First topic of this paper aims to clarify how oxygen and heat transfer in silicon melt under cusp-shaped magnetic fields. We obtained asymmetric temperature distribution by using time dependent and three-dimensional calculation. Second topic is study on molecular dynamics simulation, which was carried out to estimate diffusion constants of oxygen in silicon melt.
Czochralski(CZ) 성장공정은 LED 기판용 고품질의 사파이어 단결정을 성장시키기 위한 중요한 기술 중 하나이다. 본 연구에서는 300 mm 길이의 사파이어 단결정 위한 유도 가열방식의 CZ 성장공정을 FEM으로 수치적 해석하였다. 또한 도가니의 형상 및 상부 단열재 보강 등 hot zone 구조를 변경하고, 결정의 온도 변화를 분석하였다. 본 연구의 결과, 고-액 계면의 높이는 성장 속도의 균형이 이루어져 초기에 80 mm 부터 중기 이후 40 mm 정도까지 감소하였다. 또한 CZ 성장로의 최적 입력 전력은 도가니 형상 변경 및 상부 단열재 보강에 의한 보상효과로 기존 300 mm 용 CZ 성장로 조건과 유사하다. 그리고 Hot zone 구조를 변경한 CZ 성장로를 이용해 성장시킨 결정의 온도는 기존 보다 약 10 K 정도 상승 되는 것으로 분석되었다. 본 연구에서 도출된 결과를 CZ 성장공정에 적용하여 300 mm 길이를 갖는 c-축 사파이어 단결정을 성공적으로 성장시킬 수 있었고, 단결정 성장공정에 대한 시뮬레이션 분석기법의 타당성 및 유용성을 확인하였다.
Since the concept of graphene was established, it has been intensively investigated by researchers. The unique characteristics of graphene have been reported, the graphene attracted a lot of attention for material overcomes the limitations of existing semiconductor materials. Because of these trends, economical fabrication technique is becoming more and more important topic. Especially, the epitaxial growth method by sublimating the silicon atoms on Silicon carbide (SiC) substrate have been reported on the mass production of high quality graphene sheets. Although SiC exists in a variety of polytypes, the 3C-SiC polytypes is the only polytype that grows directly on Si substrate. To practical use of graphene for electronic devices, the technique, forming the graphene on 3C-SiC(111)/Si structure, is much helpful technique. In this paper, we report on the growth of graphene on 3C-SiC(111) surface. To investigate the morphology of formed graphene on the 3C-SiC(111) surface, the radial distribution function (RDF) was calculated using molecular dynamics (MD) simulation. Through the comparison between the kinetic energies and the diffusion energy barrier of surface carbon atoms, we successfully determined that the graphitization strongly depends on temperature. This graphitization occurs above the annealing temperature of 1500K, and is also closely related to the behavior of carbon atoms on SiC surface. By analyzing the results, we found that the diffusion energy barrier is the key parameter of graphene growth on SiC surface.
본 연구에서는 피로 균열의 진전 특성 및 표면 균열과 같은 3차원 균열의 진전 특성에 나타나는 재질 열화의 영향, 열화와 피로 파괴 형태의 관계, 균열진전 속도의 분산(scattering)과 열화의 관계등에 주목해서 열화재와 회복재의 2종류의 재료를 사용해, 피로 시험에 의한 균열진전의 실험적 특성을 고찰하였다. 또한, 저자들의 종래 관통 균열 진전 특성에 대한 연구 결과를 응용해서 열화와 균열진전의 확률특성을 고려한 표면균열 진전에 대한 시뮬레이션(simulation)을 행해서 피로 수명 예측에 미치는 열화의 영향에 대해 검토해 보았다.
This paper dealt with a statistical analysis for evaluating the creep crack growth rate (CCGR) for Modified 9Cr-1Mo (ASTM Grade 91) steel. The CCGR data was obtained by the creep crack growth (CCG) tests conducted under various applied loads at $600^{\circ}C$. To obtain logically the B and q values used in the CCGR equation, three methods such as the least square fitting method (LSFM), the mean value method (MVM) and the probabilistic distribution method (PDM) were adopted and their CCGR lines were compared, respectively. In addition, a number of random variables were generated by using the Monte Carlo simulation (MCS), and the CCGR lines were predicted probabilistically. It was found that both the B and q coefficients followed a 2-parameter Weibull distribution well. In the case of the ranges of 10-90% for the probability variables, P(B, q), the CCGR lines were predicted. Fractographic study was conducted from the specimen after the CCG tests.
Progress in Si crystal and wafer technologies is discussed on single crystal growth, wafer fabrication, epitaxial growth, gettering, 300 mm and SOI. As for bulk crystal growth, the mechanism of grown-in defects (voids) formation, the succes of grown-in defect free crystal growth technology and nitrogen doped crystal are shown. New wafer fabrication technologies such as both-side mirror polishing and etchingless process have been developed. The epitaxial growth of SiGe/Si heterostructure for high speed bipolar device is treated. Gettering technology under low temperature process such as RTP is important, and also it is shown that IG effect for Ni could be predicted using computer simulation of precipitate density and size. The development of 300 mm wafer and SOI has made progress steadily.
In recently, a growing concern for the health of urban residents increased interests in a variety of outdoor activities simply be done in terms of cost and time. They are specially interested in low-impact and safe exercises around residential or working area. Walking is the one of easily doing exercise in daytime or nighttime near residential area. The sidewalks of boulevard near the residential area is the best place for exercise because of easy access and the green space with roadside trees. However, if the nighttime is not guaranteed the proper lighting condition, the possibility of exposure to crime and the threat to pedestrian safety can be increased. Because roadside trees are one of the potential obstacle for lighting condition, supplementary lightings are important to mitigate interruption for safety. To meet such a need, the purpose of this study is to propose a simulation approach which improves lighting condition on sidewalks of boulevard with variety of roadside trees. To do so, the simulation approach is applied for analyzing the interrupted condition by classified five standard types of roadside trees considering the growth of them and finding optimal layout of supplementary luminaires by lighting types. The results of this approach shows that it is useful for assessing the safety of pedestrian in nighttime.
This study was conducted to develop a simulation model for the growth dynamics of pigs and to describe quantitatively protein deposition depending on the amino acid composition of feed protein. In the model it is assumed that the essential processes that determine the utilization of feed protein in the whole body are protein synthesis, breakdown of protein, and oxidation of amino acid. Besides, it is also assumed that occurrence of protein deposition depends on genetic potential and amino acid composition of feed protein. The genetic potential for the protein deposition is the maximum capacity of protein synthesis, being dependent on the protein mass of the whole body. To describe the effect of amino acid composition of feed on the protein deposition, a factor, which consist of ten amino acid functions and lie between 0 and 1, is introduced. Accordingly a model was developed, which is described with 15 flux equations and 11 differential equations and is composed of two compartments. The model describes non linear structure of the protein utilization system of an organism, which is in non steady state. The objective function for the simulation was protein deposition(g/day) cal culated according to the empirical model, PAF(product of amino acid functions) of Menke. The mean of relative difference between the simulated protein deposition and PAF calculated values, lied in a range of 11.8%. The simulated protein synthesis and breakdown rates(g/day) in the whole body showed a parallel behavior in the course of growth.
한국전산유체공학회 2003년도 The Fifth Asian Computational Fluid Dynamics Conference
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pp.19-20
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2003
Brownian-dynamics simulation on highly charged colloidal suspensions is performed by employing Tokuyama effective force recently proposed. The radial distribution function suggests that there exist three novel phases, a gas phase, a liquid droplet phase, and a face-centered cubic (FCC) crystal droplet phase, depending on the minimum values of that potential. The dynamics of droplet growth is also investigated both in liquid droplet phase and in crystal droplet phase. Thus, different types of characteristic growth stages are found.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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