• 제목/요약/키워드: hape

검색결과 4건 처리시간 0.022초

Synthesis of Platinum Nanostructures Using Seeding Method

  • Han, Sang-Beom;Song, You-Jung;Lee, Jong-Min;Kim, Jy-Yeon;Kim, Do-Hyung;Park, Kyung-Won
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
    • /
    • 제30권10호
    • /
    • pp.2362-2364
    • /
    • 2009
  • We report Pt hexapod nanoparticles with $6.4\;{\sim}\;9.7$ nm in size by a polyol process in the presence of PVP as a stabilizer and additive as a kinetic controller. The structure and morphology of Pt nanostructures are confirmed by field-emission transmission electron microscopy. The morphological control over platinum nanoparticles is achieved by varying the amount of seeds in the polyol process, where platinum precursor is reduced by ethylene glycol to form Pt nanoparticle at $150\;{^{\circ}C}$. As volume ratio between precursor-solution and seed-solution is increased from 10 to 50, the shape of Pt nanostructures is evolved from small seeds to tripod and hexapod. In addition, the size-controlled platinum hexapod nanostructures are successfully obtained using seeding method.

$\textrm{GaCI}_{3}$를 이용한 수직형 HAPE에서 GaN의 성장특성 (The Properties of Thick GaN using HVPE with $\textrm{GaCI}_{3}$)

  • 백호선;이정욱;김태일;이상학
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제8권5호
    • /
    • pp.450-456
    • /
    • 1998
  • 후막 GaN성장에 있어서 uniformity와 controllability를 향상시키기 위해 $GaCI_{3}$를 이용한 수직형 HVPE(Hyderide Vapor Phase Epitaxy)를 자체 제작하여 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$까지 변화시키면서 성장된 GaN의 특성을 분석한 결과 온도가 증가할수록 표면특성과 광학적 특성은 향상되었으나 DCXRD( Double Crystal X-Ray diffractometer)의 FWHM(Full width of Half Maximum)은 온도와 무관하게 500-1000arcsec을 나타내었다. GaN의 성장이 1x1cm의 시편에 걸쳐 균일하게 이루어 졌으며, 또한 반응기 내부의 기하학적 특성이 시편의 표면특성과 성장속도에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 성장속도는 $GaCI_{3}$의 유량에 비례하였으나, $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$로 온도를 증가조건하에서 최대 28$\mu\textrm{m}$/hr의 GaN성장을 얻을 수 있었다.

  • PDF

Meltback을 이용한 mesa shape의 형성과 평면매립형 반도체레이저의 제작 (The mesa formation and fabrication of planar buried heterostructure laser diode by using meltback method)

  • 황상구;오수환;김정호;김운섭;김동욱;홍창희
    • 한국광학회지
    • /
    • 제10권6호
    • /
    • pp.518-523
    • /
    • 1999
  • 본 연구에서는 meltback 방법으로 mesa 모양을 형성하기 위하여 여러 가지 농도의 용액으로 meltback을 하였으며 InP 기판위에 InGaAsP 활성층과 InP cap층을 가지는 웨이퍼에 mesa 모양을 형성하기 위해서는 성장온도에서 성장용액의 80%인 InGaAsP(1.55$\mu$m)용액이 가장 적합한 것으로 확인되었다. meltback 방법만으로 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하기 위한 완전한 mesa를 형성하기는 어려우며, 따라서 본 연구에서는 화학에칭에 이어 Meltback 방법을 이용하여 mesa 모양을 형성하고 연속하여 전류 차단층을 형성시킨 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하였다. 이렇게 제작된 MQW-PBH-LD의 전기 광학적 특성은 공진기 길이가 $300{\mu}m$일 때 임계전류는 10mA, 내부양자효율은 82%, 내부손실은 $9.2cm^{-1}$, 특성온도는 $25~45^{\circ}C$ 사이에서는 65K, $45~65^{\circ}C$사이에서는 42K이었다.

  • PDF

구조 해석을 통한 크루저 보드의 형상에 따른 융합 기술연구 (Study on Convergence Technique due to the Shape of Cruiser Board through Structural Analysis)

  • 이정호;조재웅
    • 한국융합학회논문지
    • /
    • 제6권4호
    • /
    • pp.99-105
    • /
    • 2015
  • 오늘날 환경오염을 방지하기 위하여 화석연료를 사용하지 않는 크루저 보드의 1인승 이동수단이 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 안전한 크루저 보드의 설계를 위하여 구조 해석을 수행함으로서 형상에 따른 크루저 보드의 특성들을 분석하고자 한다. 기존의 크루저 보드 모델과 새로운 형상의 크루저 보드 모델 총 두 가지 형상의 모델들을 설계하고, 유한요소해석 프로그램을 이용하여 구조 해석을 수행하여 변형량, 응력 및 피로 수명에 의한 내구성을 연구하였다. 연구 결과, 새로운 형상의 크루저 보드 모델이 최대 변형량은 0.000971mm, 최대 응력은 0.936MPa, 피로 수명은 $1827.7Cycle{\sim}1.887{\times}105Cycle$로서 새로운 모델에서의 모든 연구 결과 값들이 기존의 모델보다 더 양호하게 되어 새로운 모델이 기존의 모델보다 사용하기에 더 적합한 것으로 나타났다. 본 연구 결과는 더 안전하고 내구성이 있는 크루저 보드의 설계에 기여할 수 있으며, 디자인 면에서 융합 기술로의 접목도 가능하여 미적인 감각을 나타낼 수 있다.