Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제1권4호
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pp.25-29
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2000
In this paper, PET(Ployethylene Terephthalate) films with semiconducting and interface layers were investigated, The electrical properties, such as volume resistivity, tan$\delta$(dissipation factor) and breakdown strength at various temperatures were measured. Thermal analysis of PET and semiconducting films were measured and compared by differential scanning calorimeter(DSC) of each film. It is found that the volume resistivity of films(dependence on semiconducting interface layers)and electrical properties of PET films are changed ,Breakdown strength and dissipation factor of PET films with semiconducting layer (PET/S/PET) are decreased more greatly than PET and PET/PET films, due to the increase of charge density of charges at two contacted interfaces between PET and semiconductor, The dissipation factor of each films in increased with temperature,. For PET/S/PET film, is depended on temperature more than PET of PET/PET. However, the breakdown strength is increased up to 85$\^{C}$ and then decreased over 100$\^{C}$The electrical properties of PET films with semiconducting/interface layer are worse than without it It is due to a result of temperature dependency, which deeply affects thermal resistance property of PET film more than semiconducting/interface layers.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권5호
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pp.215-217
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2007
Recently, color reproduction properties have attracted lots of attention with mass production of LCD especially corresponding to TV application and achievement of color reproduction properties such as CRT have been considered one of technical goals for high quality display. However, revision of the color reproduction properties only with CF(color filter) have fundamental limitations and resultant decrease in the transmittance of panel causes demand on high brightness of BL(Back Light). In this paper, we present such a method in which by optimization of original light spectrum from the BL source will improves the color reproduction properties corresponding to them of the CRT. When the intensity of RED and Green-Blue from ramp is revised densely, the characteristics different from CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp) used before become added so that about 11 % of the color reproduction properties is improved compare to the existing LCD panel.
This paper, experiment manufactures device of Metal/Poly-${\gamma}$ Benzyl $_D$-GlutamateOrganic Films/Metal structure using PBDG and I-V properties and C-F properties. The I-V characteristic is measured that approve voltage from 0 to +2[V] of device and the distance between electrode is larger, could know that small current flow and thin film could know that had insulation property. C-F characteristic has each other affinity between the polarization amount and frequency. Permittivity of MIM device could know by dipole that is voluntary polarization of LB film that polarization is happened. The capacitor properties of a thin film is better as the distance between electrodes is smaller.
TiO2 thin films were grown using the Atomic Layer Deposition (ALD) and their structural and electrical properties were investigated. The crystal structure, dielectric constant, and surface roughness of the TiO2 thin films grown by the ALD deposition method were studied. The grown TiO2 thin films showed an anatase crystal structure, and their properties varied with temperature. In particular, the properties of the TiO2 thin films were confirmed by changing the process temperature. The electrical properties of Metal-Insulator-Silicon (MIS) capacitor structures were analyzed using a probe station. The performance improvement of capacitors using TiO2 as a dielectric was confirmed by measuring capacitance through Capacitance-Voltage (C-V) curves.
When varistors for circuit protection is used at high voltage, it's operation properties were unstable because of leakage current and nonlinear coefficient with grain size. For the purpose of improving of ZnO varistor properties, high voltage ZnO varistor was fabricated with Y$_2$O$_3$addition. Electrical properties were investigated according to sintering conditions and mixing conditions. ZnO varistors was shown ohmic Properties when it's applied voltage was below critical voltage. It was shown non-ohmic properties over critical voltage, because current was increased with decreasing resistance.
Ultrasonic sensor is suitable as a next-generation autonomous driving assist device because its lower price compared to that of other sensors and its sensing stability in the external environment. Although Pb(Zr, Ti)O3 (PZT)-relaxor ferroelectric system has excellent piezoelectric properties, the change in capacitance is large in the daily operating temperature range due to the low phase transition temperature. Recently, many studies have been conducted to improve the temperature stability of ferroelectric ceramics by controlling the grain size and crystal structure, so it is necessary to study the effect of the grain size on the piezoelectric properties and the temperature stability of PZT-relaxor ferroelectric system. In this study, the piezoelectric properties, phase transition temperature, and temperature coefficient of capacitance (TCC) of 0.9 Pb(Zr1-xTix)O3-0.1 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 (PZTx-PZN) ceramics with various grain sizes were investigated. PZTx-PZN ceramics with larger grain size showed higher piezoelectric properties and temperature stability, and are expected to be suitable for ultrasonic devices in the future.
Chuan, M.W.;Wong, Y.B.;Hamzah, A.;Alias, N.E.;Sultan, S. Mohamed;Lim, C.S.;Tan, M.L.P.
Advances in nano research
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제12권2호
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pp.213-221
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2022
Silicon carbide (SiC) is a binary carbon-silicon compound. In its two-dimensional form, monolayer SiC is composed of a monolayer carbon and silicon atoms constructed as a honeycomb lattice. SiC has recently been receiving increasing attention from researchers owing to its intriguing electronic properties. In this present work, SiC nanoribbons (SiCNRs) are modelled and simulated to obtain accurate electronic properties, which can further guide fabrication processes, through bandgap engineering. The primary objective of this work is to obtain the electronic properties of monolayer SiCNRs by applying numerical computation methods using nearest-neighbour tight-binding models. Hamiltonian operator discretization and approximation of plane wave are assumed for the models and simulation by applying the basis function. The computed electronic properties include the band structures and density of states of monolayer SiCNRs of varying width. Furthermore, the properties are compared with those of graphene nanoribbons. The bandgap of ASiCNR as a function of width are also benchmarked with published DFT-GW and DFT-GGA data. Our nearest neighbour tight-binding (NNTB) model predicted data closer to the calculations based on the standard DFT-GGA and underestimated the bandgap values projected from DFT-GW, which takes in account the exchange-correlation energy of many-body effects.
In this paper, we have evaluated temperature, electric field, Pressure dependency and dielectric properties of EPDM XLPE and EPDM/XLPE\`s interface. Temperature dependency of EPDM had great influence with dielectric properties, but pressure and applied voltage of EPDM had no effect on dielectric properties. Dielectric properties of XLPE were influenced by not only temperature but also pressure and applied voltage. We knowed that dielectric properties of EPDM/XLPE were trended toward tendency of those of EPDM
The physical properties of biomaterials are important for their isolation and separation from body fluids. In particular, the precise evaluation of the multi-physical properties of single biomolecules is essential in that the correlation between physical and biological properties of specific biomolecule. However, the majority of scientific equipment, can only determine specific-physical properties of single nanoparticles, making the evaluation of the multi-physical properties difficult. The improvement of analytical techniques for the evaluation of multi-physical properties is therefore required in various research fields. In this study, we developed a motion-tracking algorithm to evaluate the multi-physical properties of single-nanoparticles by analyzing their behavior. We observed the Brownian motion and electric-field-induced drift of fluorescent nanoparticles injected in a microfluidic chip with two electrodes using confocal microscopy. The proposed algorithm is able to determine the size of the nanoparticles by i) removing the background noise from images, ii) tracking the motion of nanoparticles using the circular-Hough transform, iii) extracting the mean squared displacement (MSD) of the tracked nanoparticles, and iv) applying the MSD to the Stokes-Einstein equation. We compared the evaluated size of the nanoparticles with the size measured by SEM. We also determined the zeta-potential and surface-charge density of the nanoparticles using the extracted electrophoretic velocity and the Helmholtz-Smoluchowski equation. The proposed motion-tracking algorithm could be employed in various fields related to biomaterial analysis, such as exosome analysis.
As a II-IV compound semiconductor, ZnO has a wide band gap of 3.37 eV with transparent properties. Due to this transparent properties, ZnO materials can be also employed as the transparent conducting electrode materials. Recently, rapid progress has been made in the field of DSSC (dye sensitized solar cell)area. Therefore, strong demands have been required for the transparent electrodes with low temperature processing and cheap cost. In this paper, we will prepare ZnO thick films on the PET substrates for the electrode applications. We will investigate the structural and microstructure properties through the XRD, and SEM analysis, respectively. Also, we will study the electrical of specimens to apply the conducting electrode.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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