A motive and aim of enactment of UN Convention on the Use of Electronic Communication in Int'l Contracts is based on need to eliminate legal obstacles that might arise under existing int'l trade law instruments and promote int'l electronic commercial transaction. But when it is used with related articles, 14, 15, 16, 17 for offer under CISG, one of the most successful conventions which produces substantive law for the unification of int'l trade, questions of practical importance, for example possibilities of withdrawal, revocation, rejection of offer, the extent of its criteria arise from therewith. In conclusion, a effective electronic offer has to assure easily access and confirmation of trade terms besides criteria of offer under CISG. An offer can be withdrawal, if electronic message of withdrawal has entered the offeree's server before or at the same time when the offer has reached the offeree but agreement expressly or impliedly, between the parties about type, format, email address is a prerequisited. Implied consent could be presumed through prior conduct or trade usages between the parties under CISG articles 8, 9. The term "have reached" correspond to the time which is able to retrieve the electronic message of withdrawal. But without express or implied agreement between them about electronic communication of type, format, email address, an offer can be withdrawal before or at the same time when it has entered offeree's other e-mail address and confirmed by his retrieval. In case of the revocation, electronic message of the revocation is effective before the offeree's dispatching an acceptance. A prerequisite for the revocation by electronic communication is came as the above mentioned withdrawal except for concept of a time difference for reach. In case of a rejection of offer, when a rejection by electronic communication has entered the offeror's server, an offer is ended. But a prerequisite for the rejection by electronic message is same as the above mentioned withdrawal and revocation.
언론학 분야에서는 커뮤니케이션의 물리학(physics of communication)에 대한 연구가 그리 많지 않았지만, 커뮤니케이션 망 사업자나 미디어 콘텐츠 사업자 및 이들의 이해관계를 조정해야 하는 정부 등 많은 집단에게 커뮤니케이션 물리학은 매우 중요한 사안이다. 전파, 유선망과 케이블, 위성 등 전자 커뮤니케이션 네트워크의 구축, 분할, 이용 접근성 및 규제의 문제가 이와 관련되는 대표적인 문제들이다. 이 글은 전자 커뮤니케이션 네트워크의 중요성에 대한 관심을 유도하고 전자 커뮤니케이션 네트워크의 구축과 분할, 접근과 이용에 있어 통제되지 않은 과도한 사유화와 상업화가 초래할 수 있는 문제들에 초점을 맞춘다. 현재 확장되고 있는 커뮤니케이션 네트워크의 사유화와 상업화, 난개발과 통제되지 않은 경쟁에 대한 문제제기이다. 이 글은 전자 커뮤니케이션 네트워크의 사회적 관리와 통제의 중요성을 제기하는데 있어서 '교통경제학(transport economics)'과 '네트워크 중립성(network neutrality)'의 개념과 시각을 수용 활용하고자 했다. 도로나 철도, 항해로와 항공로 등의 교통망이나 인프라 개발 및 운영 등과 관련된 문제들을 다루는 교통 경제학과 네트워크의 개방성과 접근성을 강조하는 네트워크 중립성 논의들을 통해, 현재 우리 사회에서 확장되고 있는 커뮤니케이션 네트워크의 난개발과 불균형 개발, 사유화와 상업화, 미디어 사업자들 간의 망 분쟁의 문제들을 어떻게 사회적인 의제로 다루고 그 해결을 위한 정책 이념을 모색할 수 있는지에 초점을 맞추었다. 전자 커뮤니케이션 네트워크는 점점 더 융합되고 그 경계가 소멸되고 있다. 이로 인해 정보 기술과 미디어, 콘텐츠 산업 간의 경계 또한 해체되고 있다. 커뮤니케이션계의 전면적인 변동이라고까지 말할 수 있는 상황에서, 이 글은 커뮤니케이션 기술과 수단들에 대한 사회적 계획과 관리를 둘러싼 풍부한 사회적 담론들과 상상력이 요구된다는 점을 강조하고 있다. 또 전자커뮤티케이션 네트워크의 사회적 공공성을 모색해 보면서, 이러한 실천들이 디지털 민주주의 또는 민주적 커뮤니케이션 생태의 유기적인 발전을 지향해야 함을 강조하고 있다.
전 세계적으로 공동연구의 중요성이 커짐에 따라 공동연구 현황을 파악하고자 하는 요구가 증가하고 있다. 본 연구는 한국전자통신학회 논문지를 통해서 나타나는 공동연구 네트워크가 어떤 구조를 보이는지 규명하는데 그 목적이 있다. 이 목적을 위해 본 연구는 2006년부터 2013년 2월까지 한국전자통신학회지에 게재된 공동연구 논문을 분석한다. 한국전자통신학회 논문지에 게재된 논문의 저자들을 12개의 서브 네트워크로 구성하여 분석한 결과, 서브 네트워크는 주로 지역성에 기반한 공동연구 네트워크임을 밝혀내었다.
In recent days, cooperative diversity and communication security become important research issues for wireless communications. In this paper, to achieve low probability of interception (LPI) and high throughput in the cooperative single-carrier frequency division multiple access (SC-FDMA) system, a new physical layer transmission scheme is proposed, where a new encryption algorithm is applied and adaptive modulation is further considered based on channel state information (CSI). By doing so, neither relay node nor eavesdropper can intercept the information signals transmitted from user terminal (UT). Simulation results show above new physical layer transmission scheme brings in high transmission safety and secrecy rate. Furthermore, by applying adaptive modulation and coding (AMC) technique according to CSI, transmission throughput can be increased significantly. Additionally, low peak-to-average power ratio (PAPR) characteristic can still be remained due to the uniform distribution of random coefficients used for encryption algorithm.
Kim, Yun-Young;Lee, Dong-Hun;An, Byeong-Rok;Chung, Ki-Ho;Ryu, Heung-Gyoon
Journal of electromagnetic engineering and science
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제1권2호
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pp.120-125
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2001
The capacity improvement in the DS-CDMA system can be obtained by allowing spectrum-overlap between adjacent channels. In this paper, an analysis for capacity improvement is newly considered according to the various chip waveforms in the partial spectrum-overlapped DS-CDMA system. Optimum-overlapping ratio is numerically found to obtain maximum capacity improvement for each chip waveform. Assuming the bandwidth containing 95% of the total power, i.e., 95% power bandwidth, rectangular chip waveform has the largest capacity improvement in the considered chip waveforms and then the amount of improvement is 136.5% at overlapping ratio 1.5 for BER = $10^{-3}$TEX> . Furthermore, as the required BER becomes lower, the capacity improvement gets smaller for a1l of chip waveforms. For the unequal power channels, it is shown that the larger capacity improvement is achieved as the power of desired channel becomes larger than that of adjacent channels. And the capacity improvement can be obtained even though the desired channel power is lower than the adjacent channel power.
이 논문은 블루투스 장치의 전 세계적으로 사용되는 무허가 ISM 대역의 2.4GHZ로 동작한다. 이 대역은 널리 사용되고 있지만, 블루투스 이외의 수많은 다른 시스템들이 이 주파수대를 사용하고 있고 마이크 웨이브 오븐과 같은 잡음원이 이 주파수대를 차지하고 있기 때문에 오히려 방해가 심한 주파수 대역이 되고 있다. 블루투스는 이와 같이 방해가 심한 전파환경을 극복하기 위해 빠른 주파수 호핑법과, 에러방지 및 정정기술을 사용하고 있다. 이와 같은 상황에도 불구하고, 저가의 블루투스 시스템이 신뢰성 있고 안정하게 하기 위해 언급할 몇 가지 중요한 설계 상 문제점이 있고 시스템 설계시 몇 가지 면밀한 주의가 필요하므로 연구하고자 한다.
We studied a bilateral switching device for spin transfer torque (STT-MRAM) based on 3D device simulation. Metal/P/N+or Metal/N/P+ junction device with $30{\times}30nm2$ area which is composed of one side schottky junction at Metal/P/N+ and Metal/N/P+ provides sufficient bidirectional current flow to write data by a drain induced barrier lowering (DIBL). In this work, Junction device confirmed that write current is more than 30 uA at 2 V, It is also has high on-off ratio over 105 under read operation. Junction device has good process feasibility because metal material of junction device could have been replaced by bottom layer of MTJ. Therefore, additional process to fabricate two outer terminals is not need. so, it provides simple fabrication procedures. it is expected that Metal/P/N+ or Metal/N/P+ structure with one side schottky junction will be a promising switch device for beyond 30 nm STT-MRAM.
In order to grow the crystalline solar cells industry continuously, development of alternate low-cost manufacturing processes is required. Plasma doping system is the technique for introducing dopants into semiconductor wafers in CMOS devices. In photovoltaics, plasma doping system could be an interesting alternative to thermal furnace diffusion processes. In this paper, plasma doping system was applied for phosphorus doping in crystalline solar cells. The Plasma doping was carried out in 1~4 KV bias voltages for four minutes. For removing surface damage and formation of pn junction, annealing steps were carried out in the range of $800{\sim}900^{\circ}C$ with $O_2$ ambient using thermal furnace. The junction depth in about $0.35{\sim}0.6{\mu}m$ range have been achieved and the doping profiles were very similar to emitter by thermal diffusion. So, It could be confirmed that plasma doping technique can be used for emitter formation in crystalline solar cells.
The surface passivation is one of the important methods that can improve the efficiency of solar cells and can be classified into two methods: wet-chemical passivation and film passivation. In this paper, chemical HF treatment were employed for the passivation of n-type silicon wafers and their effects were studied. To investigate film passivation effects, the silicon nitride films were also deposited by PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) on n-type silicon wafers treated with chemical HF. The minority carrier lifetime measurements were used for evaluation of the passivation characteristics in the all experiments steps. We confirmed that the minority carrier lifetime was improved with chemical HF treatment due to passivation effects by H-termination.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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