• 제목/요약/키워드: electrical anisotropy

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3차원 ID-FDTD 알고리즘의 Stability Condition과 광대역 특성 분석 (Analysis of Stability Condition and Wideband Characteristics of 3D Isotropic Dispersion(ID)-FDTD Algorithm)

  • 김우태;고일석;육종관
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제22권4호
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    • pp.407-415
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    • 2011
  • 본 논문에서는 등방성(isotropic) 특성과 작은 분산 오차(low dispersion error)를 갖는 3차원 등방성 시간 영역 유한 차분법(ID-FDTD: Isotropic Dispersion Finite Difference Time Domain) 방법의 stability condition과 광대역 해석 특성에 대해 논의하였다. 3차원 ID-FDTD 방법은 기존의 Yee FDTD 방법의 비등방성 특성과 큰 분산 오차를 개선하기 위해 제안되었다. 기존 연구에서는 3차원 ID-FDTD 방법의 stability condition을 수치적으로 계산하였지만, 이에 대한 검증이 충분히 이뤄지지 않은 상태이다. 이에 본 논문에서는 단일 주파수와 광대역 주파수 신호를 입력원으로 한 모의 실험 환경에서 3차원 ID-FDTD 방법의 stability condition 검증을 수행하였다. 또한 광대역 특성에 대해 3차원 ID-FDTD 방법과 유사한 알고리즘들을 비교 분석해 해보았고, 마지막으로 3D ID-FDTD을 적용하여 대형 크기 구 모델에 대해 radar cross section(RCS) 해석을 수행함으로써, 실질적 해석을 통한 알고리즘 검증 및 분석을 마무리 하였다.

이온빔 배향에 의한 수직 배향막의 액정 배향 (Vertical Alignment of Liquid Crystal by Ion Beam Irradiation)

  • 강동훈;김병용;김영환;옥철호;한정민;김종환;이상극;서대식
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.414-414
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    • 2007
  • In this study, Liquid Crystal (LC) alignment and tilt angle generation in Nematic Liquid Crystal (NLC) with negative dielectric anisotropy on the homeotropic PI surface with new ion beam exposure are reported. Also. high density of ion beam energy (DuoPIGatron type Ar ion gun) is used in this study. The tilt angle of NLC on the homeotropic Polyimide (PI) surface for all incident angles is measured about 38 degree and this has a stabilization trend. And the good LC alignment of NLC on the PI surface with ion beam exposure of $45^{\circ}$ incident angle was observed. Also the tilt angle of NLC on the homeotropic PI surface with ion beam exposure of $45^{\circ}$ had a tendency to decrease as ion beam energy density increase. The tilt angle could be controlled from verticality to horizontality. Also, the LC aligning capabilities of NLC on the homeotropic PI surface according to ion beam energy has the goodness in case of more than 1500 eV. Finally. the superior LC alignment thermal stability on the homeotropic PI surface with ion beam exposure can be achieved. For OCB(Optically Compensated Bend) mode driving, we can need pretilt angles control for fast response time. In this study, We success pretilt angles control. Consequently, this result can be applied for OCB mode.

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임프린팅을 이용한 BiLaO 패터닝과 액정 디스플레이 소자의 응용 (Patterning of BiLaO film using imprinting process for liquid crystal display)

  • 이주환
    • 전기전자학회논문지
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    • 제25권1호
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    • pp.64-68
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    • 2021
  • 정렬 패턴을 전사공정을 이용하여 BiLaO 박막 위에 패터닝하고 소성온도에 따른 액정 배향 특성에 대하여 연구 하였다. 졸겔 공정을 제작한 BiLaO 은 유리 기판 위에 스핀코팅으로 증착한 후 미리 제작된 정렬패턴을 전사하여 100, 150, 200, 250 ℃ 의 온도에서 소성하였다. POM분석으로부터 200℃ 이하의 소성온도에서 액정배향은 균일하지 않았고, 250 ℃의 소성온도에서 균일한 액정 배향 특성을 확인 할 수 있었고, 결정 회절 법 분석으로 부터도 확인 가능하였다. 전사 공정 시 250 ℃의 온도에서 패턴이 전사되었음을 Atomic force microscopy 을 통하여 확인 할 수 있었다. 250 ℃의 온도에서 전사된 정렬 패턴에 의하여 박막의 이방성을 획득 하였고 이방성 박막 위에서 액정 분자들이 고르게 배향 될 수 있었다. 따라서 BiLaO 산화막의 전사에 의한 액정 배향 공정은 소성온도에 영향을 받는다는 것을 확인 할 수 있었다.

암석 내 공극구조의 평가를 위한 전기임피던스의 적용 (Application of the Electrical Impedance of Rocks in Characterizing Pore Geometry)

  • 추민경;송인선;이희권;김태희;장찬동
    • 지질공학
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    • 제21권4호
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    • pp.323-336
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    • 2011
  • 지각의 수리역학적 거동은 유효공극의 크기 및 모양 등의 영향을 많이 받는다. 본 연구에서는 지하 유체의 이동 및 저장소가 되는 암석의 공극 특성을 전기임피던스를 이용하여 규명하였다. 공극의 구조가 서로 다른 3종의 화강암(황등, 포천, 양산)과 2종의 사암(보령, Berea)의 암석 시편(지름 : 38-50 mm, 길이 70-100 mm)을 전기전도도가 다론 전해질로 순차적으로 포화시킨 다음 시편의 전기임피던스를 측정하였다. 실험 결과 공극수의 염도가 증가할수록 전기비저항은 감소하고, 전기용량은 증가하는 뚜렷한 경향을 보였다. 또한 같은 염도의 공극수 조건 하에서 암석의 공극률이 증가할수록 전기비저항과 formation factor는 감소하지만, 전기용량 값은 증가하는 경향을 보였다. 이방성을 갖는 Berea 사암에서는 층리와 수직 방향의 임피던스를 측정했을 때 저항이 가장 크게 나왔으며, tortuosity와 cementation factor 값도 가장 높게 산정 되었다. 이는 층리의 수직 방향으로 공극의 연결성이 떨어진다는 것을 의미한다. 따라서 본 연구의 실험 결과는 암석의 전기적 특성이 공극률 뿐 아니라 공극의 구조와도 관련이 있음을 보여준다.

아몰퍼스 FeCoSiB 박막의 고감도 스트레인 검출특성 (High Sensitive Strain Detection of FeCoSiB Amorphous Films)

  • 신광호;황정현일;사공건
    • 센서학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.22-27
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    • 2000
  • 고자왜특성과 연자성특성을 가짐으로서 우수한 자기기계결합특성을 나타내는 아몰퍼스 FeCoSiB 박막의 스트레인 검출특성에 대해 연구하였다. 투자율은 박막기판을 마이크로메타를 이용하여 벤딩시켜 박막에 스트레인을 인가하면서 조사하였으며, 이때 박막에 스트레인이 인가되면 박막의 자기기계결합에 의해 투자율이 변화하였다. 스트레인에 의한 성능지수 $F=({\Delta}{\mu}/{\mu})/{\varepsilon}$ (단위스트레인에 대한 투자율의 변화)가 $1.2{\times}10^5$라는 매우 높은 값을 나타내어 본 연구에서 제작한 박막이 스트레인에 대하여 고감도특성을 가지고 있음을 알 수 있었다. 또한 제작된 박막을 센서소자로 응용하기 위해 박막을 미세 가공하고, 스트레인에 대한 고주파 임피던스의 변화를 조사하였으며, 박막의 우수한 자기기계결합특성으로 박막패턴의 임피던스는 인가된 스트레인에 의해 민감하게 변화되었다. 특히, 100MHz의 구동주파수에 있어서 $300{\times}10^{-6}$의 스트레인이 인가된 경우 46%의 임피던스변화율이 얻어졌다. 따라서 본 연구에서 제작한 박막소자는 초고감도의 스트레인 센서로 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

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Verwey 전이와 마그네타이트의 전기적 및 자기적 특성 (Electrical and Magnetic Properties of Magnetite Powder during a Verwey Transition)

  • 윤성현
    • 새물리
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    • 제68권12호
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    • pp.1302-1307
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    • 2018
  • 마그네타이트 분말에 대해 Verwey 전이 전후에서의 구조적, 전기적 및 자기적 성질을 고찰하였다. 마그네타이트 시료는 고온열분해법으로 합성한 나노입자를 $800^{\circ}C$, 진공을 뽑는 상태에서 1시간동안 열처리하여 얻었다. 시료의 형태학적, 결정학적 분석은 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM)과 X-선 회절(X-ray diffraction, XRD)을 이용하였으며 시료진동형 자기력계(vibrating sample magnetometer, VSM)와 뫼스바우어 분광법, 비저항 측정 등을 통해 미시적/거시적 자성 및 전기적 특성을 각각 관찰하였다. Verwey 전이점에서 비저항과 자기모멘트의 불연속적 온도의존성을 관측하였으며 자기이방성상수가 $T_V$ 부근에서 약간 감소하는 것이 관찰되었다. 뫼스바우어 스펙트럼은 $T_V$ 전후에서 모두 사면체적 (A) 자리와 팔면체적 (B) 자리에 기인하는 2개의 6선 스펙트럼의 중첩으로 나타났으며 B자리에서 철 이온의 원자가에 따른 흡수선의 구분은 불가능하였다. $T_V$ 를 중심으로 하여 저온영역의 정상스피넬(normal spinel)에서 고온영역의 역스피넬(inverse spinel)의 배위교차(coordination crossover)가 발생하였다.

Electrical Properties and Microstructures in Ti Films Deposited by TFT dc Sputtering

  • Han, Chang-Suk;Jeon, Seung-Jin
    • 한국재료학회지
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    • 제26권4호
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    • pp.207-211
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    • 2016
  • Ti films were deposited on glass substrates under various preparation conditions in a chamber of two-facing-target type dc sputtering; after deposition, the electric resistivity values were measured using a conventional four-probe method. Crystallographic orientations and microstructures, including the texture and columnar structure, were also investigated for the Ti films. The morphological features, including the columnar structures and surface roughness, are well explained on the basis of Thornton's zone model. The electric resistivity and the thermal coefficient of the resistivity vary with the sputtering gas pressure. The minimum value of resistivity was around 0.4 Pa for both the $0.5{\mu}m$ and $3.0{\mu}m$ thick films; the apparent tendencies are almost the same for the two films, with a small difference in resistivity because of the different film thicknesses. The films deposited at high gas pressures show higher resistivities. The maximum of TCR is also around 0.4 Pa, which is the same as that obtained from the relationship between the resistivity and the gas pressure. The lattice spacing also decreases with increasing sputtering gas pressure for both the $0.5{\mu}m$ and $3.0{\mu}m$ thick films. Because they are strongly related to the sputtering gas pressures for Ti films that have a crystallographic anisotropy that is different from cubic symmetry, these changes are well explained on the basis of the film microstructures. It is shown that resistivity measurement can serve as a promising monitor for microstructures in sputtered Ti films.

Columnar 구조를 갖는 비정질 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ 박막에서 선형이색성의 저온특성 (Low temperature characteristics of linear dichroism in columnar structural a-$As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin films)

  • 전진영;김종기;박수호;이현용;정홍배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.1252-1254
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    • 1998
  • The characteristics of linear dichroism with temperature were investigated in normally($0^{\circ}$) and $80^{\circ}$-obliquely deposited amorphous $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin films using low temperature equipment. The saturated dichroism($D_{sat}$) of a $80^{\circ}$-obliquely deposited film shows approximately 6% which is the larger value than 4.2 % of normally($0^{\circ}$) deposited film. The $D_{sat}$ of $80^{\circ}$-deposited film was increased to 25 % at 77 K, which is four times larger than that at room temperature. The $D_{sat}$ decreased with increasing temperature and was completely disappeared at about 335K. This could be explained as the tunneling effect due to the thermal excitation of lone-pair electrons in intimate valence alternation pairs(IVAPs) which are considered to be the origin of anisotropy. The decrease of $D_{sat}$ with increasing temperature from 77K to room temperature satisfied Gaussian approximation with a standard deviation of 158K.

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MBE Growth and Electrical and Magnetic Properties of CoxFe3-xO4 Thin Films on MgO Substrate

  • Nguyen, Van Quang;Meny, Christian;Tuan, Duong Ahn;Shin, Yooleemi;Cho, Sunglae
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.370.1-370.1
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    • 2014
  • Giant magnetoresistance (GMR), tunneling magnetoresistance (TMR), and magnetic random-access memory (MRAM) are currently active areas of research. Magnetite, Fe3O4, is predicted to possess as half-metallic nature, ~100% spin polarization (P), and has a high Curie temperature (TC~850 K). On the other hand, Spinel ferrite CoFe2O4 has been widely studies for various applications such as magnetorestrictive sensors, microwave devices, biomolecular drug delivery, and electronic devices, due to its large magnetocrystalline anisotropy, chemical stability, and unique nonlinear spin-wave properties. Here we have investigated the magneto-transport properties of epitaxial CoxFe3-xO4 thin films. The epitaxial CoxFe3-xO4 (x=0; 0.4; 0.6; 1) thin films were successfully grown on MgO (100) substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The quality of the films during growth was monitored by reflection high electron energy diffraction (RHEED). From temperature dependent resistivity measurement, we observed that the Werwey transition (1st order metal-insulator transition) temperature increased with increasing x and the resistivity of film also increased with the increasing x up to $1.6{\Omega}-cm$ for x=1. The magnetoresistance (MR) was measured with magnetic field applied perpendicular to film. A negative transverse MR was disappeared with x=0.6 and 1. Anomalous Hall data will be discussed.

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탄소섬유강화 복합재료의 전자파 차폐특성 (Electromagnetic Interference Shielding of Carbon Fibers-Reinforced Composites)

  • 심환보;서민강;박수진
    • 폴리머
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    • 제24권6호
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    • pp.860-868
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    • 2000
  • 본 연구에서는 섬유등급, 배향각 및 적층방법을 달리하여 제조한 탄소섬유강화 복합재료의 제조변수에 따른 전자파 차폐 특성에 관하여 고찰하였다. 그 결과, 탄소섬유강화 복합재료의 전자파 차폐효과는 섬유의 배향각도에 크게 좌우되었다. 특히 0$^{\circ}$의 배향각에서는 섬유의 등급에 따른 영향을 나타내었으며, 동일한 탄소섬유라 할지라도 배열방향에 따른 전기적 성질의 변화, 즉 전기적 이방성이 클수록 차폐효과는 커졌다. 각각의 적층방법에 따라 제조된 모든 시편은 83~98%의 차폐효과를 나타내었으나, 대칭구조와 비대칭구조에서는 적층각도가 커짐에 따라 차폐효과가 소폭 감소하였다. 그러나 반복구조에서는 위의 두 가지 구조와는 다른 경향을 나타내었으며, 특히 90$^{\circ}$ 반복구조의 경우 측정 주파수 전 영역에 걸쳐 90% 이상의 차폐력을 나타내었다.

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