• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.143-143
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• 2010

In this study, we demonstrate that ZnO deposited onto $SiO_2$ substrates by magnetron sputtering produces p-type ZnO at higher $O_2$ pressure and n-type ZnO at lower $O_2$ pressure. We also report the effect of hydrogen peroxide ($H_2O_2$) on the stability of undoped ZnO thin films. The films were immersed in 30% $H_2O_2$ for 1 min at $30^{\circ}C$ and annealed in $O_2$at $450^{\circ}C$. The carrier concentration, mobility. and conductivity were measured by a Hall effect measurement system. The Hall measurement results for ZnO films untreated with $H_2O_2$ but annealed in $O_2$ indicate that oxygen fraction greater than ~0.5 produces undoped p-type ZnO films, whereas oxygen fraction less than ~0.5 produces undoped n-type ZnO films. This is attributed to the fact that the oxygen vacancies ($V_o$) decrease and the oxygen interstitials ($O_i$) or zinc vacancies ($V_{Zn}$) increase with increasing oxygen atoms incorporated into ZnO films during deposition and $O_2$ post-annealing.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.355-356
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• 2008

In this work, ZnO films doped with different contents of Indium (0.1at.%, 0.3at.%, 0.6at.%, respectively) were deposited on Si (111) substrate that has 1~20 $\Omega$cm by pulsed laser deposition (PLD) at $600^{\circ}C$ for 30min. The thickness of the films are about 250 nm. The structural, optical and electrical properties of the films were investigated using X-ray Diffraction (XRD), Atomic force microscope (AFM), Photoluminescence (PL) and Hall measurement. It has been found that RMS of the films is decreased and grain size is increased with increasing the contents of doped Indium. The results of the Photoluminescence properties were indicated that the films have UV emission about 380nm and shows a little red shitf with increasing contents of doped indium. The result of the Hall measurement shows that the concentration and resisitivity in doped ZnO are as changing as one order, respectively ${\sim}10^{18}/cm^2$, ${\sim}10^{-2}cm{\Omega}cm$.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권5호
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• pp.490-496
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• 2015

We have grown AlN/GaN heterostructure which is a promising candidate for mm-wave applications. For the growth of the high quality very thin AlN barrier, indium was introduced as a surfactant at the growth temperature varied from 750 to $1070^{\circ}C$, which results in improving electrical properties of two-dimensional electron gas (2DEG). The heterostructure with barrier thickness of 7 nm grown at of $800^{\circ}C$ exhibited best Hall measurement results; such as sheet resistance of $215{\Omega}/{\Box}$electron mobility of $1430cm^2/V{\cdot}s$, and two-dimensional electron gas (2DEG) density of $2.04{\times}10^{13}/cm^2$. The high electron mobility transistor (HEMT) was fabricated on the grown heterostructure. The device with gate length of $0.2{\mu}m$ exhibited excellent DC and RF performances; such as maximum drain current of 937 mA/mm, maximum transconductance of 269 mS/mm, current gain cut-off frequency of 40 GHz, and maximum oscillation frequency of 80 GHz.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 추계학술대회 초록집
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• pp.52.2-52.2
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• 2011

본 연구의 목적은 CIGS 태양전지의 두 가지 TCO층 중 AZO를 제외한 intrinsic ZnO의 전자빔 처리 영향에 대한 특성 분석을 하고자 함이다. 또한 추후 CIGS 태양전지를 제조하여 적용 시 전자빔 처리 전후의 특성이 어떻게 변하는지를 알아보기 위한 사전 실험이다. Intrinsic ZnO는 RF magnetron sputter 를 이용하여 약 100nm의 두께로 증착 하였다. 이때 공정 압력을 변수로 RF power는 80W로 설정 하였으며 Ar 분압은 10mtorr, 5mtorr, 1mtorr로 각각 달리 하며 증착 하였다. 이후 전자빔 처리를 위해 각각의 시편에 Argon flow 7sccm 상태에서 DC power 3kW, RF power 300W의 세기로 전자빔 처리를 실시 하였다. 전자빔 처리에 따른 전기적, 구조적 특성을 분석하기위해 Hall measurement와 SEM, XRD, UV-vis spectroscopy을 사용하였다. 먼저 Hall measurement 측정을 통한 전기적 분석 결과 비저항이 무한대에서 약 $40m{\Omega}{\cdot}cm$로 감소된 결과를 도출 할 수 있었으며, $2{\sim}3.4{\times}10^{18}/cm^3$ 이상의 carrier density 가 측정 되었다. UV-vis spectroscopy를 이용한 투과도 측정결과 모든 시편에서 Band gap이 감소하는 결과를 보였다. SEM, XRD를 이용한 분석결과 결정성 및 grain의 크기가 증가하는 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국결정학회지
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• 제8권2호
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• pp.105-110
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• 1997

CdS/CuInSe2 태양전지에서 창측재료로 1μm 두께의 CdS박막을 1x10-3mTorr의 진공하에서 CdS source 온도를 800-1100'C로 하고 기판의 온도를 50-200℃로하여 진공증차겁으로 제조하였다. 증착된 CdS박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성조사는 x-ray diffractometer(XRD), scanning electron microscope(SEM), 전기비저항 측정, Hall measurement 그리고 optical transmission spectra로 행하였고, 각막들의 성분분석은 energy dispersive analysis of X-ray (EDAX)를 가하나, 광투과도는 감소하였다. 이때 증착된 CdS 박막들은 모두 hexagonal 구조를 가지고 있었으며, 결정성은 기판유리를 딸 (002)면으로 형성되었다. CdS Source 온도가 1000℃에서 증착된 CdS 박막이 0.9(S/cm)의 가장 높은 전기 전도도를 나타내었다. 또한 기판온도를 100'C로 제조한 CdS 박막이 전기비저항은 40(Ω,cm)이었고 광투과도는 80% 이상의 값을 나타내어 CdS/CuInSe2 태양전지의 창측재료로 적합했다.

• 한국결정학회지
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• 제7권1호
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• pp.73-80
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• 1996

단일 온도대역 수평 Bridgman(1-T HB)법에 의해 2인치 직경의 GaAs 단결정을 성장시키기 위하여 그 장치를 설계·제작하였고, undoped, Si-doped 및 Zn-doped 단결정을 성장하였다. 단결정성의 측면에서 성장횟수별 비로 0.73의 단결정성을 보였고, 격자결함 밀도(etch pit density)는 n-type의 경우 평균 5,000/cm2, p-type의 경우 10,000/cm2, 그리고 undoped의 경우 20,000/cm2 정도를 보였다. 한편 undoped GaAs 단결정의 경우, Hall 측정에 의한 carrier 농도가 ∼1×1016/cm3인 것으로 나타나 기존의 이중 온도대역(2-T : double temperature zone) 또는 삼중 온도대역(3-T : three temperature zone) 수평 Bridgman 방식에 비하여 Si 유입량이 절반 수준인 것으로 측정되었다. 따라서 1-T HB 방식에 의하여 2-T나 3-T HB 방법보다 나은 수율을 갖고 더 순도가 높은 GaAs 단결정을 성장시킬 수 있었다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제28권3호
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• pp.149-157
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• 2023

본 연구는 공연시설 내 공연장 무대공간에서 위기상황에서 피난 시 공연예술종사자가 반입구 및 공연자통로를 적극적으로 활용하는 것을 제안하는 것이 목적이다. 먼저 공연장 안전과 관련된 제도를 분석하고 무대피난 유형을 건축법 내 객석 피난 기준을 적용하여 A, B, C, D 형태로 분류하였다. 둘째, 측정자료를 바탕으로 통계자료를 정리하고 각 형태의 특징을 정리하였다. 셋째, 무대공간에서 피난 경로의 피난 안전성을 평가하기 위해 네트워크 신뢰도 측정방법을 차용하였다. 그리고 무대중심에서 반입구 방향, 공연자 출입문 방향이 피난에 유리함을 정량적으로 확인하였다. 본 연구에서 피난형태에 따른 피난의 유리함(A(0.1274)>B(0.1228)>C(0.0487))을 구분할 수 있었다. 이러한 결과는 무대피난 안전성을 향상과 무대피난의 기초자료로 활용될 수 있기를 기대한다.

• 전기전자학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.104-109
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• 2024

본 연구에서는 다양한 가스 분위기에서 후열처리를 진행한 후 Ga₂O₃/SiC 이종접합 다이오드의 깊은 준위 결함 변화를 Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS) 기법으로 분석하여 깊은 준위 결함의 변화가 Ga₂O₃/SiC 이종접합 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 또한, J-V 측정 및 Hall 측정을 통한 전기적 특성 분석을 실시하였고, N₂ 분위기에서 열처리된 소자에서 3.06 × 10^-2 A/cm²로 가장 높은 on-state current가 측정되었으며, carrier concentration은 3.8 × 10¹⁴ cm^-3로 증가하는 것이 관측되었다. 이는 후열처리 분위기에 따른 깊은 준위 결함의 변화가 전기적 특성에 영향을 미칠 수 있음을 시사한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.669-672
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• 2002

Establishment of the Quantum Hall Resistance(QHR) Standard as national resistance standard using a room temperature DCC resistance bridge is described. A simple method are used to obtain the current dependence and error of 10: 1 ratio of the bridge instead of the method using a cryogenic resistance bridge. Measurement uncertainty of the system is estimated as $0.14{\times}10^{-6}$ and it is confirmed that the QHR standard is agreed well with the QHR of other NMIs using the cryogenic resistance bridge within the uncertainty, More improvement about performance of the QHR device and 10: 1 ratio accuracy is still under progress.

• 한국정밀공학회지
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• 제14권4호
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• pp.78-87
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• 1997

In machine tools, frictional force exists between the table and the guideways, and in ballscrews. In this paper, feed motor current measured by a hall sensor is used to calculate the motor torque. Some frictional phenomena are studied in feed drive systems, such as the relationship between feedrate and frictional torque, and chip cover effects on frictional torque. Considering frictional phenomena, the relation- ship between the feed froce and the feed motor current id obtained. Feed force can be well estimated by feed motor current measurement considering frictional behavior. The relationship between the cutting force and the feed motor current is slightly different between up milling and down milling due to the effect of y direc- tional cutting force on frictional torque.