In this study, The decomposition of gas-phase Benzene and Toluene, Xylene in air streams by direct UV Photolysis, UV/TiO$_2$ and UV/TiO$_2$/A.C process was studied. The experiments were carried out under various UV light intensities and initial concentrations of B.T.X to investigate and compare the removal efficiency of the pollutant. B.T.X was determined by GC-FID of gas samples taken from the a glass sampling bulb which was located at reactor inlet and outlet by gas-tight syringe. From this study, the results indicate that UV/TiO$_2$/A.C system (photooxidation-photocatalytic oxidation-adsorption process) is ideal for treatment of B.T.X from the small workplace. Although the results needs more verifications, the methodology seems to be reasonable and can be applied for various workplace (laundry, gas station et al.).
Nano-TiO$_2$ photocatalytic coatings were deposited on the stainless steel 304(50$\times$70$\times$3mm) by the APS(Atmospheric Plasma Spraying). Photocatlytic reaction was tested in MB(methylene blue) aqueous solution. For applying nano-TiO$_2$ powders by thermal spray, the starting nano-TiO$_2$ powder with 100% anatase crystalline was agglomerated by spray drying. Plasma second gas(H$_2$) flow rate and spraying distance were used as principal process parameters which are known to control heat enthalpy(heat input). The relationship between process parameters and the characteristics of microstructure such as the anatase phase fraction and grain size of the TiO$_2$ coatings were investigated. The photo-decomposition efficiency of TiO$_2$ coatings was evaluated by the kinetics of MB aqueous solution decomposition. It was found that the TiO$_2$ coating with a lower heat input condition had a higher anatase fraction, smaller anatase grain size and a better photo-decomposition efficiency.
In this study, plasma reformer technology with a LPG injector was investigated. It was developed with injection of LPG fuel and air in a region where the plasma discharge to make the thermal decomposition carbon fuel and to generate additional hydrogen. As a result of reforming test, when power is 70~100W supply, about HC 0.7% of the full reformed gas and hydrogen was generated from 1.2 to 1.5 %.
As this paper is observed the phase equilibrium diagram of mono- (methane) and multi-component(natural gas) hydrates, and the hydrate growth behavior is analysed and compared by the experiments during the reaction. The difference of mono and multi-component hydrates is an induction delay time and a plateau region. And the concentration of component of gases is changed during the reaction in multi-component hydrates and the concentration of components is changed during the decomposition of hydrate according to each decomposing rates of gases. At 6 MPa, 276.65 K and 600 rpm, the induction delay time of multi-component hydrate formation is observed shorter than that of mono-component hydrate formation because the hydrate nuclei of gases except methane form faster than those of methane. And the plateau region of mono-component hydrate is observed distinctly at 0.055 mole of $CH_4$/mole of water and that of multi-component hydrate is observed at 0.04 mole of $CH_4$/mole of water.
천연가스의 주요 구성성분은 메탄, 에탄, 프로판으로 99%이상 차지하고 있으며 천연가스 하이드레이트(NGH)는 압축천연가스(CNG)에 비해 체적당 질량이 크고 액화천연가스(LNG) 보다 상대적으로 유리한 온도 및 압력조건으로 인해 천연가스의 경제적인 저장 및 수송 수단으로 주목 받고 있다. $CH_4$ - $C_2H_6$, $CH_4$ - $C_3H_8$ 혼합가스 하이드레이트의 제조시 반응시간에 따른 하이드레이트의 거동을 관찰하였으며 생성조건의 변화에 따른 하이드레이트의 생성속도를 비교하였다. 하이드레이트의 생성이 진행될 때 기상에서의 $C_2H_6$, $C_3H_8$의 몰 비는 감소함을 보여주었고 이러한 변화는 $CH_4$ - $C_3H_8$가 $CH_4$ - $C_2H_6$보다 더욱 빠르게 진행되었다. 또한 생성된 하이드레이트의 해리과정이 진행될 때 역시 서로 다른 해리속도에 의해 조성의 변화를 관찰 할 수 있었다.
Deposition of parylene (PA) films has been explored at substrate temperatures below 2$0^{\circ}C$ and pressures below 4 torr. The film thickness was measured using AFM and the film thickness measured was 3,500-12,000$\AA$ and the growth rate was 20-70$\AA$/min. T도 dielectric constant of the deposited PA films was found to be 2.66 and the dielectric strength was in excess of 2$\times$105V/cm. The growth rate became a maximum at a precursor decomposition temperature of $600^{\circ}C$. It was found that the growth rate decreased with increasing substrate temperature, whereas it increased with increasing pressure. At a precursor decomposition temperature of 75$0^{\circ}C$ or at a deposition pressure above 1 Torr the film surface became rough due to particle formation in the gas phase. The condensation of a p-xylylene monomer on the substrate surface turned out to be a rate-limiting step in the growth of the PA films.
We hypothesized the primary effect of ginseng was to protect cell membrane fatty acids from decomposition caused by free radicals. To confirm the antioxidant effect of ginseng, we measured the inhibitory effect on the formation of thiobarbituric acid-reactive substances, an indicator of lipid peroxidation, and evaluated the free radical scavenging effect of ginseng by electron spin resonance spectrometer, and gas chromatography. The results showed that thiobarbituric acid-reactive substances formed and the loss of arachidonic acid during lipid peroxidation, and that hydroxyl (-like) radical peak formed by the iron complex (ferric nitrilotriacetate, an known free radical generator in vitro) were completely inhibited by ginseng extract. This antioxidant effect of ginseng may be responsible for its wide pharmacological actions in clinical practice. As the free radical reactions in general are rapid and non-specific, ginseng seems to act as a normalizer, rather than a general tonic, at the stages of acute or chronic active phase of the various diseases.
The relative Arrhenius parameters for t-butoxy radical decomposition (log $A_d$, $E_d$) and hydrogen abstraction of t-butoxy radical from hydrogen donor (log $A_d$, $E_d$) by competitive method were obtained as follows: for cyclohexane; log $A_a/A_d$ = -4.17 mole/l and $E_d-E_a$ = 9.01 kcal/mole, for isobutane; log $A_a/A_d$ = -5.70 mole/l and $E_e-E_a$= 11.0 kcal/mole. From the reported Arrhenius parameters for t-Butoxy radical decomposition reactions the parameters for t-Butoxy radical reactions with isobutane and cyclohexane are estimated to be log $A(l/mol{\cdot}sec)$ = 8.4, $E_a$ = 4.3 kcal/mol and $log A (l/mol{\cdot}sec)= 9.9,\;E_a$ = 6.3 kcal/mol, respectively.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.23
no.2
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pp.1-10
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1990
Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) is an epitaxial process utilizaing ane or more of organometallice as reactnte to grow compound semicond semiconductror layers. MOVPE is basically a cold wall process in which reactants are delivered without reacting with each other to the heated substrate where reactants are thermally decomposed to from compound semiconductors through chemical reaction. Since reactants are delivered as gas phase and the formation of the single crystal compunds depends on the thermal decomposition of the reactants, details of MOVPE relies on the hydrodynamics and pyroltsis and chemical reation of reactants inside on reaction chamber. It has been demonstrated that MOVPE is capable of growing virtually all of the III-V, II-VI and IV-VI compound semiconductrs, fabricating ultrathin epilayers, for ming abrupt hetrointerfaces with monolayer transition width, and is suitable for multi-wafer operation yilding a high throghtput. Overiew of reactror componts and layer, characteristics, and status of MOVPE are discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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