발광체로 페릴렌기와 전자 전달체로 트리아진기를 측쇄로 가지는 새로운 비공액계 청색 발광 공중 합체를 합성하였다. 제조한 공중합체는 클로로벤젠, THF 클로로포름, 벤젠과 같은 일반 유기 용매에 매우 잘 녹았다. 전도성 투명 전극 (ITO)/공중합체 /알루미늄으로 구성된 단층형 유기 발광 소자는 공중합체에서 트리아진의 함유량이 $30\%$일 때 캐리어 균형이 잘 맞았고 최고의 외부 양자 효율 ($0.003\%$)을 나타내었다. 특히 위에서 제작한 유기 발광 소자는 페릴렌 발광체에 상응하는 청색 발광 (479 nm)을 나타냈다. 구동 전압은 5V로 매우 낮았고, 색 좌표는 X 값이 0.16, Y 값이 0.17이었다.
In this talk, I will introduce two topics. The first topic is the polymer light emitting diodes (PLEDs) using graphene oxide quantum dots as emissive center. More specifically, the energy transfer mechanism as well as the origin of white electroluminescence in the PLED were investigated. The second topic is the facile synthesis of eco-friendly III-V colloidal quantum dots and their application to light emitting diodes. Polymer (organic) light emitting diodes (PLEDs) using quantum dots (QDs) as emissive materials have received much attention as promising components for next-generation displays. Despite their outstanding properties, toxic and hazardous nature of QDs is a serious impediment to their use in future eco-friendly opto-electronic device applications. Owing to the desires to develop new types of nanomaterial without health and environmental effects but with strong opto-electrical properties similar to QDs, graphene quantum dots (GQDs) have attracted great interest as promising luminophores. However, the origin of electroluminescence (EL) from GQDs incorporated PLEDs is unclear. Herein, we synthesized graphene oxide quantum dots (GOQDs) using a modified hydrothermal deoxidization method and characterized the PLED performance using GOQDs blended poly(N-vinyl carbazole) (PVK) as emissive layer. Simple device structure was used to reveal the origin of EL by excluding the contribution of and contamination from other layers. The energy transfer and interaction between the PVK host and GOQDs guest were investigated using steady-state PL, time-correlated single photon counting (TCSPC) and density functional theory (DFT) calculations. Experiments revealed that white EL emission from the PLED originated from the hybridized GOQD-PVK complex emission with the contributions from the individual GOQDs and PVK emissions. (Sci Rep., 5, 11032, 2015). New III-V colloidal quantum dots (CQDs) were synthesized using the hot-injection method and the QD-light emitting diodes (QLEDs) using these CQDs as emissive layer were demonstrated for the first time. The band gaps of the III-V CQDs were varied by varying the metal fraction and by particle size control. The X-ray absorption fine structure (XAFS) results show that the crystal states of the III-V CQDs consist of multi-phase states; multi-peak photoluminescence (PL) resulted from these multi-phase states. Inverted structured QLED shows green EL emission and a maximum luminance of ~45 cd/m2. This result shows that III-V CQDs can be a good substitute for conventional cadmium-containing CQDs in various opto-electronic applications, e.g., eco-friendly displays. (Un-published results).
비닐렌기에 플루오르 치환기를 도입한 새로운 전자발광 (EL) 고분자인 poly(m-silylphenyl-p-phenylene-difluorovinylene) (m-SiP-PPDFV)는 GILCH polymerization 방법에 의해 합성된다. 이들 고분자는 단층 구조 (ITO/PEDOT/polymer/Ca:Al)의 light-emitting diodes (LEDs)에서 EL 발광층으로 사용되었다. m-SiP-PPDFV는 $\lambda_{max}$ = 452 nm 주위에서 PL 발광파장을 나타내었고, $\lambda_{max}$ = 497 nm 주위에서 녹색의 EL 발광을 나타내었다. 고분자의 current-voltage-luminance (I-V-L) 특성에서는 4.0 V 정도에서부터 소자가 작동되기 시작하였다. 고분자의 전자 친화도를 증가시키는 m-SiP-PPDFV을 얻기 위해 m-SiP-PPV의 모든 비닐렌기에 두개의 플루오르기를 도입하였고, 이로 인하여 소자 구동에서 비닐렌기의 색 안정도를 나타냈었다. PPV 유도체들에서 일어나는 비닐렌기의 산화반응을 보호하는 플루오르기는 전자 끄는 효과를 가지고 있어 소자의 색 안정도를 유지시킨다. 이번 연구로, 보다 안정화된 PPV 유도체를 얻기 위해, 플루오르기가 비닐렌기에 도입될 수 있음을 보여주고 있다.
In this study, several lanthanide complexes such as Eu$(TTA)_3$(Phen). Tb$(ACAC)_3$(Cl-Phen) were synthesized and the white-light electroluminescence (EL) characteristics of their thin films were investigated. where the devices having structures of anode/TPD/Tb$(ACAC)_3$(Cl-Phen)/Eu$(TTA)_3$(Phen)/$Alq_3$ or $Bebq_2$/ cathode and the low work function metal alloy such as Li:Al was used as the electron injecting electrode (cathode). Details on the white-light-emitting characteristics of these device structures were explained by the energy band diagrams of various materials used in these structures, where the energy levels of new materials such as ionization potential (IP) and electron affinity (EA) were measured by cyclic voltametric method.
The color stability and purity from OLED is of current interest. Aggregation of dyes alters the device color after fabrication of the devices. Exciplex and electroplex formations have been proposed to explain the aggregate color change. We investigate the possibility of exciplex formation and propose the new electroplex state that can cause the bathochromic shift of the electroluminescence spectrum from the devices with TPD/PBD layers. The photoluminescence maximum of the device was 420nm, and the electroluminescence maximum of the device to became 480nm. The bathochromic shift cannot be attained with photoluminescence study with highly concentrated TPD/PBD mixture. This clearly indicates that the 480nm spectrum of the devices is not resulted from the exciplex formation with TPD and PBD. We observed the overshoot in EL spectrum from the OLEDs. The most intense overshoot was observed at 460nm, which may be due to the aggregates that are formed after the electric field has been removed from the devices.
The effect of a-sexithiophene(${\alpha}-6T$) layers on the light emitting diode (LED) were studied. The ${\alpha}-6T$ was used for a buffer layer in electroluminescent (EL) devices. Enhanced carrier (hole) injection and improved emission efficiency were observed. Carrier injection characteristics were investigated as a function of ${\alpha}-6T$ later thickness. The efficiency of the electroluminescence was proportional to the thickness of ${\alpha}-6T$ layer. The highest efficiency was observed 600A of ${\alpha}-6T$ later, which was about 1.5 times higher than that of device without ${\alpha}-6T$ later. The device with a-6T showed an operation voltage lowered by 2V. The ${\alpha}-6T$ layer can substitute hole blocking layer, and control charge injection properties.
Two bicarbazyl-containing fluorene copolymers, PFEBCz (95/5) and PFEBCz (75/25), were synthesized for white light electroluminescence from a single emitting polymer. All synthesized polymers were soluble in common organic solvents such as chloroform and toluene. The weight-average molecular weights (Mw) of the PFEBCz (95/5) and PFEBCz (75/25) copolymers were found to be 11,000 and 5,700 with polydispersity indices 1.4 and 1.8. The EL spectrum of the PFEBCz (75/25) device showed bright white-light emission with CIE coordinates of (0.32, 0.34) at 1000 cd/m2, which is very close to that for pure white (0.33, 0.33). This white emission may have been due to strong excimer formation between the bicarbazyl and fluorene polymer backbone. The device exhibited a maximum brightness of 3400 cd/m2 with a maximum efficiency of 0.2 cd/A.
정보화 사회의 발전과 함께 멀티미디어에 대한 관심이 집중되고 있으며, 점유 공간이 작고 가벼우며 대면적이 가능한 정보 표시 디스플레이에 대한 기술은 고부가가치 산업으로 인식되어 지고 있다. 이러한 정보 표시 디스플레이들 중, 전기 발광 소자 (Electroluminescence Display : ELD), 액정 표시 디스플레이 (Liquid Crystal Display LCD), 플라즈마 디스플레이 (Plasma Display Panel) 등의 대한 연구가 세계적으로 매우 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 란탄 계열의 금속 착 화합물인 Tb(ACAC)$_3$(Phen)과 Tb(ACAC)$_3$(Phen-Cl)를 이용해 다비이스를 제작한후 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. 또한 luminous efficiency와 cyclic voltametric 방법을 이용해 에너지 밴드로 두 발광 물질인 Tb(ACAC)$_3$(Phen)과 Tb(ACAC)$_3$(Phen-Cl)을 비교.분석하였다. 본 연구의 디바이스 구조를 보면 anode/hole transporting layer (HTL)/emitting material layer (EML)/electron transporting layer (ETL)/cathode와 같고 ETL를 aluminum-tris- (8-hydroxyquinoline) (Alq$_3$)와 bis(10-hydroxybenzo(h)quinolinato)beryllium (Bebq$_2$)를 사용하였으며 HTL 로 N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD)를 사용하였다.
In this paper, the single and double heterostructure organic light-emitting devices(OLEDs) were fabricated. The single heterostructure OLED(TYPE 1) is consisted of TPD as a HTL(hole transfer layer) and Alq$_3$as an EML(emitting layer). The double heterostructure OLED(TYPE 2) is consisted of TPD as a HTL, Alq$_3$as an EML and PBD as an ETL(electron transfer layer). The another double heterostructure OLED(TYPE 3) is consisted of TPD as a HTL, PBD as an EML and Alq$_3$as an ETL. We obtained a strong green emission device with maximum EL emission wavelength 500nm in TYPE 3. When the applied voltage was 12V, the emission luminescence was 120.9cd/㎡. The chromaticity index of TYPE 3 was x=0.29, y=0.50. In the characteristic plot of current-voltage, TYPE 3 device was turned on at 6.9V. This voltage was a fairly low turn-on voltage. TYPE 1 and 2 device were turned on at 10V and 8.9V respectively. These types showed no good properties over that of TYPE 3.
ZnS:Mn TFEL device를 전자선 진공증착법으로 제작하여 전기광학적 특성에 관하여 조사하였다. $Ta_2O_5$ 박막의 산소 결핍에 따른 정전용량을 측정하기 위하여 산소분위기에서 열처리에 따른 AES(Auger electron spectroscopy)와 C-F를 측정하였다. 제작한 EL 소자의 전기장 발광 파장은 550~650nm 였으며 이것은 $Mn^{2+}$ 이온의 $3d^5$ 여기준위인 $^4T_1(^4G)$ 에서 $3d^5$ 기저준위인 $^6A_1(^S)$로의 내각전자전이 피크이다. 열처리를 수행하지 않은 $Ta_2O^5$를 절연층으로 사용한 EL 소자의 발광시작전압은 24~28V이고 색도 좌표값 X=0.5151, Y=0.4202인 황등색 발광을 하였다. $Ta_2O_5$를 절연층으로 사용한 소자가 저전압에서 구동이 가능하므로 EL 소자의 실용화가 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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