• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1262-1264
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• 1993

An amorphous $Se_{75}Ge_{25}$ thin film as inorganic resist for the focused ion beam lithography(FIBL) is investigated. This film offers an attractive potential alternative to polymer resists because of a number of advantages, such as the possibility of preparing physically uniform films of thickness as small as 200A and obtaining both positive and negative resist action in the same material, compatibility with dry processing, the sensitivity on optical, e-beam and ion beam exposure, the high-temperature stability, etc. In previous paper, the defocused ion beam-induced characteristics in a-$Se_{75}Ge_{25}$ film has been propose. Practically it is neccesary to know the relation with resist and source ions. For the purpose, the ion stopping power, the ion projected range and ion transmission coefficiency are studied. In this paper, the theoretically calculated values of parameters are presented and compared with theory.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2011년도 제37회 추계학술대회논문집
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• pp.493-496
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• 2011

본 논문은 이온빔 기술에 대하여 발표된 논문을 중심으로 조사하였다. 이온빔의 기술은 기질이나 가공물에서 표면을 깎아내는 기법과 이와 반대로 표면에 이온을 증착 개질 시키는 두 가지로 크게 대별할 수 있고 문헌상으로는 후자가 더욱 활발하다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.109-110
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• 2008

• 한국분말재료학회지
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• 제19권1호
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• pp.67-71
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• 2012

The present paper gives an overview about the Atom Probe Tomography technique and its application to powder materials. The preparation of needle-shaped Atom Probe specimens from a single powder particle using focused-ion-beam milling is described. Selected experimental data on mechanically alloyed (and sintered) powder materials are presented, giving insight into the atomic-scale elemental redistribution occurring under powder metallurgical processing.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.636-639
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• 2003

It is difficult to machine below 10 micrometers by conventional machining methods, such as micro-EDM. However, ultra micro machining using focused ion beam(FIB) is able to machine to 50 nanometers. In addition, 3 dimensional structures can be made by a combination of FIB and CVD to the level of 10 nanometers. Die ＆ moulds techniques are better than one-to-one machining techniques in the mass production of ultra size structures, in regards to production costs. In this case, the machining precision of die ＆ moulds affects produced parts. Also, it is advantageous to machine die ＆ moulds to the 10 micrometer level by FIB technique rather than other techniques. In this paper, the grooving characteristics for die ＆ mould materials by FIB were carried out experimentally in order to compare the machining characteristics of FIB with conventional machining methods. The results showed that the machining parameters and the scanning path of FIB affects the precision. The machined width and depth of the groove varied depending on the required depth due to the redeposition of the sputtered ion material accumulating on both the bottom and the side of the wall.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권5호
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• pp.389-396
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• 1994

The bilayer film of Ag/a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ and the monolayer film of a-S $e_{75.G}$ $e_{25}$ act as a negative-type and a positive-type resist in focused ion beam lithography, respectively. Using a model which takes into account the ion stopping power, the ion projected range, the ion concentration implanted into resists and the ion transmission coefficient, etc., the ion resist parameters are calculated for a broad range of ion energies and implanted doses. Ion sources of A $r^{+}$, S $i^{++}$ and G $a^{+}$ are used to expose resists. As the calculated results, the energy loss per unit distance by Ga'$^{+}$ ion is about 10$^{3}$[keV/.mu.M] and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80[keV] G $a^{+}$ ion energy are 0.0425[.mu.m] and 0.020[.mu.m], , respectively and the resist thickness of a-S $e_{75}$ G $e_{25}$ to minimize the ion penetration rate into a substrate is 0.118[.mu.m].u.m]..u.m].

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 추계학술대회 논문집
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• pp.609-610
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• 2008

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2005년도 창립60주년 기념 추계 학술대회
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• pp.239.2-239.2
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• 2005

• 한국진공학회지
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• 제10권4호
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• pp.396-402
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• 2001

전자빔 증착기를 이용하여 1000 $\AA$의 두께를 가진 MgO박막을 구리 기판위에 상온에서 증착하였다. 스퍼터링수율 측정시 MgO 층에 충전현상을 없애주기 위해서 1000 $\AA$ 두께의 Al을 증착하였다. 갈륨 액체금속을 집속이온빔 이온원으로 사용하였다. 두 개의 정전렌즈를 사용하여 이온빔을 집속하였고, MgO에 이온빔을 주사하기 위해 편향기를 사용하였다. 가속전압의 변화에 따라 시료대 전류와 이차입자 전류를 측정하였고, 이 전류값은 소스에 인가하는 가속전압에 따라 변화되었다 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 분석된 시료대 전류, 이차입자 전류 및 순수빔 전류의 값을 사용하여 결정하였다. 집속이온빔 장치의 가속전압이 15 kV일 때 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.30으로 나왔고 가속전압의 값이 증가할 때 스퍼터링 수율이 선형적으로 증가하였다. 이러한 결과를 볼 때 집속이온빔 장치를 이용하면 MgO 박막의 스퍼터링 수율을 측정할 패 매우 효과적임을 알 수 있다.

• Applied Microscopy
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• 제40권4호
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• pp.177-183
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• 2010

집속이온빔장치(focused ion beam, FIB)는 전자보다 무거운 양이온빔을 이용하여 시료를 10~100 nm 정도로 깎아 낼 수 있는 장비로 주로 재료분야에서 활용되어 왔다. 최근 세계적으로 의생물 분야에서의 활용이 점차 늘어나고 있는 추세에 있어 국내연구자들의 이해를 돕기 위해 간단히 기기의 메커니즘과 그 활용예를 기술 하고자 한다. FIB에 주로 사용되는 갈륨(Ga)빔의 특성 때문에 시료의 표면을 효과적으로 쳐 낼 수 있고, 전계 방사형 주사전자현미경(FESEM)을 이용하면 그 표면의 영상을 얻을 수 있다. 이 두 가지 시스템을 하나의 시스템으로 묶어낸 것을 dual beam system이라고 한다. 최근 이러한 시스템을 이용하여 효모, 병원균에 감염된 식물 등이 소개되었으며, 통상적으로 경도가 높아 처리하기 힘든 상아나 어패류의 껍질 등의 시료를 효과적으로 분석한 연구도 있다. 또한 FIB를 이용한 밀링과 FESEM을 이용한 절단면 촬영을 반복하여 얻는 영상을 이용하여 신경계의 연결망을 재구성하려는 연구가 활발하게 진행되고 있다. FIB/FESEM dual beam은 의생물학 분야의 다양한 연구에 활용될 수 있는 유용한 도구며, 의생물 시료의 3차원 연구에 크게 기여할 수 있을 것으로 판단된다.