In this paper, a novel embedded ultra wideband (UWB) band-pass filter is presented on a FR-4 package substrate including high Dk resin coated copper (${\varepsilon}_r=30$) film. The proposed UWB filter is comprised of a parallel resonator with meander-type uniform impedance resonator (UIR) and two series resonators with high Q circular stacked spiral inductor and metal-insulator-metal (MIM) capacitor. In order to obtain excellent attenuation characteristics by generating attenuation poles in lower and upper stop bands, a single MIM capacitor is added to each resonator. The fabricated FR-4 embedded UWB filter has insertion loss of -1.0dB and return loss of -11dB, respectively. It has also extremely wide bandwidth (over 50%) and small size ($3.7{\times}4{\times}0.77\;mm^3$) which is compatible with LTCC devices.
In this paper, The laser transmitter module is designed as the subsystem of the high repetitive laser rangefinder. The module consists of high voltage power supply, high voltage control circuits, high voltage discharger, electro-optic Q-switch driver, and laser resonator. The high voltage power supply is composed of 2-phase flyback converter. And it has 220W power level and 78% conversion efficiency. From the Q-switch driver of the crossed porro resonator, the phase retardation voltage is switched from 600V to -1500V with 200ns falling time. The module can be operated up to 15Hz. And it generates the laser pulse which has 20ns width and 80mJ.
We investigated a double ring resonator(DRR)device to improve the resonating Q value of a superconductor resonator. To make a DRR device, we made a large area YBCO film on a MgO substrate by pulsed laser deposition(PLD). Thetransition temperature was 88 K and the film was uniformly deposited. We also deposited 500$\AA$SrTiO$_{3}$on the YBCO thin film to protect the superconducting properties from degradation. The loaded Q value was measured as 50000 from simulation and as 2000 from experiment near 10GHz at 77K.
본 논문에서는 역 E-급 증폭기 출력 회로의 병렬 공진기를 주파수에 대해 가변되도록 회로를 구성하여 넓은 주파수 범위에서 높은 전력부가효율과 출력전력을 유지하는 방법을 제안하였다. 여기서 사용된 병렬 공진기는 동작 주파수에 따라서 Q 값은 동일하고, 가변 특성을 얻기 위해서 바렉터 다이오드를 사용하여 인덕터와 캐패시터를 만들었으며, 전류 영점 교차를 위한 인덕턴스 성분은 집중소자로 또, 위상 보상을 위한 캐패시턴스는 분포소자로 구현하였다. 역 E-급 증폭기의 주파수 가변 특성을 통해서 효율과 출력 전력을 확인한 실험 결과는 65-120MHz의 주파수 범위에서 증폭기는 최대 75%의 전력부가효율과 25dBm의 출력전력을 얻었다.
도파관형 건 발진기의 발진주파수 범위와 주파수 안정도는 공진기 치수에 따른 임피던스에 민감하다. 그러므로 HFSS (High Frequency Structure Simulator)을 이용하여 공진기의 치수에 따른 임베딩 임피던스 (embedding impedance)를 계산하였다. 본 논문에서는 주파수 함수를 갖는 Q-band (33 ∼ 50 GHz) 건 발진기의 임베딩 임피던스의 이론적인 결과와 실제 제작한 발진기의 실험측정 결과를 비교하여 이론적 해석의 타당성을 검증하였다. 그리고 본 논문에서 제시한 방법에 의한 이론적 해석만으로 발진주파수 범위를 예상할 수 있음을 확인하였다
Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) using thin piezoelectric films can be made as monolithic integrated devices with compatibility to semiconductor process, leading to small size, low cost and high Q RF circuit elements with wide applications in communications area. This paper presents an MMIC compatible suspended FBAR using SOI micromachining. It is possible to make a single crystal silicon membrane using a SOI wafer In fabricating active devices, SOI wafer offers advantage which removes the substrate loss. FBAR was made on the 12㎛ silicon membrane. Electrode and Piezoelectric materials were deposited by RF magnetron sputter. The maximum resonance frequency of FBAR was shown at 2.5GHz range. The reflection loss, K$^2$$\_$eff/, Q$\_$serise/ and Q$\_$parallel/ in that frequency were 1.5dB, 2.29%, 220 and 160, respectively.
본 논문에서는 기존 코플래나 웨이브가이드(CPW), 유한접지(FG) CPW, 그리고 접지(G) CPW와 같은 세 종류의 균일단면 구조의 CPW와 $TE_{01{\delta}}$ 모드 유전체공진기(DR : Dielectric Resonator)간의 결합 특성을 연구하고 마이크로스트립과 DR과의 결합과 같은 병렬 공진 특성을 보이는 CPW 와 DR간의 결합회로의 설계 방법을 제안한다. 결합 특성은 DR을 CPW의 접지와 신호선사이의 두 간격 중의 하나의 중심 상에 유전체 지지대(Support)를 이용하여 위치시키고 접지 방향으로 이동하면서 연구되었다. HFSS(High Frequency Structure Simulator : Finite Element Method Commercial Tool)의 시뮬레이션과 측정된 S-파라미터 값은 잘 일치했다. 마지막으로, 위에서 언급한 세 종류의 CPW와 DR과의 결합과 마이크로스트립라인과 DR과의 결합을 무부하 품질계수인 $Q_u$를 이용하여 비교하였다. 비교결과 CPW와 DR과의 결합은 마이크로스트립라인과 DR과의 결합보다 높은 $Q_u$ 값을 나타냈고 그 중에서 GCPW와 DR과의 결합이 가장 높은 $Q_u$를 보여줬다.
Film Bulk Acoustic wave Resonator (FBAR) using thin piezoelectric films can be fabricated as monolithic integrated devices with compatibility to semiconductor process, leading to small size, low cost and high Q RF circuit elements with wide applications in communications area. This paper presents a MMIC compatible Suspended FBAR using surface micromachining. It is possible to make Si$_3$N$_4$/SiO$_2$/Si$_3$N$_4$membrane by using surface micromachining and its good effect is to remove the substrate silicon loss. FBAR was made on 2$\mu\textrm{m}$ multi-layered membrane using CVD process. According to our result, Fabricated film bulk acoustic wave resonator has two adventages. First, in the respect of device Process, our Process of the resonator using surface micromachining is very simple better than that of resonator using bull micromachining. Second, because of using the multiple layer, thermal expansion coefficient is compensated, so, the stress of thin film is reduced.
This paper describes the design of band-pass filter using the dielectric resonator and microstrip line depends mainly upon the magnetic field and is principal parameter as band-pass filter. Because dielectric resonator band~pass filter has a very high-Q, the bandwidth of this filter is very narrow. as a result of experiment, the dielectric resonator bandwidth of this filter is very narrow. As a result of experiment, the dielectric resonator band-pase filter has various modes central frequencies due to the mode change and good characteristric as a band-pass filter.
A novel TEM resonator coil was developed for the imaging of small animals. The functional elements of the TEM resonator were 8 inner conductors, distributed in a cylindrical pattern and connected at the ends with capacitors to the cylindrical outer shield. The TEM resonator coil with cavity elements was robust to the surrounding influences due to the self-shielding structure. The TEM resonator coil with high Q factor could provide high quality MR images at 3.0T MRI system. Also, the TEM resonator coil has an advantage for a fine tune with length adjustment of each cavity elements. Thus, The TEM resonator coil at 3.0T, even higher field could be used in the research studies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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