In the current development of magnetic sensors based on the Hall effect, the following two approaches can be distinguished. The first, one tries to build better sensor based on conventional Hall devices. The innovations come through a better understand of the details if the operating principle and secondary effects, and through the application if ever-improving microelectronics technology. In the second approach, one hopes to build better sensors by making use of the Hall effect in active devices, such as magneto-transistors and MAGFET. In this paper, we study magnetic properties of Hall device fabricated with series and parallel multilayers.
This paper proposes a new position compensation method for misaligned Hall-effect sensors of BLDCM(Brushless DC Motor). If the Hall-effect sensors are installed at wrong position, the exact rotor position cannot be obtained. Therefore, when the BLDCM is controlled with this wrong position, the torque ripple can be increased and the average torque also decreases. The back-EMF of BLDCM can be obtained by using the voltage equation and by multiplying the back-EMF constant and rotor speed. At a constant speed, the estimated back-EMF by using the multiplication of the back-EMF constant and rotor speed is constant, but the estimated back-EMF from the voltage equation decreases at the commutation point because the line-to-line back-EMF of two conducting phases is start to decrease at this point. Therefore, by using the difference between these two estimated back-EMFs, the commutation point of the phase current can be determined and position compensation can be carried out. The proposed position correction method doesn't require additional hardware circuit and can be easily implemented. The validity of the proposed position compensation method is verified through several experiments.
Current sensors that use a Hall element and Hall IC to measure the magnetic fields generated in steel silicon core gaps do not distinguish between direct and alternating currents. Thus, they are primarily used to measure direct current (DC) in industrial equipment. Although such sensors can measure the DC when installed in expensive equipment, ascertaining problems becomes difficult if the equipment is set up in an unexposed space. The control box is only opened during scheduled maintenance or when anomalies occur. Therefore, in this paper, a method is proposed for facilitating the safety management and maintenance of equipment when necessary, instead of waiting for anomalies or scheduled maintenance. A Bluetooth 4.0 low-energy current-sensor system based on near-field communication is used, which compensates for the nonlinearity of the current-sensor output signal using a piecewise linear model. The sensor is controlled using its generic attribute profile. Sensor nodes and cell phones used to check the signals obtained from the sensor at 50-A input currents showed an accuracy of ±1%, exhibiting linearity in all communications within the range of 0 to 50 A, with a stable output voltage for each communication segment.
와이어 로프는 무거운 중량을 안전하게 운반하거나 기계적인 에너지를 빠르게 전송하는 곳과 같은 산업응용 분야에 광범위하게 사용되어 왔다. 특히, 운전 중 엘리베이터의 와이어 로프가 파손되면 큰 재산 상 손실과 주변 인명의 심각한 상해를 초래할 수 있다. 따라서, 와이어 로프의 정기적인 검사는 매우 중요하다. 와이어 로프의 고장 검출은 로프의 구조, 특성, 결함 특성, 검출방법과 신호처리 방법에 대한 기본적인 이해가 요구된다. 이 연구에서는 엘리베이터에 노화된 와이어 로프에 대한 마모, 단선, 부식과 형붕괴와 같은 결함을 검출하기 위하여, Hall 센서를 결합한 새로운 결함 검출시스템의 개발에 대하여 다룬다. 휴대용 계측기로서 검출기를 사용하기 위하여, Hall 센서를 가진 센싱 부분과 아날로그 신호처리 및 프로그램의 제작에 대한 몇 가지 특성들이 서술되었다. 제작된 검출시스템에 대한 실험과 실장시험 결과 역시 제시되었다. 그 결과, 검출시스템은 사용 중인 노화된 와이어 로프의 결함을 검출하는데 양호한 효율성을 갖는다는 것을 확인하였다.
Since the magnetic bearing system has unstability inherently it is necessary to measure the displacement for stable operation. Normally the displacement measurement is implemented by using sensors. The sensor for the displacement measurement is selected by precision, installation space, effect of magnetic field and response speed. And the cost of displacement measurement sensor also is considered. At the cost the hall effect sensor has a large advantage comparing with the others. Therefore this study concern about the basis experimental test for the displacement measurement of the magnetic bearing system that uses the hall effect sensor coupled with a tiny permanent magnet. The experimental results confirm the validity and practicability for this displacement measurement sensor.
Development of a locomotive mechanism for the capsule type endoscopes will largely enhance their ability to diagnose disease of digestive organs. As a part of it, there should be provided a detection device of their position in human organs for the purpose of observation and motion control. In this paper, a permanent magnet outside human body was employed to project magnetic field on a capsule type endoscope, while its position dependent flux density was measured by three hall-effect sensors which were orthogonally installed inside the capsule. In order to detect the 2-D position data of the capsule with three hall-effect sensors including the roll, pitch and yaw angle, the permanent magnet was extra translated during the measurement. In this way, the 2-D coordinates and three rotation angles of a capsule endoscope on the same motion plane with the permanent magnet could be detected. The working principle and performance test results of the capsule position detection device were introduced in this paper showing that they could be also applied to 6-DOF position detection.
The objective of this paper is to propose a new velocity measurement method for an electro-mechanical fin actuator. The model of the electro-mechanical fin actuator includes uncertainties such as unknown disturbances and parameter variations in flight condition. So, an electro-mechanical fin actuator system needs robust control algorithm which requires not only position information but also velocity information. Usually, analog tachometers have been used for velocity feedback in an electro-mechanical fin actuator. However, using these types of sensors have problems such as the cost, space, and malfunction. These problems lead to propose a new velocity measurement method using linear type Hall-effect sensor. In order to verify the proposed method, several experiments are performed using Model Following Sliding Mode Controller(MFSMC). It is shown that the MFSMC with a new velocity measurement method using linear type Hall-effect sensor can satisfy the requirements without using of velocity sensor.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제18권1호
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pp.35-40
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2018
This study presents a vertical-type CMOS Hall device with improved sensitivity to detect a 3D magnetic field in various types of sensors or communication devices. To improve sensitivity, trenches are implanted next to the current input terminal, so that the Hall current becomes maximum. The effect of the dimension and location of trenches on sensitivity is simulated in the COMSOL simulator. A vertical-type Hall device with a width of $16{\mu}m$ and a height of $2{\mu}m$ is optimized for maximum sensitivity. The simulation result shows that it has a 23% better result than a conventional vertical-type CMOS Hall device without a trench.
A space charge model for semiconductor reduced gas sensors has been roposed and applied to gas sensing mechanism. SnO2-x and SnO2-x/Pt thin film were deposited by vacuum evaporating method. And Hall effect and gas sensitivity characteristics of these sensors were measured. From the space charge model and carrier concentration, the number of the adsorbed gas atom on the solid surface was calculated quantitatively. The gas sensing model was compared with CO gas sensitivities of the fabricated thin film gas sensors.
The TMA gas sensors are fabricated with the ZnO-based thin films grown by a RF magnetron sputtering method. The hall effect measurement and AES analysis are carried out to investigate the effects of the sputtering gases and dopants which effect on the electrical resistivity and sensitivity to TMA gas. We measure the cfhanges of the surface carrier concentration, haall electron mobility, electrical resistivity, surface condition, and depth profile of the films. The ZnO-based thin film sensors sputtered in oxygen, or added with dopants showed a high sruface carrier concentration, film sensors sputtered in oxygen and doped with 4.0 wt.% $Al_{2}$O$_{3}$, 1.0 wt.% TiO$_{2}$, and 0.2 wt% v$_{2}$O$_{5}$ showed the highest surface carrier concentration of 5.952 * 10$^{20}$ cm$^{-3}$ , hall electron mobility of 176.7 cm$^{2}$/V.s, lowest electrical resistivity of 6*10$^{-5}$ .ohm.cm and highest sensitivity of 12. These results were measured at a working temperature of 300.deg. C to 8 ppm TMA gas.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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