Deoxynivalenol producing isolates of Fusarium Graminearum R 6576 was grown on rice for 25 days at 19,25 and $28^{\circ}C$. Maximum production of deoxynivalenol(DON) by Fusarium graminearum R 6575 occurred at $28^{\circ}C$ and 20 days. Maximum concentration of 940 ppm DON were obtained after 20 days at an initial moisture content of 40%. A DON derivative, 15-acetyl-DON (15-ADON), was also found at concentrations of 150~300ppm after 5~10 days. Crude culture extracts were purified by water-saturated silica gel column chromatography which selectivity extracted DON when methylene chloride was as the mobile phase. Purity of crystallized DON was verified by thin layer and high performance liquid chromatography. Also this method was advantage method or production of DON and require little organic sorbent than the other methods.
본 실험은 알팔파의 Allelopathy와 Autotoxicity에 관련되는 생리활성 물질의 분리, 정제, 동정하기 위하여 실시되었다. 알팔파 생잎 1kg을 80% MeOH로 추출하여 silica gel TLC와 DCCC의 분리와 정제과정을 거쳐 HPLC로 동정하였다. HLPC 분석결과 4개의 phenolic 물질(salicylic acid, rutin, quercetin, scopoletin) 등이 동정되었다. 이들 물질을 이용한 발아실험에서도 모두 알팔파의 발아와 생육에 억제적으로 작용하였으며, 이 중 quercetin의 처리가 가장 억제적이었다. 따라서 최소한 이들 물질이 알팔파의 Allelopathy와 Autotoxicity에 관련하는 것으로 생각되었다.
A simple and efficient method has been developed for Knoevenagel condensation between aldehydes or ketones and active methylene group by stirring in methylene chloride at 60 ${^{\circ}C}$ under heterogeneous conditions using silica supported ammonium acetate. The products are obtained in excellent yields and are in a state of high purity. The structures of the products were confirmed by IR, $^1H$ NMR and mass spectral data and comparison with authentic samples available commercially.
Silicon carbide (SiC) has recently drawn an enormous industrial interest because of its useful mechanical properties such as thermal resistance, abrasion resistance and thermal conductivity at high temperature. RF Thermal plasma (PL-35 Induction Plasma, Tekna CO., Canada) has been utilized for synthesis of high purity SiC powder from cheap inorganic solution (Tetraethyl Orthosilicate, TEOS). It is found that the powders by thermal plasma consist of SiC with free carbon and amorphous silica ($SiO_2$) and, by thermal treatment and HF treatment, the impurities are driven off resulting high purity SiC nano-powder. The synthesized SiC powder lies below 30 nm and its properties such microstructure, phase composition, specific surface area and free carbon content have been characterized by X-ay diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), thermogravimetric (TG) and Brunauer-Emmett-Teller (BET).
Silicon carbide (SiC) has recently drawn an enormous amount of industrial interest due to its useful mechanical properties, such as its thermal resistance, abrasion resistance and thermal conductivity at high temperatures. In this study, RF thermal plasma (PL-35 Induction Plasma, Tekna CO., Canada) was utilized for the synthesis of high-purity SiC powder from an organic precursor (hexamethyldisilazane, vinyltrimethoxysilane). It was found that the SiC powders obtained by the RF thermal plasma treatment included free carbon and amorphous silica ($SiO_2$). The SiC powders were further purified by a thermal treatment and a HF treatment, resulting in high-purity SiC nano-powder. The particle diameter of the synthesized SiC powder was less than 30 nm. Detailed properties of the microstructure, phase composition, and free carbon content were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), a thermogravimetric (TG) analysis, according to the and Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area from N2 isotherms at 77 K.
본 연구는 fine ceramics의 합성법을 traditional ceramics의 합성에 적용하는 연구의 일환으로 내화재료용 mullite합성법을 개발하고자 한다. 출발원료로는 알루미나 함량이 높은 하동 kaolin 과 boehmite를 사용하였으며 합성법은 gel coating법을 사용하였다. 그 결과 1350℃에서 미반응 silica와 corundum이 존재하지 않는 단일상의 mullite를 합성할 수 있었으며 1700℃로 소성한 분말의 경우 mullite 생성율은 80%로 나타났다. 이 때 부피비중은 2.56, 흡수율은 1.9%, 상온꺽임강도는 169 MPa의 값을 나타내어 우수한 내화재료로의 활용이 가능하다고 생각된다.
In a modern high speed drawing process of optical fibers, it is necessary to use helium as a cooling gas in a glass fiber cooling unit in order to sufficiently cool down the fast moving glass fiber freshly drawn from the heated silica preform in the furnace. Since the air is entrained unavoidably when the glass fiber passes through the cooling unit, the helium is needed to be injected constantly into the cooling unit. The present numerical study investigates and analyzes the air entrainment using an axisymmetric geometry of glass fiber cooling unit. The effects of helium injection rate and direction on the air entrainment rate are discussed in terms of helium purity of cooling gas inside the cooling unit. For a given rate of helium injection, it is found that there exists a certain drawing speed that results in sudden increase in the air entrainment rate, which leads to the decreasing helium purity and therefore the cooling performance of the glass fiber cooling unit. Also, the helium injection in aiding direction is found to be more advantageous than the injection in opposing direction.
실리카는 다양한 산업용 소재로 이용되고 있으며, 특히 불순물의 함량이 적은 고품위 실리카는 전자소재인 LCD 및 OLED 등의 원재료로 큰 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 물리적 정제방법인 자력선별 방식에 의한 실리카의 고순도화 연구를 위해 세 가지 형태의 자력 선별기를 고려하여 $SiO_2$와 $Fe_2O_3$를 대상으로 전산모사를 실시하였다. 전산모사 결과, $Fe_2O_3$ 입자를 끌어당길 수 있는 유효면적이 자력선별의 매우 중요한 변수로 작용함을 확인하였으며, $SiO_2$ 입자의 손실율 및 $Fe_2O_3$ 입자의 제거율은 입자의 크기와 유속에 매우 큰 영향을 받음을 알 수 있었다. 본 연구에서는 입자크기 $10{\mu}m$, 유속 0.2 m/s의 조건에서 가장 우수한 분리효율의 확보가 가능하였으며, 자력선별기의 구성에 있어 입자의 크기, 유속, 자속 밀도가 매우 핵심적인 변수임을 증명하였다.
고정밀 전자소자의 오동작의 한 원인인 soft error는 원료물질에 함유된 U, Th과 같은 알파방출 불순물로 알려져 있으며 전자소자의 소형화, 고집적화에 따라서 이들 불순물의 규제함량은 기존의 분석법으로는 불가능할 정도로 낮아지고 있다. 연구의 목적은 다양한 전자소자의 밀봉소재로 사용되는 EMC (epoxy molding compound)의 주 원료인 고순도 실리카에 함유되어 있는 U, Th을 고감도 (ng/g이하)로 분석할 수 있는 방사화분석법과 감마선분광분석법의 개발이다. 지금까지 방사화분석법에 이용하던 PTS (pneumatic transfer system) 중성자 조사 설비로는 산업계에서 요구하는 분석 감도를 충족시킬 수 없기 때문에 의약용 혹은 산업용 RI 생산에 주로 사용되고 있는 HTS (Hydraulic transfer system) 중성자 조사 설비를 이용한 방사화분석 조건을 확립하였다. 또한, 공기중 라돈 ($^{222}Rn$)과 자핵종 (progenies)에 의한 불안정한 바탕방사능은 분석의 감도는 물론 정확도를 저하시키는 주 요인으로 작용하므로 질소가스 유입시스템을 제작하여 라돈에 의한 바탕방사능을 소멸 혹은 안정화시켰다. 그 결과 U과 Th의 분석한계를 각각 0.1 ng/g, 0.01 ng/g까지 낮출 수 있었다.
규질이암의 열처리 및 산 침출이 소듐 실리케이트나 규산 수용액과 같은 실리카 전구물질 순도에 미치는 영향을 연구하였다. 규질이암의 열처리 온도, 산 침출시 염산 농도 및 황산 농도를 변화시키며 전구물질 내에 실리콘 함량을 최대한 높이면서 에너지 및 화학약품의 소모는 최소화하는 조건을 구하였다. 열처리는 $600^{\circ}C$, 산 침출은 1.56 M의 염산만 사용하였을 경우 최적이었다. 소듐 실리케이트와 규산 수용액의 실리콘 순도는 각각 최대 99.2%와 99.5%였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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