• 한국안광학회지
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• 제8권2호
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• pp.25-29
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• 2003

자외선과 전자파를 동시에 차단하는 선글라스렌즈를 제작하기 위하여 유리가판 위에 자성재료인 페라이트에 Ni를 여러 가지 조성비로 첨가한 니켈페라이트 박막 $Ni_xFe_{3-x}O_4$을 페라이트 도금법으로 제작하였다. 이들은 모두 스피넬 구조의 단일상임을 확인할 수 있었으며 육안으로 관찰할 때 거울면과 같은 광택을 가졌으며, 손톱으로 긁었을 때 흠집이 생기지 않는 강도를 보였다. 니켈페라이트는 400nm 부근에서부터 급격히 투과율이 떨어져 자외선을 차단하는데 효과적인 양상을 보이고 있으며 그 중에서 x = 0.09의 Ni 조성비가 자외선 차단효과가 가장 좋은 깃으로 나타났다. 이는 타사제품과 비교하여 자외선 차단효과는 크게 떨어지지 않으므로, 전자파 차단효과가 있는 $Ni_xFe_{3-x}O_4$ 페라이트를 코팅한 선글라스를 착용함으로서 유해전자파와 자외선을 동시에 차단하는 효과를 얻을 수 있을 것이다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제18권7호
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• pp.58-62
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• 2017

본 연구에서는 자연광의 효과를 가장 잘 활용할 수 있는 건축구조물인 한국형 유리온실 구조를 축약시킨 유리온실을 기준하여 유리온실의 설계 전 건축방법에 따른 자연광의 효과적인 예측을 위해 조명시뮬레이션을 하고자 한다. 최적 시뮬레이션을 위해 상용화된 여러 가지 조명 소프트웨어들 중에서 AGI32 프로그램을 이용하였다. 그 결과, 유리온실의 삼각구조지붕 꼭지점 위치에 대한 조도 및 균제도(최소조도/평균조도) 분석 결과 자연광 효과에 중요한 인자가 아니며, 하지 일때 자연광의 조도값이 가장 크며 시간도 가장 긴 것을 알 수 있었다. 또한, 유리창의 투과율이 높아짐에 따라 예측되었던 바와 같이 조도 값이 증가하는 것을 확인할 수 있으며 14시일 때가 조도 값이 가장 높으며 이때의 유리 투과율에 따른 조도 변화율은 89 [lux/%]임을 알았다. 또한, 유리온실의 설치 시 배향각은 균제도 특성을 고려하여, 유리온실의 설치 배향각은 $30[^{\circ}]$ 혹은 $150[^{\circ}]$로 하는 것이 자연광 효과를 최대로 할 수 있음을 알았다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.68-71
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• 2006

Multi-component $ZnO-In_2O_3-SnO_2$ thin films have been prepared by RF magnetron co-sputtering using targets composed of $In_3Sn_4O_{12}$(99.99%) [1] and ZnO(99.99%) at room temperature. $In_3Sn_4O_{12}$ contains less In than commercial ITO, so that it lowers cost. Working pressure was held at 3 mtorr flowing Ar gas 20 sccm and sputtering time was 30 min. RF power ratio [RF1 / (RFI + RF2)] of two guns in sputtering system was varied from 0 to 1. Each RF power was varied $0{\sim}100W$ respectively. The thickness of the films was $350{\sim}650nm$. The composit ion concentrations of the each film were measured with EPMA, AES and XPS. The low resistivity of $1-2\;{\times}\;10^3$ and an average transmittance above 80% in the visible range were attained for the films over a range of ${\delta}\;(0.3\;{\leq}\;{\delta}\;{\leq}\;0.5)$. The films also showed a high chemical stability with time and a good uniformity.

• 한국재료학회지
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• 제21권4호
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• pp.202-206
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• 2011

We have investigated the structural and electrical properties of Ga-doped ZnO (GZO) thin films deposited by an RF magnetron sputtering at various RF powers from 50 to 90W. All the GZO thin films are grown as a hexagonal wurtzite phase with highly c-axis preferred parameters. The structural and electrical properties are strongly related to the RF power. The grain size increases as the RF power increases since the columnar growth of GZO thin film is enhanced at an elevated RF power. This result means that the crystallinity of GZO is improved as the RF power increases. The resistivity of GZO rapidly decreases as the RF power increases up to 70 W and saturates to 90W. In contrast, the electron concentration of GZO increases as the RF power increases up to 70 W and saturates to 90W. GZO thin film shows the lowest resistivity of $2.2{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and the highest electron concentration of $1.7{\times}10^{21}cm^{-3}$ at 90W. The mobility of GZO increases as the RF power increases since the grain boundary scattering decreases due to the reduced density of the grain boundary at a high RF power. The transmittance of GZO thin films in the visible range is above 90%. GZO is a feasible transparent electrode for application as a transparent electrode for thin film solar cells.

• 한국재료학회지
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• 제23권8호
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• pp.469-475
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• 2013

Al-doped ZnO(AZO) thin films were synthesized using atomid layer deposition(ALD), which acurately controlled the uniform film thickness of the AZO thin films. To investigate the electrical and optical properites of the AZO thin films, AZO films using ALD was controlled to be three different thicknesses (50 nm, 100 nm, and 150 nm). The structural, chemical, electrical, and optical properties of the AZO thin films were analyzed by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, field-emssion scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Hall measurement system, and UV-Vis spectrophotometry. As the thickness of the AZO thin films increased, the crystallinity of the AZO thin films gradually increased, and the surface morphology of the AZO thin films were transformed from a porous structure to a dense structure. The average surface roughnesses of the samples using atomic force microscopy were ~3.01 nm, ~2.89 nm, and ~2.44 nm, respectively. As the thickness of the AZO filmsincreased, the surface roughness decreased gradually. These results affect the electrical and optical properties of AZO thin films. Therefore, the thickest AZO thin films with 150 nm exhibited excellent resistivity (${\sim}7.00{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$), high transmittance (~83.2 %), and the best FOM ($5.71{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$). AZO thin films fabricated using ALD may be used as a promising cadidate of TCO materials for optoelectronic applications.

• 한국결정성장학회지
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• 제2권1호
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• pp.20-29
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• 1992

전영역에 결쳐서 고용영역이 존재하는 $BaTiO_3-NaNbO_3$계에서, congruent melting composition인 $30BaTiO_3{cdot}70NaNbO_3$조성의 고용체 단결정을 Czochralski법에 의하여 육성하였다. 직경 15-50mm, 길이 20-30mm인 단결정이 결정인상속도 2.0mm/h, 결정회전수 5.0-1-rpm에서 육성되었다. 그러나 결정 육성중 육성되는 결정의 열전도도가 낮기 때문에, 발생하는 잠열(latent heat)의 방출이 충분치 않아 고-액계면이 평탄하게 유지되지 않았고 그결과로 육성된 결정중에는 corestructures가 관찰되었다. 육성된 결정에서 core 부분을 제외한 다른 부분은 inclusion등이 없는, 광학적으로 균질한 단결정이었고 가시광 영역에서 양호한 광투과율을 보였다.

• 대한화학회지
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• 제54권3호
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• pp.317-322
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• 2010

본 연구는 4-fluorostyrene을 교차결합제인 EGDMA (ethylene glycol dimethacrylate)와 HEMA (2-hydroxyethyl methacrylate) 그리고 개시제인 AIBN (azobisisobutyronitrile)과 함께 공중합 하였다. 생성된 고분자의 물리적 특성을 측정한 결과, 함수율 19.98 ~ 31.08%, 굴절률 1.443 ~ 1.475, 가시광선 투과율 87 ~ 93%, 인장강도 0.246 ~ 0.311 kgf 그리고 접촉각의 경우 54.14 ~ $66.95^{\circ}$ 범위의 분포를 나타내었다. 4-Fluorostyrene 첨가한 콘택트렌즈 재료의 경우, 기본적인 콘택트렌즈의 물성을 만족하였고, styrene 비교하여 함수율의 큰 변화를 나타내지 않으면서도 습윤성과 굴절률을 증가시키는 결과를 나타내었다. 본 실험결과로 볼 때 생성된 공중합체는 고 굴절률과 습윤성을 지닌 콘택트렌즈 재료로 사용될 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.620-621
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• 2008

Transparent electronics has been one of the key terminologies forecasting the ubiquitous technology era. Several researchers have thus extensively developed transparent oxide-based thin-film transistors (TFTs) on glass and plastic substrates although in general high voltage operating devices have been mainly studied considering transparent display drivers. However, low voltage operating oxide TFTs with transparent electrodes are very necessary if we are aiming at logic circuit applications, for which transparent complementary or one-type channel inverters are required. The most effective and low power consuming inverter should be a form of complementary p-channel and n-channel transistors but real application of those complementary TFT inverters also requires electrical- and even photo-stabilities. Since p-type oxide TFTs have not been developed yet, we previously adopted organic pentacene TFTs for the p-channel while ZnO TFTs were chosen for n-channel on sputter-deposited $AlO_x$ film. As a result, decent inverting behavior was achieved but some electrical gate instability was unavoidable at the ZnO/$AlO_x$ channel interface. Here, considering such gate instability issues we have designed a unique transparent complementary TFT (CTFTs) inverter structure with top n-ZnO channel and bottom p-pentacene channel based on 12 nm-thin nano-oxide/self assembled monolayer laminated dielectric, which has a large dielectric strength comparable to that of thin film amorphous $Al_2O_3$. Our transparent CTFT inverter well operate under 3 V, demonstrating a maximum voltage gain of ~20, good electrical and even photoelectric stabilities. The device transmittance was over 60 % and this type of transparent inverter has never been reported, to the best of our limited knowledge.

• 한국세라믹학회지
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• 제51권1호
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• pp.43-50
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• 2014

We fabricated undoped and Sb-doped $SnO_2$ thin films on glass substrates by a pulsed laser deposition (PLD) process. Undoped and 2 - 8 wt% $Sb_2O_3$-doped $SnO_2$ targets with a high density level of ~90% were prepared by the spark plasma sintering (SPS) process. Initially, the effects of the deposition temperature on undoped $SnO_2$ thin films were investigated in the region of $100-600^{\circ}C$. While the undoped $SnO_2$ film exhibited the lowest resistivity of $1.20{\times}10^{-2}{\Omega}{\cdot}cm$ at $200^{\circ}C$ due to the highest carrier concentration generated by the oxygen vacancies, 2 wt% Sb-doped $SnO_2$ film exhibited the lowest resistivity value of $5.43{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, the highest average transmittance of 85.8%, and the highest figure of merit of 1202 ${\Omega}^{-1}{\cdot}cm^{-1}$ at $400^{\circ}C$ among all of the doped films. These results imply that 2 wt% $Sb_2O_3$ is an optimum doping content close to the solubility limit of $Sb^{5+}$ substitution for the $Sb^{4+}$ sites of $SnO_2$.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.191-196
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• 2010

본 연구에서는 타겟 제작에 드는 비용을 줄이고, 타겟 이용의 효율성을 높이기 위해 기존의 소결된 세라믹 타겟 대신 분말 타겟으로 사용하여 알루미늄 도핑된 산화아연(Aluminum doped zinc oxde; AZO)박막을 마그네트론 스퍼터법에 의해 제조하고, 스퍼터 압력에 따른 박막 물성을 조사하였다. 유리 기판에 증착된 AZO 박막은 타깃 종류 및 스퍼터 압력에 관계없이 기판에 수직한 c-축 방향으로 우선 성장방위를 갖는 hexagonal 구조로 성장되었다. 스퍼터 압력이 증가함에 따라 이 면 방향으로의 결정성장이 촉진되었다. AZO 박막의 전기적, 광학적 특성은 스퍼터 압력 증가에 따라 향상되었으며, 15 mTorr에서 $6.5{\times}10^{-1}\;{\Omega}-cm$의 최소의 비저항 값을 나타내었다.