• 한국작물학회지
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• 제41권6호
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• pp.729-735
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• 1996

동진벼의 현미에서 캘러스를 유도하여 증식할 경우 Ge첨가가 캘러스 내의 Ge함량에 미치는 영향을 검토한 결과는 다음과 같다. 배지별 Ge농도에 따른 캘러스 증식율과 캘러스내 Ge 및 무기원소의 함량은 N$_{6}$배지보다는 MS배지에서 캘러스증식이 좋았으며, 캘러스 내 K함량을 제외하고는 Ge 및 기타 무기원소의 함량이 대체로 높았다. N$_{6}$배지와 MS배지 내 Ge농도가 높을수록 캘러스 증식율은 감소되나 캘러스 내 Ge함량은 증가되었고 Ca, Mg, K의 함량은 감소되며 Fe, Mn, Zn, Cu의 함량 등은 Ge농도 100～200 mg/$\ell$까지는 증가되나 그 이상 농도에서는 감소되는 경향이었다. Ge의 종류 및 농도에 따른 캘러스 내 Ge함량은 처리 한 Ge농도가 높을수록 증가되었는데, Ge 시용량이 100 mg/$\ell$ 이하에서는 무기ee(GeOf) 처리가 유기Ge(Ge-132) 처리보다 캘러스 내 Ge함 량이 높았으나, 그 이상의 농도에서는 유기 Ge처리가 무기Ge처리보다 캘러스 내 Ge함량이 높았고 캘러스 활력도 좋았다. 배지의 pH가 낮을수록 캘러스의 활력은 떨어지나 캘러스 내 Ge함량은 높았으며, citric acid 와 myo-inositol의 0.1～l.0 mM을 배지에 처리한 경우 무시용보다 캘러스 생육이나 캘러스 내Ge 및 기타 무기원소의 함량이 증가되었는데, citric acid보다는 myo-inositol의 시용에서 더 증가되었다.

• 한국토양비료학회지
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• 제43권2호
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• pp.166-173
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• 2010

게르마늄 토양처리시 게르마늄 종류가 벼의 생육특성 및 부위별 게르마늄 흡수에 미치는 영향을 조사하기 위해 무기게르마늄 ($GeO_2$)과 수도작용 액상게르마늄으로 시비를 달리하여 게르마늄 종류에 따른 벼의 생육특성, 게르마늄 종류에 따른 부위별 게르마늄 흡수 특성을 각각 조사한 결과 수도작용 액상게르마늄 처리구와 무처리구의 경우 벼에 게르마늄에 의한 독성이 거의 나타나지 않은 반면에 $GeO_2$ 처리구에서는 일부 벼에서 게르마늄의 독성이 나타났다. 게르마늄 종류에 따른 잎의 게르마늄 흡수량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 177.0 ${\mu}g\;m^{-2}$로 수도작용 액상게르마늄 처리구보다 약 6배 높았으나, 줄기와 뿌리의 게르마늄 흡수량은 게르마늄 종류에 따라 전반적으로 큰 차이는 없었다. 게르마늄 종류에 따른 쌀겨 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구 및 수도작용 액상 게르마늄 처리구 모두 별 차이 없이 비슷한 경향이었고, 현미 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 40.9 mg $kg^{-1}$으로 수도작용 액상게르마늄 처리구의 평균 31.1 mg $kg^{-1}$보다 유의성 있게 높았다. 하지만 백미 중 게르마늄 함량은 $GeO_2$ 처리구에서 평균 7.9 mg $kg^{-1}$으로 수도작용 액상게르마늄 처리구의 평균 14.3 mg $kg^{-1}$보다 유의성 있게 낮았다. 게르마늄 종류에 따른 벼 부위별 게르마늄 흡수율은 전반적으로 잎 > 쌀겨 > 현미(백미) > 줄기 > 뿌리 순으로 잎에서 가장 높았다. 쌀의 미질은 전반적으로 게르마늄 종류에 따라 별 차이 없었으나 무처리구에 비해 약간 낮은 경향을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.7-8
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• 2006

The effects of heat treatment on the electrical properties of SGOI were examined. We proposed the optimized heat treatments for improving the interfacial electrical properties in SGOI-MOSFET. By applying the additional pre-RTA(rapid thermal annealing) before gate oxidation and post-RTA after dopant activation, the driving current, the transconductance, and the leakage current were improved significantly.

• 한국환경농학회지
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• 제28권1호
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• pp.59-68
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• 2009

유기게르마늄과 무기게르마늄을 첨가하여 양액 재배한 상추의 안전성을 평가하기 위하여 게르마늄 함유 상추의 생쥐(C57BL/6)에 대한 단회 경구 독성시험을 수행하였다. 실험전 기간 동안 사망한 실험동물은 없었으며, 일반증상과 임상증상도 관찰되지 않았고, 부검 결과 어떠한 육안적 병변도 관찰되지 않았다. 그리고 대조군과 시료 투여군 간의 체중 차이도 관찰되지 않았다. 암컷의 사료 소비량과 물 섭취량은 수컷에 비해 약간 적은 것으로 나타났다. 암컷의 경우에 대조군에 비해 각 실험군의 장기 무게가 모두 약간 감소하는 경우(흉선, 오른쪽 난소)와 악간 증가하는 경우(왼쪽 난소)가 있었고, 수컷의 경우에도 흉선, 심장, 오른쪽 신장, 왼쪽 부고환의 무게가 대조군에 비해 모든 실험군에서 약간 감소하였지만 유의한 차이는 아니었고, 왼쪽 신장과 좌우 고환의 무게가 약간 증가하였지만 역시 유의한 차이는 아니었다. 암수 간의 몸무게에 대한 상대적인 장기 무게의 차이는 모두 정상적인 범위내에 속하였다. 혈액 생화학적 검사 결과, 수컷의 경우에는 GPT와 GOT 측정값이 대조군에 비해 $Ge_{132}$를 함유한 상추를 먹인 실험군에서 유의적으로 감소하였고, LDH 측정값이 대조군에 비해 실험군에서 각각 유의적으로 감소하였다. 혈액학적 검사에서는 수컷의 혈소판(PLT) 수치가 대조군에 비해 각 실험군이 증가한 것으로 나타났지만 유의적인 변화는 아니었다. LPS와 Con A 자극에 대해 비장세포의 증식반응과, 비장세포 내 B세포, 보조 T세포, 세포독성 T세포의 비율은 유의한 파이가 없었다. 이상의 실험 결과로 $$GeO_2와 $Ge_{132}$ (60 mg/kg)출 함유한 상추 분말을 식약청 고시에 명시된 최고농도인 2,000 mg/kg을 단회 결구 투여하였을 때, 시료와 관련된 특기할만한 독성증상이 관찰되지 않았다.

• 한국환경농학회지
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• 제24권1호
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• pp.40-44
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• 2005

게르마늄의 약리효능이 알려짐에 따라 게르마늄이 강화된 기능성 농산물의 요구도가 높아지는 추세이다. 본 연구는 게르마늄의 농업적 이용에 대한 기초 자료를 제공하고자 실시하였으며, 벼의 생육 및 게르마늄 흡수에 미치는 게르마늄처리 효과는 다음과 같다. 게르마늄을 0, 2.5, 5.0, 7.5 및 10.0 mg/kg으로 처리한 토양을 와그너포트에 넣어 벼를 재배한 결과, 게르마늄 처리농도가 증가할수록 게르마늄 독성의 증가로 초장, 수장, 수수 및 수량이 급격히 감소하였으며 게르마늄 2.5 mg/kg 이상에서는 게르마늄 독성이 발생하였다. 게르마늄 처리농도가 증가 할수록 벼의 게르마늄 흡수량은 증가하였으나 벼의 게르마늄 이용률은 게르마늄 2.5, 5.0, 7.5 mg/kg 처리에서 각각 20.7, 12.5 및 7.5%로서 게르마늄 처리농도가 증가할수록 감소하였다. 벼의 부위별 게르마늄 함량은 볏짚>왕겨>현미 순으로 높았다. 게르마늄 2.5 mg/kg 처리시 볏짚 왕겨 및 현미의 게르마늄 함량은 각각 103.4, 30.2 및 3.02 mg/kg 이었고, 볏짚과 왕겨에서는 게르마늄 무처리에서도 각각 2.9 및 3.9 mg/kg을 함유하고 있었다. 쌀의 아미노산 함량을 분석한 결과 게르마늄 처리농도가 증가할수록 Asx., Thr., Ser. 등 대부분 종류의 아미노산 함량이 증가하였으며, 그 결과 현미중 질소흡수량도 증가하였다.

• Journal of Animal Science and Technology
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• 제45권3호
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• pp.355-368
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• 2003

시험 1은 게르마늄흑운모를 자돈 사료에 첨가하였을 때 자돈의 성장 및 영양소 소화율에 미치는 영향을 평가하고자 실시하였다. 공시동물은 평균 체중 15.09$\pm$0.18kg의 3원 교잡종 자돈 60두를 공시하여 28일간 실시하였다. 시험설계는 기초사료에 게르마늄흑운모 무첨가구 (CON; basal diet), 기초사료에 게르마늄흑운모 0.1%(GB0.1), 0.3%(GB0.3), 0.6%(GB0.6), 1.0% (GB1.0) 첨가구로 5개 처리로 하였다. 전체 사양시험 기간동안, 일당증체량과 사료효율에 있어서는 처리구간에 유의적인 차이를 보이지 않았다. 시험 2는 육성돈 사료내 게르마늄흑운모의 항생제 대체효과를 평가하기 위하여 실시하였다. 공시동물은 평균 체중이 32.47$\pm$0.90kg인 3원 교잡종 육성돈 54두를 공시하여 35일간 실시하였다. 시험설계는 기초사료에 항생제 무첨가구(NC; basal diet), 항생제 첨가구 (PC; basal diet + 200ppm CTC), 게르마늄흑운모를 0.3% 첨가구(GB0.3; basal diet + 0.3% germanium biotite)의 3개 처리로 하였다. 사양시험 기간동안, 일당증체량에 있어서 NC 처리구와 비교하였을 때 PC 처리구와 GB0.3 처리구의 성장율이 각각 17%(385 vs 451, g/d), 14% (385 vs 438, g/d) 높았다(P<0.05). 일당사료섭취량에 있어서 NC 처리구와 비교하여 PC 처리구와 GB0.3 처리구가 유의적으로 높았다(P<0.05). 사료효율에 있어서도 NC 처리구와 비교하여 GB0.3 처리구가 유의적으로 높았다(0.323 vs 0.332)(P<0.05). 외관상 건물과 질소 소화율에 있어서 NC 처리구와 비교하여 PC 처리구와 GB0.3 처리구가 유의적으로 높았다 (P<0.05). 시험 3은 비육돈 사료내 게르마늄흑운모의 첨가가 성장, 영양소 소화율, 혈장 성상, 등지방 두께 그리고 분내 암모니아 가스 농도에 미치는 영향을 평가하기 위하여 실시하였다. 공시동물은 평균 체중이 78.65$\pm$1.32kg인 비육돈 72두를 공시하였다. 시험설계는 기초사료에 게르마늄흑운모 무첨가구 (CON; basal diet), 기초사료에 게르마늄흑운모 1.0% (GB1.0), 3.0% (GB 3.0) 첨가구로 3개 처리로 하였다. 사양시험 기간동안, 일당증체량에서는 GB1.0 처리구가 대조구와 GB3.0 처리구와 비교하여 유의적으로 높았으며 (P<0.05), 일당사료섭취량에 있어서는 대조구가 GB3.0보다 유의적으로 높았다 (P< 0.05). 사료효율에 있어서는 GB 첨가구가 대조구와 비교하여 유의적으로 높게 조사되었다 (P<0.05). 혈장내 Total-cholesterol 함량 변화는 대조구와 비교하여 게르마늄흑운모 첨가구가 유의적으로 감소하였다(P<0.05). 또한, LDL+ VLDL-cholesterol 함량 변화도 대조구와 비교하여 게르마늄흑운모 첨가구가 유의적으로 감소하였다(P<0.05). 혈장내 HDL-cholesterol 함량에 있어서는 대조구와 비교하여 게르마늄흑운모 첨가구가 유의적으로 증가하였다(P<0.05). 등지방 두께에 있어서는 대조구와 비교하여 GB1.0 처리구가 5.4% (27.19 vs 25.71mm)의 감소를 보였고, GB3.0 처리구가 대조구와 비교하여 16.1% (27.19 vs 22.81mm)로 유의적인 감소하였다 (P<0.05). 게르마늄흑운모의 분내 암모니아 가스 농도에 미치는 영향에 있어서는, 대조구와 비교하여 GB1.0 처리구가 64.1% (17.00 vs 6.10mg/kg), GB3.0 처리구가 61.8% (17.00 vs 6.50mg/kg) 유의적으로 감소하였다 (P<0.05). 결론적으로, 양돈사료내 게르마늄흑운모를 첨가하였을 경우, 자돈에 있어서는 성장에 영향을 미치지 않는 것으로 사료되며, 육성돈에 있어서는 항생제 대체효과를 갖는 것으로 나타난다. 또한, 비육돈 사료내 게르마늄흑운모의 첨가는 비육돈의 성장능력을 향상시키는 것으로 판단되며, 혈중 Total‐및 LDL+VLDL-chole- sterol 함량을 감소시키며, HDL-cholesterol 함량을 증가시키는 것으로 판단된다. 또한 등지방 두께가 감소되며, 분내 암모니아 가스 농도가 감소하는 것으로 나타났다.

• 생물환경조절학회지
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• 제18권4호
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• pp.460-467
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• 2009

본 연구는 실내에 식물을 보다 효율적으로 도입하고자 수경재배 시 첨가매질(게르마늄, 맥반석)이 관엽식물의 생장과 잎의 무기성분, 뿌리활력에 미치는 영향을 구명하기 위하여 수행되었다. 싱고니움(Syngonium podophyllum), 드라세나 산데리아나(Dracaena sanderiana), 스킨답서스(Epipremnum aureum) 및 아이비(Hedera helix)를 식물재료로 사용하였으며 토양(혼합된 상토: Sunshine Mix No. 2, USA), 수돗물, 수돗물에 게르마늄(300g), 수돗물에 맥반석(300g)을 첨가하여 정식하였다. 첨가매질에 따른 생육변화는 싱고니움의 경우 수돗물만 처리한 구에서 가장 저조하였고 게르마늄 첨가구에서 생육이 가장 좋았으며, 드라세나 산데리아나는 처리구에 따른 생장의 차이가 거의 없는 반면, 스킨답서스와 아이비의 생장도 게르마늄 첨가구에서 가장 좋았다. 특히 뿌리의 생장에서 커다란 차이를 보였는데 근장, 근수 및 근중이 게르마늄 첨가구에서 가장 좋았다. 뿌리활력은 10일 간격으로 분석하였는데 작물마다 처리구에 따라서 변화가 있었는데 싱고니움의 경우 10일째는 3처리구 다 뿌리활력이 낮아졌으나 차츰 좋아져 30일과 50일째에는 맥반석 첨가구에서 가장 좋았다. 드라세나의 경우 10일째부터 40일째까지 게르마늄 첨가구에서 가장 좋았으나 50일째부터 뿌리활력이 나빠졌다. 그러나 60일 후에는 처리구간 큰 차이가 없었다. 식물체 잎의 무기성분 분석 결과, 게르마늄의 Ca과 Mg 함량이 맥반석 보다 높았지만 잎의 무기성분 함량에는 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 이상의 결과에서 스킨답서스와 아이비는 배지재배보다 수경재배에서 생장이 좋았고, 수경재배시 수돗물에 게르마늄을 첨가하였을 때 생육이 증가하는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.399-402
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• 2007

The effects of heat treatment on the electrical properties of strained-Si/SiGe-on-insulator (SGOI) devices were examined. We proposed the optimized heat treatment processes for improving the back interfacial electrical properties in SGOI-MOSFET. By applying the additional pre-RTA (rapid thermal annealing) before gate oxidation step and the post-RTA after source/drain dopant activation step, the electrical properties of strained-Si channel on $Si_{1-x}Ge_x$ layer were greatly improved, which resulting the improvement of the driving current, transconductance, and leakage current of SGOI-MOSFET.

• 한국환경농학회지
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• 제26권3호
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• pp.217-222
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• 2007

식물의 종자발아와 유묘생장에 미치는 무기게르마늄과 유기게르마늄의 효과와 흡수특성을 조사하기 위하여, 대표적인 채소류인 갓, 배추 및 청경채를 이용하여 다양한 게르마늄농도(0, 10, 25, 50, 100 mg $L^{-1}$)를 처리하였다. 채소 종자발아는 모든 식물에서 무기게르마늄을 100 mg $L^{-1}$ 처리한 경우에만 약간의 저해를 받았고 나머지 조건에서는 거의 영향을 받지 않았다. 식물의 유묘생장에 미치는 게르마늄의 효과는 갓과 배추의 경우에는 모든 농도의 무기게르마늄($10{\sim}100$ mg $L^{-1})$에서 뿌리의 생장에 심각한 저해를 보였고 지상부 생장은 높은 농도(50, 100 mg $L^{-1}$)에서는 저해를 받지만 낮은 농도(10, 25 mg $L^{-1}$)에서는 오히려 약간의 생장 촉진효과를 보이거나 거의 차이가 없는 것으로 보였다. 유기게르마늄의 처리시에는 뿌리와 지상부의 생육이 낮은 농도(10, 25, 50 mg $L^{-1}$)의 대부분 조건에서 생장을 촉진하는 결과를 보였다. 식물체내의 게르마늄의 흡수 특성은 무기 및 유기게르마늄의 모든 조건에서 대조구에 비해 처리농도가 높아짐에 따라 점진적으로 뚜렷한 증가를 보였다 특히 무기게르마늄을 처리한 경우 보다 유기 게르마늄을 처리한 경우에 같은 농도에서 전반적으로 약 $2\sim4.5$배까지 많이 흡수되었다. 25 mg $L^{-1}$농도의 게르마늄을 처리한 경우를 보면, 유기게르마늄의 처리시 게르마늄의 흡수는 갓에서는 약 4배(무기게르마늄: 0.37 mg $g^{-1}dw$, 유기게르마늄 : 1.47 mg $g^{-1}dw$), 배추에서는 약 2.2배(무기게르마늄: 0.40 mg $g^{-1}dw$, 유기게르마늄: 0.86 mg $g^{-1}dw$) 그리고 청경채의 결우 약 2.1배(무기게르마늄 : 0.33 mg $g^{-1}dw$, 유기게르마늄: 0.70 mg $g^{-1}dw$) 정도로 무기게르마늄의 처리보다 높았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제21권4호
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• pp.153-157
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• 2011

Inductively Coupled Plasma(ICP)를 이용하여 다양한 조건으로 표면 처리한 Si(100) 기관 위에 Low Pressure Chemical Vapor Deposition(LPCVD)를 이용하여 Ge 층을 이종접합 성장하고, Ge 층 성장 초기의 표면 상태를 Scanning Electron Microscopy(SEM)을 통해 분석하였다. ICP를 이용하여 표면 처리된 Si(100) 기판 위에 성장된 Ge 층의 경우 ICP 처리하지 않은 시편보다 Ge 성장율이 약 5배 이상 증가되었다. ICP 처리된 시편의 Ge 성장률 증가는 ICP 표면 처리 공정으로 Si 기관 표면에서 떨어져 나간 missing dimer가 Ge adatom들에 핵을 형성할 자리를 제공하여 Ge island의 형성과 융합을 촉진시키는 것으로 사료된다.