The thermal stability of duplex high Mn-steel structure have been investigated using 15%Mn~1.0~2.4%C steels which are composed of ${\gamma}$-and ${\theta}$-phases in the range of temperature from 900 to $1100^{\circ}C$, and time from 50 to 300h. The results are as follows ; 1) The grain growth in single-phase region proceeds by grain boundary migration and the relation between mean radius $\bar{r}$ and annealing time t is described as follows ; $\bar{r}^2-{\bar{r}_0}^2=k_0{\cdot}t$ 2) The grain growth of duplex, (${\gamma}+{\theta}$), strucrure is slower than that single phase because the chemical composition of ${\gamma}$-and ${\theta}$-phases differs esch others. 3) The grain of (${\gamma}+{\theta}$) duplex structure grow slowly in a mode of Ostwald ripening. Because grain boundaries of ${\gamma}$-phase migrate under a restriction of pinning by ${\theta}$-phases. 4) In the duplex structures. the dispersed structures change to the dual-structures, as the volume fraction of the dispersed second-phase increase. Consequently, the growth-law, which is controlled by boundary-diffusion change to that of the volume diffusion-mechanism.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.10
no.3
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pp.521-528
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2009
This study verify the conveying characteristic and adaptability of Straight Type Seeping Auger(STSA) which is built in Combined Grain Drying and Storage System(CGDSS). It is very important to design sweeping auger which makes Combined Grain Drying and Storage System having First-In-First-Out. In order to suggest desirable idea for sweeping auger of Combined Grain Drying and Storage System, an experiment that behavior of grain on the boundary surface which is made by rotation of STSA is executed and causalities to be given problem of STSA are pointed out.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.25
no.1
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pp.13-19
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2015
Among the various possible factors affecting the Minority Carrier Life Time (MCLT) of the mc-Si crystal, dislocations formed during the cooling period after solidification were found to be a major element. It was confirmed that other defects such as grain boundary or twin boundary were not determinative defects affecting the MCLT because most of these defects seemed to be formed during the solidification period. With a measurement of total thickness variation (TTV) and bow of the silicon wafers, it was found that residual stress remaining in the mc-Si crystal might be another major factor affecting the MCLT. Thus, it is expected that better quality of mc-Si can be grown when the cooling process right after solidification is carried out as slow as possible.
The aim of this study was to investigate the change in compressive strength, freacture behavior and degradation of piezoelectric properties with compressive cyclic loading in Pb(Zr, Ti)O3 of tetragonal, morphotropic phase boundary and rhombohedral composition. The highest compressive strength was found in rhombohedral composition. After poling treatment the strength increased by 8.4% and 6.5% in tetragonal and morphotropic phase boundary compositions respectively while changed little in rhombohedral. The increase of compressive strength after poling treatment is believed to be due to the internal stress around grain boundary by domain alginment toward electric field direction in the microstructures having tetragonality and the occurrence of domain switching to the direction perpendicular to electrical field during fracture. Fracture mode relatively change from transgranular to intergranular was observed in the large grain sized tetragonal and morphotropic phase boundary compositions before and after poling but the transgranular fracture mode always remained in the rhombohedral composition. From the X-ray diffractometer analysis the domains parallel to the electric field direction is known to undergo rearrangement during the cyclic loading into random direction that is responsible for the degradation of piezoelectric property.
In this paper a structurally coupled and magnetically decoupled Ba-ferrite thin film medium is proposed to evade the superparamagnetic limit and reduce media noise. The proposed medium consists of ferrimagnetic Ba-ferrite nano-grains (< 10 nm) and a non-magnetic grain boundary material. Magnetic grains are crystallographically matched with the grain boundary material. Spherical or cubic shaped Ba-ferrite particle is also proposed for above 100 Kfci particulate recording application.
The microstructural changes of Fe-20Mn-12Cr-1Cu alloy have been studied during high temperature gas nitriding (HTGN) at the range of $1000^{\circ}C{\sim}1150^{\circ}C$ in an atmosphere of nitrogen gas. The mixed microstructure of austenite and ${\varepsilon}$-martensite of as-received alloy was changed to austenite single phase after HTGN treatment at the nitrogen-permeated surface layer, however the interior region that was not affected nitrogen permeation remained the structure of austenite and ${\varepsilon}$-martensite. With raising the HTGN treatment temperature, the concentration and permeation depth of nitrogen, which is known as the austenite stabilizing element, were increased. Accordingly, the depth of austenite single phase region was increased. The outmost surface of HTGN treated alloy at $1000^{\circ}C$ appeared Cr nitride. And this was in good agreement with the thermodynamically calculated phase diagram. The grain growth was delayed after HTGN treatment temperature ranges of $1000^{\circ}C{\sim}1100^{\circ}C$ due to the grain boundary precipitates. For the HTGN treatment temperature of $1150^{\circ}C$, the fine grain region was shown at the near surface due to the grain boundary precipitates, however, owing to the depletion of grain boundary precipitates, coarse grain was appeared at the depth far from the surface. This depletion may come from the strong affinity between nitrogen and substitutional element of Al and Ti leading the diffusion of these elements from interior to surface. Because of the nitrogen dissolution at the nitrogen-permeated surface layer by HTGN treatment, the surface hardness was increased above 150 Hv compared to the interior region that was consisted with the mixed microstructure of austenite and ${\varepsilon}$-martensite.
The high temperature deformation behavior of the activated sintered W powder compacts was investigated. The W compact showed the relative density of 94% with the average W grain size of $23\mutextrm{m}$ by activated sintering at $1400^{\circ}C$ for 1 hour. Compression tests were carried out in the temperature range of $900-1100^{\circ}C$ at the strain rate range of $10^{0}$/sec - $10^{-3}$/sec. True stress-strain curve and microstructure exhibited the grain boundary brittleness which was dependent on the compression test temperature. The activated sintered W compact showed that the maximum stress as well as the strain at the maximum stress was abruptly decreased as the test temperature increase from $900^{\circ}C$ to 1000 and $1100^{\circ}C$ regardless of the strain rate. The discrepancy of the microstructure in the specimen center was obviously observed with the increase of the test temperature. After compression test at $900^{\circ}C$ the W grain was severely deformed normally against the compression axis. However, after compression test at $1000^{\circ}C$ and $1100^{\circ}C$ the W grain was not deformed, but the microcrack was formed in the W grain boundary. The Ni-rich second phase segregated along the W grain boundary could be partly unstable over $900^{\circ}C$ and affect the poor mechanical property of the activated sintered W compact.
The author's theory for plastic deformation was applied to superplastic alloys (Zn-Al eutectoid, Al-Cu, Pb-Sn, Sn-Bi, Mg-Al eutectics). The plastic deformation of the superplastic alloys could be described by two Maxwell models connected in parallel which represent two grain boundary flow units. The flow units are characterized by the two parameters $X_{gj}/{\alpha}_{gj}\;and\;{\beta}_{gj}$ (j=l or 2, g signifies the grain boundary) the values of which were obtained by applying our flow equation [Eq. (5)] to experiment. We confirmed that our flow equation describes the superplasticity very well. The curve of strain rate sensitivity m (=${\partial}\;In\;f/{\partial}\;In\;\dot{s})\;vs.\;-In\dot{s}$, where f and s are stress and strain rate, respectively, showed two peaks corresponding to flow unit gl and g2, the separation of the two peaks is determined by the difference between ${\beta}_{g1}\;and\;{\beta}_{g2}$. The condition of superplasticity is also determined by ${\beta}_{gj}$, which satisfies $\dot{s}_{mj}{\leqslant}1.53}{\beta}_{gj}$ [Eq.(13)], where $\dot{s}_{mj}$ is the s of the jth unit at the peak. The grain size dependence of ${\beta}_{gj}$ is described by $ln({\beta}_{gj})^{-1}$=alnx+b [Eq. (16)], where x is the grain size, and a and b are constants. The activation enthalpy for each flow unit, ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ was also determined from the temperature dependence of ${\beta}_{gj}$ which is proportional to the relaxation time of the j th unit. Since the superplasticity is determined by Eq. (13), and since ${\beta}_{gj}$ and ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ are related, we obtained the conclusion that superplasticity occurs in the system having small ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ values. The Aej values were equal to the activation enthalpies of grain boundary self-diffusion of the component atoms of the alloys, this accords with our proposed flow mechanism. The ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ value increases with grain size as expected from Eq. (16).
Biepitaxial Y$_1Ba_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO) and La$_{0.2}Sr_{0.8}MnO_3$ (LSMO) thin films have been prepared on SrTiO$_3$ buffer layer and MgO seed layer grown on Al$_2O_3$(11${\bar{2}}$0)substrates by dc-sputtering with hollow cylindrical targets, respectively. We charaterized Josephson properties and significantly large magnetoresistance in YBCO and LSMO films with 45$^{\circ}$ grain boundary junction, respectively. The observed working voltage (I$_cR_n$) at 77 K in grain boundary junction was below 10${\mu}$V, which is typical I$_cR_n$ value of single biepitaxial Josephson junction. The field magnetoresistance ratio (MR) of LSMO grain boundary juncoon at 77K was enhanced to 13%, which it was significant MR value with high magnetic field sensitivity at a low field of 250 Oe. These results indicate that inserting the insulating layer instead of the grain boundary layer with metallic phase can be possible to apply a new SIS Josephson junction and a novel magnetic device using spin-polarized tunneling junction.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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