A triboelectrostatic separation system using a fluidized bed tribocharger for the removal of PVC material in the mixture of PVC/PS plastics is designed and evaluated as a function of electric field strength, air flow rate, and the mixing ratio of two-component mixed plastics. It consists of a fluidized-bed tribocharger, a separation chamber, a collection chamber and a controller. PVC and PS particles can be imparted negative and positive surface charges, respectively, due to the difference in the work function values of plastics suspended in the fluidized-bed tribocharger, and can be separated by passing them through an external electric field. Experimental results show that separation efficiency is strongly dependent on the electric Deld strength and particle mixing ratio. In the optimum conditions of 150 Ipm air flow rate and 2.6 kV/cm electric field strength a highly concentrated PVC (99.1%) can be recovered with a yield of more than 99.2% from the mixture of PVC and PS materials for a single stage of processing.
This paper describes the properties of temperature-viscosity characteristics of hydrous and anhydrous electro-rheological fluids containing starch and titanium particle in silicone oil ER effects arise from electrostatic forces between the starch particles and titanium particles dispersed to the electrically insulating silicone oil induced when electric field is applied ER fluids under electric field control have been found to provide resonable estimates of ER fluid viscosity variation characteristics. Yield shear stress of the ER fluids were measured the couette cell type rheometer as a function of electrlc fields. The outer cup is connected to positive electrode(+) and bob becomes ground(-). The electrie field is applied by high voltage DC power supply. In this experiment shear rates were increased from 0 to 200 $s^{-1}$ in 2 minutes. The ER fluid's viscosity change is very small and stable at the temperature range of $40^{\circ}C$ to $60^{\circ}C$. Therefore, applications of a new ER fluid to control systems application are suitable.
Park, Kyung-Ho;Seo, Woo-Jong;Lee, Soon-Il;Koh, Ken-Ha
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.309-312
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2002
Triode field emitters with planar-carbon-nanopaticle (CNP) cathodes were successfully fabricated using the conventional photolithography and the hotfilament chemical vapor deposition. Electron emission from a CNP triode emitter with a 12-${\mu}m$-diameter gate hole started at the gate voltage of 45 V, and the anode current reached the level of ${\sim}120$ nA at the gate voltage of 60 V, respectively. For the quantitative analysis of the Fowler-Nordheim (F-N) type emission from a CNP triode emitter, we carried out 2dimensional numerical calculation of electrostatic potential using the finite element method. As it turned out, a radial variation of electric field was very important to account for the emission from a planar emitting layer. By assuming the graphitic work function of 5 eV for CNPs, we were able to extract a consistent set of F-N parameters, together with the radial position of emitting sites.
In order to analyze the mechanism of semiconductor device damages by ESD, this paper adopts a new charged-device model(CDM), field-induced charged nudel(FCDM), simulator that is suitable for rapid routine testing of semiconductor devices and provides a fast and inexpensive test that faithfully represents ESD hazards in plants. The high voltage applied to the device under test is raised by the fie]d of non-contacting electrodes in the FCDM simulator. which avoids premature device stressing and permits a faster test cycle. Discharge current md time are measured and calculated The FCDM simulator places the device at a huh voltage without transferring charge to it, by using a non-contacting electrode. The only charge transfer in the FCMD simulator happens during the discharge. This paper examine the field charging mechanism, measure device thresholds, and analyze failure modes. The FCDM simulator provides a Int and inexpensive test that faithfully represents factory ESD hazards. The damaged devices obtained in the simulator are analyzed and evaluated by SEM Also the results in this paper can be used for to prevent semiconductor devices from ESD hazards.
In recent emerging industry, Display field becomes bigger and bigger, and also semiconductor technology becomes high density integration. In Flat Panel Display, there is an issue that electrostatic phenomenon results in fine dust adsorption as electrostatic capacity increases due to bigger size. Destruction of high integrated circuit and pattern deterioration occur in semiconductor and this causes the problem of weakening of thermal resistance. In order to solve this sort of electrostatic failure in this process, Soft X-ray ionizer is mainly used. Soft X-ray Ionizer does not only generate electrical noise and minute particle but also is efficient to remove electrostatic as it has a wide range of ionization. X-ray Generating efficiency has an effect on soft X-ray Ionizer affects neutralizing performance. There exist variable factors such as type of anode, thickness, tube voltage etc., and it takes a lot of time and financial resource to find optimal performance by manufacturing with actual X-ray tube source. MCNPX (Monte Carlo N-Particle Extended) is used for simulation to solve this kind of problem, and optimum efficiency of X-ray generation is anticipated. In this study, X-ray generation efficiency was measured according to target material thickness using MCNPX under the conditions that tube voltage is 5 keV, 10 keV, 15 keV and the target Material is Tungsten(W), Gold(Au), Silver(Ag). At the result, Gold(Au) shows optimum efficiency. In Tube voltage 5 keV, optimal target thickness is $0.05{\mu}m$ and Largest energy of Light flux appears $2.22{\times}10^8$ x-ray flux. In Tube voltage 10 keV, optimal target Thickness is $0.18{\mu}m$ and Largest energy of Light flux appears $1.97{\times}10^9$ x-ray flux. In Tube voltage 15 keV, optimal target Thickness is $0.29{\mu}m$ and Largest energy of Light flux appears $4.59{\times}10^9$ x-ray flux.
3차원적인 정량적 구조-활성상관(3D-QSAR: 비교분자 유사성지수분석(CoMSIA) 및 비교분자장분석(CoMFA)) 기법에 기초하여 4-Methyl-2H-benzopyran-2-one 유도체들(1-23)의 항산화활성에 관한 benzo 고리상 치환기($R_1-R_4$)들의 영향을 정량적으로 검토하였다. CoMSIA 모델은 CoMFA 모델보다 통계적으로 양호하였으며 최적화된 CoMSIA 2 모델의 예측성($q^2$=0.700)과 상관성($r^2$=0.979)이 가장 양호하였다. 항산화 활성에 관한 CoMSIA 2 모델의 기여비율(%)은 수소결합 주게장(HD) 43.5%, 정전기장(E) 41.8% 및 입체장(S) 14.7%로 정전기장과 H-결합 주게장이 항산화활성에 가장 큰 영향을 미치는 요소이었다. CoMSIA 등고도 분석결과, benzo 고리상에 양하전을 선호하며, 그리고 H-결합주게가 아닌 치환기($R_1-R_4$)들이 항산화활성을 증가시킬 것으로 예상되었다.
단백질-리간드 결합 예측은 새로운 신약 선도 물질을 발견하고 최적화 하는데 있어서 중요한 도구로 널리 사용되고 있다. 결합의 정확도는 일반적으로 각 결합 계산에서 사용되는 평가 함수(scoring function)에 따라 결정된다. 평가 함수는 그 함수가 가지고 있는 기력 가정에 따라 force-field based, empirical, knowledge-based의 세 가지로 분류할 수 있다. 이 중에서 force-field based 함수는 물리적인 상호작용을 가장 구체적으로 기술한다. 그러나 현재 제시된 대부분의 force-field based 함수들은 분산력과 정전기적인 힘 등의 에너지만을 고려할 뿐 엔트로피의 영향을 포함하지 않는 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 force-field based 평가 함수를 이용하는 경우 기존의 도킹 프로그램이 생성해 내는 구조 정보를 활용하여, 엔트로피를 고려할 수 있는 방법을 제시한다. 또한 이 방법을 DOCK 평가 함수에 적용시켰을 때 decoy discrimination에서 향상된 결과를 얻어낼 수 있음을 보였다. 이는 더 정확한 도킹 계산이 가능함을 의미한다.
평상시 전자기 현상들을 접하고 있는 우리들은 이러한 현상들의 단편적인 면은 느낄 수 있으나 시각적으로 파악하기 어려운 현상이며 더욱이 물리 및 정량적으로 이해하기란 쉬운 일이 아니다. 이들 정전기장, 정자기장 또한 전자장이 결합되어있는 교류자장은 실험식과 이론적으로 James Clerk Maxwell에 의해 1873년도에 완성되었다. 따라서 전자장은 Maxwell방정식에 근거를 둔 수식의 전개로 전기 자기 현상을 다룬다. 이러한 수식전개가 바탕이 되는 학문이기에 처음으로 전자기를 배우는 중 고등학교 학생, 대학 기본과목인 대학 물리를 배우는 대학생, 이와 관련된 전공 학생에게 조차 이해하기에 어려움이 따른다. 따라서 이러한 난점들을 해결하고자 전자기 제반현상들을 시각적으로 파악하고 더 나아가 수식적으로 해를 구하기 어려운 문제들을 수치해석방법을 이용해 해의 거동을 추정할 수 있도록 하는 학부 수준의 가상 교육용 전자장 프로그램을 개발하고자 하였다.
To raises the possibility of designing effective inhibitors, 3D-QSAR for the inhibition of calcineurin-NFAT signaling by new N-(4-oxo-1(4H)-naphthalenylidene benzenesulfonamide derivatives as inhibitors of intracellular protein-protein interactions were studied using CoMFA and CoMSIA methodology. The three templates, N-(4-oxo-1(4H)-naphthalenylidene)benzenesulfonamide (A), benzenesulfonamide (B) and 4-oxo-1(4H)-naphthalenylidene (C) were selected to improve the statistic of the present 3D-QSAR models. The best models with combination of standard field in CoMFA, and steric field and electrostatic field in CoMSIA derived from the template, B and C, because most of the compounds tend not to be aligned in template A. From the based on the CoMFA and CoMSIA contour maps, the $R_1$ and $R_2$ groups on 4-oxo-1(4H) naphthalenylidene ring are steric favor. The ortho position on the benzenesulfonyl ring is steric disfavor and the meta position is steric favor. In addition, the oxygene atom of carbonyl group will have better inhibition activities as it has a negative charge favor. From these findings, we can conclude that the analyses of the contour maps provided insight into possible modification of molecules for effective inhibitiors.
A novel intravenous (IV) infusion monitoring sensor is presented to measure the drop rate in the drip chamber of an IV infusion set. It is based on a capacitive proximity sensor and detects the variation of the longitudinal electric field induced by the drop falling into the drip chamber. Unlike the conventional capacitor sensor with two semi-cylindrical conductor plates, the proximity sensor for IV monitoring is composed of a pair of conductor rings which are mounted on the outer surface of the drip chamber with a specific gap between them. The characteristics of the proximity sensor for IV monitoring were investigated through three dimensional electrostatic simulations. It showed quite superior performances in comparison with the conventional capacitor sensor. Especially, the proposed proximity sensor exhibits consistent sensitivity regardless of its mounting position on the drip chamber, operates normally though the drip chamber is tilted and shows robustness to the changes of the drop size and the drip factor of the IV infusion set. Thus, the proximity sensor for IV monitoring is more suitable for use in actual environment of IV therapy compared with the conventional capacitor sensor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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