The paper presents solutions of conventional piezoresistive pressure sensors. Deflection of diaphragm by external stress causes some problems, because the electrode is deposited on the diaphragm formed piezoresistors. To solve these problems, piezoresistors is formed by two implantation steps. To fabricate diaphragm, the backside silicon etching step is done by immersing the wafer into TMAH solution. $30{\mu}m$ thick diaphragm is obtained. Sensitivity of the piezoresistive pressure sensor fabricated is 48.6 mV/V-psi.
Multi-walled carbon nanotubes (CNTs), which were purified by etching in 25% $H_2SO_4/HNO_3$ solution at $60^{\circ}C$ for 2 h, were modified via plasma polymerization coating of acrylic acid, allylamine or acetylene, and then utilized to prepare PEI/CNT composites. First, plasma polymerization conditions were optimized by measuring the solvent resistance of coatings in THF, chloroform and NMP, and the tensile strength of PEI/CNT (0.5%) composites as a function of plasma power (20~50 W) and monomer pressure (20~50 mTorr). The tensile strength of PEI/CNT composites was further evaluated as a function of CNT loading (0.2, 0.5 and 1%). Finally, FT-IR was utilized to provide a better understanding of the improved tensile properties of PEI/CNT composites via plasma polymerization coating of CNTs. Plasma polymerization of acrylic acid greatly enhanced the tensile strength of PEI/CNT composites, as did allylamine but to a lesser degree, while acetylene plasma polymerization coating decreased tensile strength.
Park, Jae-Hyun;Koh, Young-Dae;Ko, Young-Chun;Sohn, Hong-Lae
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제30권7호
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pp.1593-1597
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2009
A biosensor has been developed based on induced wavelength shifts in the Fabry-Perot fringes in the visible reflection spectrum of appropriately derivatized thin films of porous silicon semiconductors. Porous silicon (PSi) was generated by an electrochemical etching of silicon wafer using two electrode configurations in aqueous ethanolic HF solution. Porous silicon displayed Fabry-Perot fringe patterns whose reflection maxima varied spatially across the porous silicon. The sensor system studied consisted of a mono layer of porous silicon modified with Protein A. The system was probed with various fragments of an aqueous Human Immunoglobin G (Ig G) analyte. The sensor operated by measurement of the Fabry-Perot fringes in the white light reflection spectrum from the porous silicon layer. Molecular binding was detected as a shift in wavelength of these fringes.
The diamond wire sawing method to produce silicon wafers for the photovoltaic application is still a new and highly investigated wafering technology. This technology, featured as the higher productivity, lower wear of the wire, and easier recycling of the coolant, is expected to become the mainstream technique for slicing the silicon crystals. However, the saw marks on the wafer surface have to be investigated and improved. This paper discusses the removal of saw marks on diamond wire-sawn single crystalline silicon wafer. With a pretreatment step using tetramethyl ammonium hydroxide ($(CH_3)_4NOH$, TMAH) and conventional texturing process with KOH solution (1 % KOH, 8 % IPA, and DI water), the saw marks on the surface of the diamond wire-sawn silicon wafers can be effectively removed and they are invisible to naked eyes completely.
Organic solar cells have attracted extensive attention as a promising approach for cost-effective photovoltaic devices. However, organic solar cell has disadvantage of low power conversion efficiency in comparison with other type of solar cell, due to the recombination ratio of hole and electron is too large in the active layer. Thus we have change the surface structure of PEDOT:PSS layers to improve the current density by colloidal lithography method using various-size of polystyrene sphere. The two types of coating method were applied to fabricate the different pattern shape and height, such as spin coating and drop casting. Using the organic solvent, we easily eliminate the PS sphere and could make the varied pattern shapes by controlling the wet etching time. Also we have measured the electrical properties of patterned PEDOT:PSS film to check whether it is suitable for organic photovoltaics.
In this experiment, etching was performed on the incisor enamel surfaces of 13 Albino rats, weighted about 130gm, with both 30% and 50% concentrations of the phosphoric, citric acids, and EDTA solution for 60 seconds. Immediately after extraction of the animal teeth, laboratory procedures for scanning electron microscopic observations were made and the author derived the following conclusions: 1. On the enamel surface treated with 30% and 50% phosphoric acids, all of the periphery, center of the enamel rods, and the enamel matrices were severely etched. 2. In the etched with 30% citric acid group, only the small part of the enamel rods were etched out. In case of 50% citric acid the periphery, center of enamel rods were partially or entirely etched, and the intermatrix spaces were widened. 3. In the 30% and 50% of the EDTA etched groups, the periphery of the enamel rods explicitely were etched, and the spaces between matrices were widened.
This paper studies on the design and fabrication of a micro in-plane positioning actuator integrated with a microlens. Proposed in-plane actuator is a micro XY-stage which is composed of two linear comb drive actuators being orthogonal to each other. In the fabrication of actuator, the single crystalline silicon substrate anodically bonded with a #7740 glass substrate is used because of simple release and passivation. The structure of actuator is formed on the silicon facet of bonded fixture by chlorine-based deep RIE and then released by isotropic wet etching of glass (#7740) in hydrofluoric acid solution. Fabricated actuator has a large travel range up to $30({\pm}15){\mu}m$ and high resolution less than 0.01f1l1l in each direction. Experimented resonant frequency of this actuator is 630Hz. The micro-Fresnel lens is fabricated on the square-shape glass structure prepared in the center of actuator.
In this paper, electrostatic scanner mirror for optical pick-up head is designed and fabricated. The mirror size is $20{\mu}m{\times}2400{\mu}m{\times}2400{\mu}m$ and torsional beam size is $10{\mu}m{\times}20{\mu}m{\times}500{\mu}m$. Static deflection angle is calculated ${\pm}0.4$ degrees when the maximum driving voltage is 20 V. Silicon mirror was fabricated using KOH etching and deep RIE. For passivation of the patterned mirror from KOH solution, parylene thin film was used and its usefulness has been verified. Driving electrode was fabricated using UV LIGA process. Mirror and electrode were bonded.
Low-stress silicon nitride (LSN) thin films with embedded metal line have been developed as free standing structures to keep microspheres in proper locations and localized heat source for application to a chip-based sensor array for the simultaneous and near-real-time detection of multiple analytes in solution. The LSN film has been utilized as a structural material as well as a hard mask layer for wet anisotropic etching of silicon. The LSN was deposited by LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) process by varing the ratio of source gas flows. The residual stress of the LSN film was measured by laser curvature method. The residual stress of the LSN film is 6 times lower than that of the stoichiometric silicon nitride film. The test results showed that not only the LSN film but also the stack of LSN layers with embedded metal line could stand without notable deflection.
To overcome the undesirable deformation, peeling off and geometrical restrictions which were mainly caused by differences in thermal expansion coefficients during the cladding of aluminum strip and stainless strip, new processing method based on vacuum die casting is designed and implemented in fabricating Al/Fe-17wt%Cr steel(stainless steel). To increase cast-bonding ability, the surface of Fe-17wt%Cr steel is electrochemically etched to have optimum pit size and density. The optimum conditions to generate best pit are as follows: Solution: 1 M $Fecl_{3}$+1 M Nacl, Addition: $CuCl_{2}+HCl$, Current density: 80 $mA/cm^{2}$, Total current: 400 $coulomb/cm^{2}$, AC frequency :60 Hz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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