar as plasma gas [2]. Typical microwave Pw was 3-10 W. To determine the optimal processing conditions, the surface treatment experiments were performed using various values of Pw (3-10 W), treatment time (5-120 s), and ratios of mixture gas (hydrogen peroxide). Torch-to-sample distance was fixed at the plasma edge point. Plasma treatment of a stainless steel plate significantly affected the wettability, contact angle (CA), and free energy (mJ/$m^2$) of the SUS304 surface. CA and ${\gamma}$ were analyzed. The optimal surface modification parameters to modify were a power of 10 W, a treatment time of 45 s, and a hydrogen peroxide content of 0.6 wt% [3]. Under these processing conditions, a CA of just $9.8^{\circ}$ was obtained. As CA decreased, wettability increased; i.e. the surface changed from hydrophobic to hydrophilic. From these results, 10 W power and 45 s treatment time are the best values to minimize CA and maximize ${\gamma}$.
A microwave plasma generating system has been designed to study the properties of plasma. A microwave(2.45GHz) generated by the magnetron is transmitted to the cylindrical cavity through the the rectangular wave guide to generate hydrogen plasma. The electron temperature and the plasma density are measured by the Double Langmuir probe. A dilectric such as alumina is heated by the microwave add plasma. The surface temperature varies with the neutral gas pressure.
Cho, I Hyun;Yoo, Hee Il;Kim, Ho Seok;Moon, Se Youn;Cho, Hyun Jin;Kim, Myung Jong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.179-179
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2016
A radio-frequency (RF) Inductively Coupled Plasma (ICP) torch system was used for boron-nitride nano-tube (BNNT) synthesis. Because of electrodeless plasma generation, no electrode pollution and effective heating transfer during nano-material synthesis can be realized. For stable plasma generation, argon and nitrogen gases were injected with 60 kW grid power in the difference pressure from 200 Torr to 630 Torr. Varying hydrogen gas flow rate from 0 to 20 slpm, the electrical and optical plasma properties were investigated. Through the spectroscopic analysis of atomic argon line, hydrogen line and nitrogen molecular band, we investigated the plasma electron excitation temperature, gas temperature and electron density. Based on the plasma characterization, we performed the synthesis of BNNT by inserting 0.5~1 um hexagonal-boron nitride (h-BN) powder into the plasma. We analysis the structure characterization of BNNT by SEM (Scanning Electron Microscopy) and TEM (Transmission Electron Microscopy), also grasp the ingredient of BNNT by EELS (Electron Energy Loss Spectroscopy) and Raman spectroscopy. We treated bundles of BNNT with the atmospheric pressure plasma, so that we grow the surface morphology in the water attachment of BNNT. We reduce the advancing contact angle to purity bundles of BNNT.
Plasma nitrocarburising and plasma post oxidation were performed to improve the wear and corrosion resistance of S45C and SCM440 steel by a plasma ion nitriding system. Plasma nitrocarburizing was conducted for 3h at $570^{\circ}C$ in the nitrogen, hydrogen and methane atmosphere to produce the ${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(N, C) phase. Plasma post oxidation was performed on the nitrocarburized samples with various oxygen/hydrogen ratio at constant temperature of $500^{\circ}C$ for 1 hour. The very thin magnetite ($Fe_3O_4$) layer $1-2{\mu}m$ in thickness on top of the $15{\sim}25{\mu}m$${\varepsilon}-Fe_{2-3}$(N, C) compound layer was obtained by plasma post oxidation. A salt spray test and electrochemical testing revealed that in the tested 5% NaCl solution, the corrosion characteristics of the nitrocarburized compound layer could be further improved by the application of the superficial magnetite layer. Throttle valve shafts were treated under optimum plasma processing conditions. Accelerated life time test results, using throttle body assembled with shaft treated by plasma nitrocarburising and post oxidation, showed that plasma nitrocarburizing and plasma post oxidation processes could be a viable technology in the very near future which can replace $Cr^{6+}$ plating.
Structure and optical properties of ZnO epilayers grown on oxygen- and hydrogen-plasma treated sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy (denoted as samples A and B, respectively) have been investigated by various techniques. The crystal quality and structural properties of the surface for the ZnO epilayers were investigated by high-resolution X-ray diffraction and atomic force microscope. For investigating the optical properties of excitonic transition of ZnO, we carried out photoluminescence experiments as a function of temperature. The free exciton, bound exciton emission and their phonon replicas were investigated as a function of temperature from 10 to 300 K, and the intensity of excitonic PL peak emission from the sample A is found to be higher than that of sample B. From the results, we found that sample A has better crystal structure quality and optical properties as compared to sample B. The number of oxygen vacancies may be decreased in sample A, resulting in an enhancement of the crystal quality and a higher intensity of excitonic emission band as compared to sample B.
The purpose of this paper was to investigate the reforming characteristics and optimum operating condition of the plasmatron assisted $CH_4$ reforming reaction for the hydrogen-rich gas production. Also, in order to increase the hydrogen production and the methane conversion rate, parametric screening studies were conducted, in which there were the variations of the $CH_4$ flow ratio, $CO_2$ flow ratio, vapor flow ratio, mixing flow ratio and catalyst addition in reactor. High temperature plasma flame was generated by air and arc discharge. The air flow rate and input electric power were fixed 5.1 l/min and 6.4 kW, respectively. When the $CH_4$ flow ratio was 38.5%, the production of hydrogen was maximized and optimal methane conversion rate was 99.2%. Under these optimal conditions, the following synthesis gas concentrations were determined: $H_2$, 45.4%; CO, 6.9%; $CO_2$, 1.5%; and $C_2H_2$, 1.1%. The $H_2/CO$ ratio was 6.6, hydrogen yield was 78.8% and energy conversion rate was 63.6%.
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