• Journal of Magnetics
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• 제2권1호
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• pp.16-21
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• 1997

Those were investigated, the crystallographic, morphological, and magnetic properties of barium ferrite film (SiO2/Si substrate) prepared by sol-gel dip coating. Appropriate sol was prepared by dissolvin barium and iron nitrate in ethylene glycol at 80$^{\circ}C$. To obtain the films, thermally oxidized p-type silicon substrate with (111) of crystallographic orientation were dipped into the sol, dried at 250$^{\circ}C$ to remove organic material, and heated at 800$^{\circ}C$ for 3 hours in air for the crystallization of barium ferrite. It was found that the particles of barium ferrite formed on the substrate exhibited needle-like shape placing parallel to the substrate and its c-axis is long axis direction. There was tendency that the coercive force in horizontal direction to the substrate was higher than that in vertical direction to it. This tendency was profound in large thickness.

• 한국자기학회지
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• 제16권1호
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• pp.1-5
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• 2006

결정구조는 같은 spinel 구조이나, 자기적으로는 각각 반강자성과 준강자성 특성을 띠고 있는 $Co_3O_4$와 자철광 $Fe_3O_4$의 혼성 Co-ferrite인 $Co_xFe_{1-x}O_4$ 박막을 sol-gel법으로 제조하여, Fe 이온에 대한 Co 이온 치환으로 발생된 양이온 거동이 Co-ferrite 박막의 결정구조 및 자기적 특성에 미치는 효과를 XRB 실험, VSM 측정, 그리고 Conversion Electron Mossbauer Spectroscopy (CEMS) 실험으로 조사하였다. 그 결과 $Co^{3+}$ 이온이 주로 $Fe^{3+}$ 이온을 치환하여 단위정의 크기가 감소를 가져오며, 결정구조는 inverse spinel 구조에서 normal spinel 구조로 변환된다. CEMS 분광실험을 통하여 확인된 Fe 이온의 site preference는 주로 $Fe^{3+}$ 이온이 $Co^{3+}$ 치환됨을 보여주고 있으며, 동시에 B-site의 $Co^{2+}$ 이온은 A-site로 이동된다. 자화곡선 측정결과 Co 조성값의 증가로 자기 moment값이 감소되는 것으로 나타났는데, 이것은 low spin상태의 $Co^{3+}$이 high spin상태의 $Fe^{3+}$이온을 치환하여 주로 발생한 것이다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1998년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.20-21
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• 1998

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1992년도 춘계학술발표회
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• pp.132-133
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• 1992

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.38-39
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• 2000

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1998년도 추계연구발표회 논문개요집
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• pp.74-75
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• 1998

• 한국자기학회지
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• 제16권2호
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• pp.140-143
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• 2006

단결정 상태의 $CoFe_2O_4$ 박막을 rf magnetron sputtering 증착법을 이용하여 (100) MgO 기판 위에 성장시켰다. X선 회절기, Rutherford back-scattering 분석기와 고감도 주사전자현미경을 이용하여 측정한 결과 증착된 박막이 기판과 잘 정렬되어 성장한 것을 확인할 수 있었다. $600^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 페라이트 박막은 약 200nm크기의 사각형 형태로 규칙적으로 분포되어 있음이 관찰되었다. 그러나 $700^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 박막은 불규칙한 모양으로 이루어져 있었으며 30nm에서 150nm에 이르는 다양한 입자 크기를 보이고 있었다. 섭동자화기를 이용한 자기이력곡선 측정 결과 성장한 박막의 자화용이축이 기판과 수직하게 배열하는 것을 알 수 있었다. 또한 MgO 기판과 성장 박막과의 격자상수 차이로 인하여 기판과 수직한 방향의 보자력은 매우 큰 값을 나타내었다. 즉 평행한 방향의 보자력은 283 Oe이고 수직한 방향의 보자력은 6800 Oe였다. $700^{\circ}C$의 기판 온도에 서 성장한 페라이트 박막은 $600^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 박막의 보자력 및 포화자화 값과 유사한 값을 보였으나 각형비는 급격하게 감소하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제20권11호
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• pp.1313-1318
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• 1999

Lewis bases were employed to control the stoichiometry of ferrite film prepared by light enhanced plating (LEP) technique. When 2,2'-bipyridyl was used as a Lewis base, conversion electron Mosbauer spectroscopy (CEMS) and x-ray powder diffraction (XRD) experiments showed that the main component of the ferrite films was metal-deficient magnetite (Fe3(1-δ)O4). Nonstoichiometry and roughness of LEP films were increased by the addition of 2,2'-bipyridyl. Using ethylenediaminetetraacetate (EDTA) as a Lewis base, produced film that was a mixture of magnetite and Υ-FeO(OH). No low temperature transition (Verwey transition) of magnetite was detected in resistivity and ac-susceptibility measurements for the LEP films. Surface morphology of the LEP films was observed by atomic force microscopy (AFM). The size of dominant particles was about 0.2 μm.

• 한국자기학회지
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• 제16권6호
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• pp.283-286
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• 2006

고밀도 자기기록용 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 자성박막에서 계면확산 장벽으로써 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층의 역할을 연구하였다. 열처리동안 $1900{\AA}$의 두께를 가진 비정질 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막에서 계면확산은 약 $700^{\circ}C$에서 일어나기 시작하였다. 열처리온도를 $800^{\circ}C$까지 증가시켰을 때, 계면확산은 자기특성을 저하시킬 정도로 급격히 진행되었다. 고온에서의 계면확산을 억제하기 위하여, $110{\AA}$ 두께의 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층을 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막의 계면에 증착하여 사용하였다. Ba-페라이트/${\alpha}-Al_{2}O_{3}/SiO_{2}$ 박막에서는 $800^{\circ}C$의 고온까지 열처리하여도 계면확산이 심각하게 일어나지는 않았다. ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층에 의하여 계면확산이 억제되기 때문에 Ba-페라이트 자성박막의 포화자속밀도와 보자력이 향상되었다. 따라서 Ba-페라이트/$SiO_{2}$ 박막의 계면에서 ${\alpha}-Al_{2}O_{3}$ 버퍼층은 $SiO_{2}$ 기판 성분의 계면확산 장벽으로 사용될 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권9호
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• pp.883-887
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• 2006

In order to attain high-rate deposition of Mn-Zn ferrite thin film for soft magnetic underlayer in perpendicular magnetic recording media, a reactive sputtering using powder-metal targets under the mixture gas of Ar and $O_{2}$ was performed. It was succeeded that Mn-Zn ferrite films with (111) crystal orientation were deposited on Pt(111) underlayer without any annealing process. The film revealed 3.4 kG of 4 ${\pi}Ms$, 70 Oe of coercivity. The deposition rate of the new method was 16 times as high as that of the conventional method using ferrite target.