• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.210-210
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• 2010

ABO2 형태를 가진 delafossite 구조 산화물은 p-type 투명전도체 소재로 유명하다. Delafossite 구조가 p-type 투명전도체에 적합한 결정적인 이유는 밴드갭이 넓고 공유결합에 유리하기 때문이다. 투명전도체는 가시광선의 흡수가 없도록 band gap을 넓히는 것이 우선인데 이러한 band gap이 넓은 구조가 delafossite이다. 또한 delafossite 구조는 구조적으로 각각의 산화물 이온들이 유사 사면체 배위(pseudo-tetrahedral coordination)을 갖는다. 이러한 사면체 배위결합구조에서 산소이온은 비결합면이 없기 때문에 더욱더 공유결합성을 향상시킬 것으로 생각된다. 여기서 A는 +1가 cation, B은 +3가 cation으로 구성되어 있다. A자리에는 1가 원소인 팔라듐, 플래티늄, 은, 구리 등을 가질 수 있고. B자리에 3가 원소이면서도 크기가 알루미늄보다는 크고 란타늄보다는 작은 금속이 들어갈 수 있다. Delafossite 구조는 상온에서 2종류의 polytype (상온에서 Rhombohedaral 구조와 hexagonal 구조)이 존재하며 이들은 각각 3R(Rm) 및2H (P63/mmc)의 결정 구조를 가지고 있다. CuCrO2는 일반적으로 3R결정구조를 가지는 것으로 알려져 있다. delafossite 구조는 전기적 이방성을 띄고 있는데 c-축 방향으로의 전기적 특성이 a-축 방향으로의 전기적 특성보다 약 1000배 높은 물성을 띈다고 한다. 이는 c-축 방향의 원자 위치 때문인데 CuCrO2의 경우 Cu-O-Cr-O-Cu로서 3d-2p-3d-2p-3d 궤도를 가지기 때문인 것으로 알려져 있다.[ref] 반면 c-축으로 에피성장된 박막의 경우 +3가 이온이 위치한 layer에서 hole hopping에 의해 캐리어가 전도된다고 알려져 있기도 하다. 본 연구에서는 PLD를 이용하여 c-plane 사파이어 기판위에 성장된 delafossite구조인 CuCrO2박막의 특성을 알아보았다. p-type 특성을 위하여 CuCrO2에 Ni를 첨가하였으며 그에 따른 구조적 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도와 도핑농도를 변화시켜 특성을 연구하였다. 결정구조적 특성과 전기적 특성을 분석하려 한다.

• Proceedings of the Korean Association for Survey Research Conference
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• 2005.12a
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• pp.91-113
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• 2005

본 연구는 청년들의 취업 및 실업 경험이 정신건강에 어떠한 영향을 미치는지 종단적으로 알아보는 데 목적이 있다. 구체적으로 대학을 졸업하고 난 이후에 지속적으로 미취업 상태로 남아있는 사람들의 정신건강의 문제 그리고 취업에 성공하는 경험이 정신건강에 미치는 영향을 미치는지 알아보고자 한다. 이를 위해서 국내 대학교 4학년생들을 대상으로 1차 조사를 실시하고 이후 약 6개월 간격으로 2차 조사, 3차 및 4차 조사를 실시하였다. 네 시점에서 모두 응답자들의 취업여부와 정신건강 수준을 측정하였다. 4차 조사까지 모두 응답한 560명 중에서 2차, 3차, 및 4차 시점의 취업여부에 의해서 집단을 다음과 같이 나누었다: 2차, 3차 및 4차 시점 순서대로, 모두 취업 상태인 집단('취업-취업-취업 집단'), 3차 시점에서 취업에 성공한 집단('미취업-취업-취업 집단'), 4차 집단에서 취업에 성공한 집단('미취업-미취업-취업집단') 그리고 모두 미취업 상태인 집단('미취업-미취업-미취업 집단'). 그 결과를 보면, 취업-취업-취업 집단의 경우에는 취업에 성공한 2차 시점에서 정신건강 수준이 상당히 좋아졌다가 3차 및 4차 시점에서 다시 본래 수준으로 돌아가는 경향을 보였다. 미취업-취업-취업 집단의 경우에는 취업에 성공한 3차 시점 이후로, 미취업-미취업-취업 집단의 경우에는 취업에 성공한 4차 시점에서 정신건강 수준이 좋아지는 경향을 보였다. 지속적으로 미취업 상태였던 집단에서는 3차 시점에서 정신건강 수준이 상당히 나빠졌다가 여전히 미취업 상태인 4차 시점에서 오히려 완화되는 경향을 보였다. 본 연구의 시사점과 제한점 및 장래 연구의 과제가 논의되었다.iments and numerical analysis of luminescence efficiency in the hole carrier transport layer's thicknes. 나아갈 것이며, 아울러 향후에도 아직 미흡한 분야인 IT 아웃소싱에서 적정수준의 대가지급 방안 및 바람직한 Relationship 에 영향을 미치는 여러 가지 요인에 대해서도 살펴 봄으로써 IT분야의 Outsourcing을 검토하거나, 추진할 때 도움이 될 수 있도록 하고자 한다.개의 총 297개의 데이터를 추출하여 사용하였다. 실험과는 좌측공격 91.7%, 우측공격 100%, 중앙공격 87.5%, 코너킥 97.4%, 프리킥 75%로서 매우 양호한 인식율을 보였다. 사용경험정도가 가입직후 해지에만 영향을 미치는 요인임을 보여준다. 또한 매체의 정보전달 풍부성 (media richness)이 상대적으로 높은 소매점이나 웹사이트를 통해 서비스에 가입한 소비자일수록 가입 직후뿐만 아니라 서비스사용 이후에도 낮은 해지성향을 나타냈다. 이러한 분석결과를 바탕으로 인터넷전화 서비스에 적합한 고객지원 프로그램 설계와 마케팅 매체선정과 관련한 전략적 시사점을 도출한다. 그리고 국내에서 최근 이슈가 되고 있는 차세대 무선인터넷 서비스인 와이브로 출시에 따른 마케팅 및 고객관리와 관련된 시사점을 논의한다.는 교합면에서 2, 3, 4군이 1군에 비해 변연적합도가 높았으며 (p < 0.05), 인접면과 치은면에서는 군간 유의차를 보이지 않았다 이번 연구를 통하여 복합레진을 간헐적 광중합시킴으로써 변연적합도가 향상될 수 있음을 알 수 있었다.시장에 비해 주가가 비교적 안정적인 수준을 유지해 왔다고 볼

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.463-463
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• 2014

Dye-sensitized solar cells (DSSCs) have generated a strong interest in the development of solid-state devices owing to their low cost and simple preparation procedures. Effort has been devoted to the study of electrolytes that allow light-to-electrical power conversion for DSSC applications. Several attempts have been made to substitute the liquid electrolyte in the original solar cells by using (2,2',7,7'-tetrakis (N,N-di-p-methoxyphenylamine)-9-9'-spirobi-fluorene (spiro-OMeTAD) that act as hole conductor [1]. Although efficiencies above 3% have been reached by several groups, here the major challenging is limited photoelectrode thickness ($2{\mu}m$), which is very low due to electron diffusion length (Ln) for spiro-OMeTAD ($4.4{\mu}m$) [2]. In principle, the $TiO_2$ layer can be thicker than had been thought previously. This has important implications for the design of high-efficiency solid-state DSSCs. In the present study, we have fabricated 3-D Transparent Conducting Oxide (TCO) by growing tin-doped indium oxide (ITO) nanowire (NWs) arrays via a vapor transport method [3] and mesoporous $TiO_2$ nanoparticle (NP)-based photoelectrodes were prepared using doctor blade method. Finally optimized light-harvesting solid-state DSSCs is made using 3-D TCO where electron life time is controlled the recombination rate through fast charge collection and also ITO NWs length can be controlled in the range of over $2{\mu}m$ and has been characterized using field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). Structural analyses by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and X-Ray diffraction (XRD) results reveal that the ITO NWs formed single crystal oriented [100] direction. Also to compare the charge collection properties of conventional NPs based solid-state DSSCs with ITO NWs based solid-state DSSCs, we have studied intensity modulated photovoltage spectroscopy (IMVS), intensity modulated photocurrent spectroscopy (IMPS) and transient open circuit voltages. As a result, above $4{\mu}m$ thick ITO NWs based photoelectrodes with Z907 dye shown the best performing device, exhibiting a short-circuit current density of 7.21 mA cm-2 under simulated solar emission of 100 mW cm-2 associated with an overall power conversion efficiency of 2.80 %. Finally, we achieved the efficiency of 7.5% by applying a CH3NH3PbI3 perovskite sensitizer.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.13 no.4
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• pp.51-56
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• 2006

Polymer light emitting diodes (PLEDs) with ITO/EDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al structures were prepared by the spin coating method on ITO(indium tin oxide)/glass substrates. PFO-poss[Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with poss] was used as light emitting polymer. PVK[poly(N-vinyl carbazole)] and PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)] polymers were used as the hole injection and transport materials. The effect of PFO-poss concentration and the heating temperatures on the electrical and optical properties of the devices were investigated. At the same concentration of PFO-poss solution, the current density and luminance of PLED device tend to increase as the annealing temperature increase from $100^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$. The maximum luminance was found to be about 958 cd/m2 at 13V for the PLED device with 1.0 wt% PFO-poss at the annealing temperature of $200^{\circ}C$. In addition, the PLED device showed bluish white emission through the strong greenish peak with 523 nm in wavelength. As the concentration of PFO-poss increase from 0.5 wt% to 1.0 wt% and temperature of PLEDs increase from $100^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$, the emission color tend to be shifted from blue with (x, y) = (0.17,0.14) to bluish white with (x, y) : (0.29,0.41) in CIE color coordinate.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
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• v.39 no.3
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• pp.93-97
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• 2006

Polymer light emitting diodes (PLEDs) are expected to be commercialized as next generation displays by advantages of the fast response time, low driving voltage and easy manufacturing process for large sized flexible display. Generally, the electrical and optical properties of PLEDs are affected by the surface conditions of transparent electrode. The PLED devices with ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al structures were prepared by using the spin coating method. For this, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)) Al 4083 and PVK(N-vinylcabozole) were used as hole injection and transport layers. The PFO-poss(poly(9,9-dioctylfluorene)) was used as the emitting layer. The dependence of $O_2$ plasma treatment of ITO electrode on the electrical and optical properties of PLEDs were investigated. The sheet resistances increased slightly with an improved surface roughness of ITO electrode as the RF power increased during $O_2$ plasma treatment. The PLED devices prepared on the ITO/Glass substrates, which were plasma-treated at 40 watt in RF power for 30 seconds under 40 mtorr $O_2$ pressure, showed the maximum external emission efficiency of 0.86 lm/W and the maximum luminance of $250\;cd/m^2$, respectively. The CIE color coordinates are ranged $X\;=\;0.13{\sim}0.18$ and $Y\;=\;0.10{\sim}0.16$, showing blue color. emission.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.17 no.4
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• pp.166-171
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• 2007

We report the magneto-transport properties of an individual single crystalline Bi nanowire grown by a spontaneous growth method. We have successfully fabricated a four-terminal device based on an individual 400-nm-diameter nanowire using plasma etching technique to remove an oxide layer forming on the outer surface of the nanowire. The transverse MR (2496% at 110 K) and longitudinal MR ratios (38% at 2 K) for the Bi nanowire were found to be the largest known values in Bi nanowires. This result demonstrates that the Bi nanowires grown by the spontaneous growth method are the highest-quality single crystalline in the literatures ever reported. We find that temperature dependence of Fermi energy ($E_F$) and band overlap (${\triangle}_0$) leads to the imbalance between electron concentration ($n_e$) and hole concentration ($n_h$) in the Bi nanowire, which is good agreement with the calculated $n_e\;and\;n_h$ from the respective density of states, N(E), for electrons and holes. We also find that the imbalance of $n_e\;and\;n_h$ plays a crucial role in determining magnetoresistance (MR) at T<75 K for $R_T$ and at T<205 K for $R_L$, while mean-free path is responsible for MR at T>75 K for $R_T$ and T>205 K for $R_L$.