• The Korean Journal of Ceramics
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• v.4 no.1
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• pp.9-14
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• 1998

Diamond-like carbon(DLC) films were deposited on buffer-layered ZnS substrates by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) method. Ge and GeC buffer layera were used between DLC and ZnS substrates to promote the adhesion of DLC on ZnS substrates. Ge buffer layers were sputter deposited by RF magnetron sputtering and $GeC^1$ buffer layers were deposited by same method except using acetylene reactive gas. The relatinship between film properties and deposition conditions was investigated using gas pressure, RF power and dc bias voltage as PECVD parameters. The hardness of DLC films were measured by micro Vickers hardness test and the adhesion of DLC films on buffer-layered ZnS substrates were studied by Sebastian V stud pull tester. The optical properties of DLC films on butter-layered ZnS substrates were characterized by ellipsometer and FTIR spectroscopy.

• ETRI Journal
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• v.13 no.2
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• pp.70-79
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• 1991

본 기초연구에서는 Langmuir-Blodgett technique의 기술현황을 정리하고 기본적인 증착조건에 관한 실험 및 증착된 막의 분석을 행하였다. Langmuir-Blodgett technique은 유기물을 nm정도까지 얇고 균일하게 입힐 수 있는 장점이 있기 때문에 tunneling barrier로서 전자소자에 응용 가능성이 높고, 분자의 배열을 조절할 수 있는 능력을 이용하여 2차 비선형계수를 이용한 광학소자에 높은 잠재력을 지니고 있다. 이 성질을 이용하기 위하여 Ba stearate 와 pentacosa diynoic acid막을 이용하여 기본적인 실험을 하고 그 막을 XRD와 ellipsometer 그리고 Nomarsky 현미경 등을 이용하여 분석하였다. 그 결과 LB막은 subphase의 pH와 온도의 영향을 받음을 알 수 있었으며, 위의 분석방법을 이용하여 양질의 막을 얻을 수 있는 조건을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.67-67
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• 1999

기판위에 증착되는 박막에서 박막의 초기성장을 분석하는 것은 최종적으로 성장된 박막을 더욱 효과적으로 성장시킬 수 있다는 장점이 있다. 따라서 본 연구는 두께가 수십 $\AA$ 이하인 비정질 실리콘 박막의 초기성장과정을 분석하였는데 특히, 기판과 증착조건에 따른 박막성장의 차이를 알아 보았다. 여러 종류의 기판에서 Sputtering으로 비정질 실리콘을 증착시켰고, 박막의 초기성장과정을 실시간 분광 Ellipsometer와 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 분석하였다. C-Si, gold, Chrome 기판에 대하여 같은 조건에서 증착시간을 1초부터 8초까지 달리하면서 각각의 시간대별로 박막성장의 차이를 비교분석하였다. 증착조건 및 증차시간과 기판을 서로 다르게 할 때, 비정질 실리콘 박막의 초기성장과정에서의 차이를 볼 수 있었다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.3 no.2
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• pp.92-100
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• 1992

A Spectroscopic Ellipsorneter(SE) is fabricated. The PSA configuration of the rotating analyzer type where the effects of the imperfect optical elements can be minimized is adopted. The straight through operation shows that the standard deviations of tan$\psi$ and cos$\Delta$ are less than 0.2% in the spectral range of 300nm-850nm. From the film data of ellipsometric spectra the bulk dispersion relation of a few fluorides and the void distribution inside the fluoride thin films are obtained.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1997.07d
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• pp.1552-1554
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• 1997

In this paper, thin films of PI were fabricated VDPM of dry processes which are easy to control the film's thickness and hard to pollute due to volatile solvents. From FT-IR, PAA thin films fabricated by VDP were changed to PI thin films by thermal curing. From AFM and ellipsometer experimental, the higher curing temperature is, the films thickness decreases and reflectance increases. Therefore, PI could be fabricated stable by increasing curing temperature.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1995.06a
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• pp.75-83
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• 1995

In-situ, 실시간 측정을 위해 상업화 모형의 He-Ne 타원해석기 및 고속 분광 타원해석기(SE, Spectoscopic Ellipsometer)를 제작하였다. 후자의 경우 1024개의 화소를 가진 광학 다채널분석기 (OMA, Optical Multichannel Analyzer)를 이용한 RP형 분광타원해석기로써 1.5∼5.0eV의 측정 파장대역을 가지며, 한 스펙트럼의 측정시간은 약 100msec이다. cos 와 tanΨ의 정확도는 각각 약0.01이하로 측정되었다. 이러한 in-situ 타원해석기들을 사용하여 Au, ZnS 박막들의 성장 초기단계에서의 박막구조의 변화, 성장속도 그리고 HF식각후의 Si 자연산화층(SiO2)의 초기 성장과정을 밝히고 SiO2/c-Si 시료의 온도를 비 접촉적, 비간석적으로 기존의 방법에 의한 결과와 비교하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.3 no.2
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• pp.17-21
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• 2004

Aluminum nitride(AlN) thin films were deposited on silicon substrate by reactive RF magnetron sputtering without substrate heating. We investigated the dependence of some properties for AlN thin film on sputtering conditions such as working pressure, $N_2$ concentration and RF power. XRD, Ellipsometer and AES has been measured to find out structural properties and preferred orientation of AlN thin films. Deposition rate of AlN thin film was increased with an increase of RF power and decreased with an increase of $N_2$ concentration. AES in-depth measurements showed that stoichiometry of Aluminium and Nitrogen elements were not affected by $N_2$ concentration. It has shown that low working pressure, low $N_2$ concentration and high RF power should be maintained to deposit AlN thin film with a high degree of (0002) preferred orientation.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• v.18 no.2
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• pp.156-161
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• 2014

Anisotropy profile of a rubbed polyimide film is investigated using both a modified ultra high precision transmission ellipsometer and the analysis software previously developed to determine the optic axis distribution of discotic liquid crystals in the wide view film. The distorted sinusoidal variation of the ellipsometric constants obtained at an oblique angle of incidence indicates that the optic axis varies from $14.7^{\circ}$ to $40.6^{\circ}$ from the sample plane. The magnitude and distribution of anisotropy is expressed in terms of no, ne, and the cosine-shaped tilt angle distribution of the optic axis in a rubbed polyimide film.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.52-52
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• 2002

Recently, nanoporous low-k materials using porogen (pore generating material) template method have gained much attraction due to the feasible advantage of dielectric constant decrease with the increase of porogen content, which is burning out and making air void by thermal curing. In nanoporous thin films, further, control of pore size and its distribution is very important to retain suitable thermal, mechanical and electrical properties. In this study, nanoporous low-k films were prepared with MTMS-BTMSE copolymer and porogen. The effect of interaction of copolymer matrix and porogen on pore size and distribution was comparatively to investigate with molecular structure and end functional group. The characterization of nanoporous thin film prepared was also performed using various techniques including NMR, GPC, Ellipsometer, FE-SEM, TGA, and FT-IR.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.05a
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• pp.477-480
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• 1999

III-V족 화합물 반도체인 p-CaP의 자연산화막윽 30% $H_2O$$_2$용액 내에서 화학적인 이온반응을 통한 전기분해의 원리를 이용한 양극산화방법으로 형성하여 그 성장률과 광학적성질을 조사하였다. GaP자연산화막의 형성은 산소의 확산과정으로 이루어지며, 양측산화 막의 두께는 산화시간과 인가전압에 대하 여 선형적으로 비례하여 증가하였다. 자연산화막의 표면은 전자현미경으로 산화막의 두게는 파장이 6328$\AA$인 Ellipsometer를 사용하여 측정하였다. 광학적 성질은 적외선 영역에서의 광흡수 특성은 퓨리에 적외선 분광기로 측정하였으며 XRD 로 전압과 시간에 따른 산화막에 조성과 결정면을 알아보았다. 산화막의 형성방법과 형성조건에 따른 GaP 자연산화막의 절연막으로 이용하여 산화막에 조성에 따른 MOS 다이오드로서의 이용 가능성을 조사하였다.