Park, Young-Hee;Kim, Yun-Hi;Kwon, Soon-Ki;Koo, In-Sun;Yang, Ki-Yull
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제31권6호
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pp.1649-1656
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2010
Internal reorganization energy due to the structural relaxation in hole or electron hopping mechanism is one of the measurements of key indices in designing an organic thin film transistor (OTFT) for flexible display devices. In this study, the reorganization energies of dicyanoanthracenes for the hole and electron transfer were estimated by adiabatic potential energy surface and normal mode analysis method in order to examine the effect on the energies for the positional variation of the cyano substituents in the anthracene as a protocol of acenes to design an organic field effect transistor. The reorganization energy for the hole transfer was reduced considerably upon cyanation of anthracene, especially at the 9,10-positions of anthracene, and the origin of the reduction was interpreted in terms of understanding the coupling of vibrational modes to the hole transfer.
This study presents that various grain boundary junctions are prepared by controlling the seed orientation combined with an artificial hole in a melt process REBCO bulk superconductor. Large grain YBCO superconductors have been fabricated with various grain boundary junctions that the angle between the grain boundary and the <001> axis of Y123 crystal is $0^{\circ}$, $30^{\circ}$ and $45^{\circ}$, respectively. The presence of the artificial hole is beneficial for the formation of clean grain boundary junction and single peak trapped magnetic field profiles have been obtained. Artificial hole makes two growth fronts meet at a point on a periphery of the artificial hole. The presence of artificial hole is not likely to affect on the distribution of Y211 particles. The newly formed <110> facet lines are explained by the formation of new Y123/liquid interface with (010) crystallographic plane.
The HANARO (High-flux Advanced Neutron Application Reactor) has operated since 1995. The Cold Neutron(CN) hole was implanted in the reflector tank from the design stage. Before a vacuum chamber and a moderator cell for the cold neutron source are installed into the CN hole, it is necessary to measure the exact size of the inside diameter and thickness of the CN hole to prevent the interference problem. Due to inaccessibility and high radiation field in the CN hole, a mechanical measurement method is not permitted. The immersion ultrasonic technique is considered as the best method to measure the thickness and the diameter. The 4 axis manipulator of the 2 channel of a sensor module was fabricated. The transducer of 10 MHz results in 0.03 nun of resolution. The inside diameter and thickness for 550 points of the CN hole were measured using 2 channel ultrasonic sensors. The results showed that the thickness is in the range of 13-6.7 mm and inside diameter is in the range of o 156-165. These data will be a good reference in the design of a cold neutron source facility.
A series of numerical analyses was conducted to predict the thermal performance of a solar air heater depending on the hole configuration and geometry in the absorber plate. The planar dimensions of the prototype were 1 m (W) by 1.6 m (H), and the maximum air flow considered was $187m^3/h$. It was considered that protruding holes with a triangular opening in the absorber plate would invoke turbulence in the air flow to enhance the convection heat transfer. Six different hole configurations were investigated and compared with each other, while the hole opening height was considered as a design variable. Three-dimensional transient analyses were performed with a commercial software package on the airflow and heat transfer in the model. The numerical results were analyzed and compared from the view point of the outlet air temperature and its time response to derive the optimal hole pattern and hole opening height.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권6호
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pp.260-264
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2007
We have studied stability in organic light-emitting diode depending on buffer layer and cathode. A transparent electrode of indium-tin-oxide(ITO) was used as an anode. An electron injection energy barrier into organic material is different depending on a work function of cathodes. Theoretically, the energy barriers for the electron injection are 1.2 eV, -0.1 eV, and 0.0 eV for Al, LiAl, and LiF/Al at 300 K, respectively. We considered the cases that holes are injected to organic light-emitting diode. The hole injection energy barrier is about 0.7 eV between ITO and TPD without buffer layer. For hole-injection buffer layers of CuPc and PEDOT:PSS, the hole injection energy barriers are 0.4 eV and 0.5 eV, respectively. When the buffer layer of CuPc and PEDOT:PSS is existed, we observed the effects of hole injection energy barrier, and a reduction of operating-voltage. However, in case of PVK buffer layer, the hole injection energy barrier becomes high(1.0 eV). Even though the operating voltage becomes high, the efficiency is improved. A device structure for optimal lifetime condition is ITO/PEDOT:PSS/TPD/$Alq_3$/LiAl at an initial luminance of $300cd/m^2$.
The buckling characteristics of cylindrical shells with a circular hole, under axially compressed loads, have been analyzed and the results have been compared with existed experimental results. Deflection function with decay factor is assumed, and stress distribution around a circular hole in tensioned infinite plate is used for formulating buckling energy function. Applying Rayleigh Ritz procedure to this energy function, characteristic equation of eigenvalue problem is determined. Buckling load is defined by the minimum value of eigenvalues calculated according to several decay factors, and as the radius ratios of a circular hole (a/R) and shell thickness ratios (R/t) are varied, the reducing characteristics of buckling load are studied. As a result, buckling loads are reduced by about 50% according to some radius ratios ($a/R{\geq}0.15$) of circular hole and are not nearly affected by shell thickness ratio(R/t).
We were designed the hole transport layer of the new composite skeleton structure having a high charge mobility and thermal stability. In this paper, a hole transport layer material based on thiophene molecular structure capable of hole mobility characteristics and high triplet energy was designed and synthesized. The structures and properties of the synthesized compounds were characterized by NMR, fluorescence spectroscopy and energy band gap. As a result of NMR measurement, it was confirmed that when analyzing the integrated type with the position where the measured peak is displayed, it agrees with the structure of hole transport materials. The emission characteristics of the hole transport layer material showed absorption characteristics at 412 nm and 426 nm, respectively, and exhibited emission characteristics in the range of 469 nm and 516 nm.
In laser full penetration welding process, full penetration hole(FPH) is formed as a result of force balance between the vapor pressure and the surface tension of the surrounding molten metal. In this work, a three-dimensional numerical model based on a conserved-mass level-set method is developed to simulate the transport phenomena during laser full penetration welding process, including full penetration keyhole dynamics. Ray trancing model is applied to simulate multi-reflection phenomena in the keyhole wall. The ghost fluid method and continuum method are used to deal with liquid/vapor interface and solid/liquid interface. The effects of processing parameters including laser power and scanning speed on the resultant full penetration hole diameter, laser energy distribution and energy absorption efficiency are studied. The model is validated against experimental results. The diameter of full penetration hole calculated by the simulation model agrees well with the coaxial images captured during laser welding of thin stainless steel plates. Numerical simulation results show that increase of laser power and decrease of welding speed can enlarge the full penetration hole, which decreases laser energy efficiency.
This study investigated the effect of strain on hole mobility and hole effective mass in a p-channel rectangular nanowire with two-dimensional confinement. We obtained the valence energy band structure using the six-band k.p method and calculated the mobility and effective mass of the hole in the [100] direction taking the strain effect into account in the inversion region. The hole mobility of strained silicon was calculated using Kubo-Greenwood formalism. As a result, it showed good performance compared to relaxed silicon, but its magnitude was insignificant.
For commercialization of hydrogen refuelling station (HRS), we need to reduce the clearance distance for jet fire in the real entities in the HRS. Thus, we revisited the current regulations of clearance distance for jet fire in the law. The law in korea has been set up by replica of japan, not by our own scientific basis. Recently, sandia lab developed Hydrogen Risk Assessment Model (HyRAM) tools and we simulated a series of circumstances such as 10 to 850 bar with several leak hole sizes. In 850 bar with 10 mm diameter hole leak cases, it shows $4,981kW/m^2$ at 12 m separation from leak source and $1,774kW/m^2$ at 17 m separation from leak source. In 850 bar with 1 mm diameter leak hole, it shows $0.102kW/m^2$ at 12 m separation and $0.044kW/m^2$ at 17 m separation. Current law may be acceptable with 1 mm hole size with 850 bar.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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