• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권12호
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• pp.6980-6985
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• 2014

레이저 직접묘화방법을 이용하여 절연기판($SiO_2$)위에 미세전도성패턴을 제조하였다. 레이저 유도증착공정은 레이저빔이 금속박막에 조사되면 레이저 빔의 빛 에너지가 금속박막에 흡수되어 열에너지로 바뀌면서 열전도에 의한 열분해반응으로 기판위에 증착이 일어난다. 본 논문에서는 금속박막위에 폴리머 코팅을 하여 레이저 직접묘화공정을 적용하여 미세패턴과 3차원 마이크로 구조물 제조에 관한 연구를 수행하였다. 평균 증착율은 전반적으로 레이저출력이 높을 수록 선형적으로 증가하고, 빔 스캔 속도가 감소할수록 증착율은 증가한다는 것을 확인하였다. Polymer 코팅층을 이용하여 미세전극을 증착하여 비저항값을 측정하여, 코팅층을 사용한 경우의 전기전도도가 코팅을 하지 않은 경우보다 약 3배정도 향상되는 것을 확인할 수 있었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권2호
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• pp.98-103
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• 1999

The effect of $Al_2O_3$ additives to $\beta-SiC+39vol.%ZrB_2$ electroconductive ceramic composites by pressureless sintering on microstructural, mechanical and electrical properties were investigated. The $\beta-SiC+39vol.%ZrB_2$ ceramic composites were pressureless sintered by adding 4, 8, 12wt.% $Al_2O_3$ powder as a liquid forming additives at $1950^{\cire}C$ for 1h. Phase analysis of composites by XRD revealed mostly of $\alpha-SiC(6H), ZrB_2$ and weakly $\alpha-SiC(4H), \beta-SiC (15R)$ phase. The relative density of composites was lowered by gaseous products of the result of reaction between \beta-SiC and Al_2O_3$, therefore, porosity was increased with increasing $Al_2O_3$ contents, and showed the maximum value of 1.4197MPa.$m^{1/2}$ for composite with 4wt.% $Al_2O_3$ additives. The electrical resistivity of $\beta-SiC+39vol.%ZrB_2$ electroconductive ceramic composite was increased with increasing $Al_2O_3$ contents, and showed positive temperature coefficient resistance (PTCR) in the temperature range of $25^{\cire}C$ to $700^{\cire}C$.

• 태양에너지
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• 제17권1호
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• pp.59-66
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• 1997

개방전압과 단락전류와 같은 태양전지 출력변수들은 접합깊이, 도핑농도, 금속접합 및 태양전지구조에 의한 변수들이다. 태양전지 설계의 중요한 요소로서 인이 도핑된 에미터와 금속사이의 금속접합은 일함수 차이가 작아 낮은 직렬저항을 가져야 한다. PESC 태양전지는 금속 접합장벽 전극으로 티타늄을 사용한다. 새로운 접합장벽 전극물질로 티타늄과 일함수가 비슷하지만 전기전도도가 우수한 크롬은 금속 접합장벽 전극으로 유망한 금속이다. 티타늄은 일함수 차가 작지만, 접합장벽으로 크롬은 태양전지 제조시 티타늄보다 우수한 전기적 특성들을 갖는다. 본 논문에서는 실리콘 태양전지의 접합장벽 금속전극의 특성을 비교 분석하였다.

• 한국가스학회지
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• 제5권3호
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• pp.63-72
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• 2001

천연가스 공급용 고압 지하 매설배관에 교류가 유도될 때 쿠폰과 전기저항형 박막센서를 이용하여 교류에 의한 부식속도를 평가하고 주요한 인자를 규명하고자 하였다. 전국에 걸쳐 조사된 교류전압 측정결과를 바탕으로 쿠폰과 전기저항형 박막센서를 설치하고, 주요인자를 고찰하기 위하여 다양한 인자들 (교류전압, 교류전류, 토양 비저항, 주파수, 방식전위)을 정기적으로 기록하였다. 황산동 전극기준 -850mV의 방식전위를 충분히 만족하는 상황에서도 교류에 의한 부식이 진행하였으며, 교류에 의한 부식속도는 교류전압과는 관계없이 교류전류밀도와 주파수에 의존하는 것으로 나타났다. 교류에 의한 부식속도는 유효교류전류밀도에 따라 직선적으로 증가하였으며, 쿠폰에 의한 평가결과 직선의 기울기는 0.619, 전기저항형 센서에 의한 직선의 기울기는 0.885로 나타났다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.352.1-352.1
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• 2014

Indium Tin Oxide (ITO) films are the most extensively studied and commonly used as ones of TCO films. The ITO films having a high electric conductivity and high transparency are easily fabricated on glass substrate at a substrate temperature over $250^{\circ}C$. However, glass substrates are somewhat heavy and brittle, whereas plastic substrates are lightweight, unbreakable, and so on. For these reasons, it has been recently suggested to use plastic substrates for flexible display application instead of glass. Many reaearchers have tried to produce high quality thin films at rood temperatures by using several methods. Therefore, amorphous ITO films excluding thermal process exhibit a decrease in electrical conductivity and optical transparency with time and a very poor chemical stability. However the amorphous Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) offers several advantages. For typical instance, unlike either crystalline or amorphous ITO, same and higher than a-IGZO resistivity is found when no reactive oxygen is added to the sputter chamber, this greatly simplifies the deposition. We reported on the characteristics of a-IGZO thin films were fabricated by RF-magnetron sputtering method on the PEN substrate at room temperature using 3inch sputtering targets different rate of Zn. The homogeneous and stable targets were prepared by calcine and sintering process. Furthermore, two types of IGZO TFT design, a- IGZO source/drain material in TFT and the other a- ITO source/drain material, have been fabricated for comparison with each other. The experimental results reveal that the a- IGZO source/drain electrode in IGZO TFT is shown to be superior TFT performances, compared with a- ITO source/drain electrode in IGZO TFT.

• 지질공학
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• 제10권2호
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• pp.172-188
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• 2000

해수 침투 연구의 국·내외 동향을 분석하고 물리탐사기술의 역할과 현재의 위치를 점검하였다. 과학기술부 자연재해기술개발사업의 일환으로 수행한 '해수침투 평가, 예측 및 방지가술 개발' 과제를 통하여 과거보다 진전된 기술의 내용과 향상된 수준을 적용 사례를 통하여 예시하였다. 해수침투 문제에 계수형 물리검층 기술을 활용함으로써 해석의 정밀성을 제고하였으며, 해수침투의 영역을 획정하는 기술과 해수침투의 주경로를 해석한 연구사레를 예시하였다. 해수 침투의 지속여부를 판정할 수 있는 기술로 개발된 전기비저항 모니터링 시간영역 전자탐사(TEM) 모니터링 기술의 특징을 설명하였으며 해수침투대와 양전도성 지층의 구별을 위하여 개발된 참조채널 유도분극탐사기술을 소개하였다. 해수침투 확산 예측 과정에서 연구지질의 개념모형을 제시하기 위한 해수침투대의 공간적 분포 파악 기술을 예시하였다. 마지막으로, 현재의 기술수준을 토대로 한 물리탐사기술의 향후 발전？향도 제안하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.371-372
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• 2012

We have studied lead-based gapless semiconductors, $PbPdO_2$, which is very sensitive to external parameters such as temperature, pressure, electric field, etc[1]. We have fabricated pure $PbPdO_2$, Co- and Mn-doped $PbPdO_2$ thin films using the pulsed laser deposition. Because of the volatile element of Pb, it is very difficult to grow the films. Note that in case of $MgB_2$, Mg is also volatile element. So in order to enhance the quality of $MgB_2$, some experiments are carried out in annealing with Mg-rich atmosphere [2]. This annealing process with volatile element plays an important role in making smooth surface. Thus, we applied such process to our studies of $PbPdO_2$ thin films. As a result, we found the optimal condition of ex-situ annealing temperature ${\sim}650^{\circ}C$ and time ~12 hrs. The ex-situ annealing brought the extreme change of surface morphology of thin films. After ex-situ annealing with PbO-rich atmosphere, the grain size of thin film was almost 100 times enlarged for all the thin films and also the PbO impurity phase was smeared out. And from X-ray diffraction measurements, we determined highly crystallized phases after annealing. So, we measured electrical and magnetic properties. Because of reduced grain boundary, the resistivity of ex-situ annealed samples changed smaller than no ex-situ sample. And the carrier densities of thin films were decreased with ex-situ annealing time. In this case, oxygen vacancies were removed by ex-situ annealing. Furthermore, we will discuss the transport and magnetic properties in pure $PbPdO_2$, Co- and Mn-doped $PbPdO_2$ thin films in detail.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.72-77
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• 2006

본 논문에서는 구조체의 전위상승에 대해 수조실험장치에 의한 측정값과 CDEGS 프로그램에 의한 계산값의 비교를 나타낸다. 시험전류가 구조체 모형을 통해 흐를 때, 실시간으로 수조실험장치를 이용하여 구조체의 유형에 따른 전위상승이 측정 및 분석되었고, CDEGS 프로그램에 의해 계산되었다. 구조체 모형은 160:1의 축척으로 4가지 유형에 대해 설계 및 제작되었다. 측정값과 계산값이 비교되었을 때, 유사한 분포를 나타내었으며 이를 통해 측정의 신뢰성을 얻게 되었다. 망상형 철골구조로서 전기적 케이지 방식인 구조체 모형 B에서 가장 낮은 전위상승이 발생하였으며, 전위상승 분포는 구조체에 부착된 콘크리트의 저항률 및 흡수율에 의존하는 특성을 나타내었다.

• 자원환경지질
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• 제53권3호
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• pp.259-269
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• 2020

The use of the geophysical method in mining prospecting has been studied in the Asdaf region (South-East of Morocco). The objective of the study is to examine the aptitude of the electrical technique, in this case induced polarization (IP) and electric tomography, combined with the electromagnetic method (VLF), in the exploration of barite . The result obtained by the pseudo-sections of electrical tomography and that of KH filtration highlighted anomalies of resistant contact (greater than 400Ω.m) and of high charge chargeability (5mV / V). These contacts are hosted in less resistant Devonian age shale and sandstone. The resistivity response obtained at their level is characteristic of the venous structures associated with barite mineralization. The direction of the mineralized veins is parallel to the direction of the fractured zones (NE-SW), which indicates that the mineralization in place is due to the tectonic movements of the Hercynian orogeny (from Devonian to Permian). These veins are aligned with the locations of abandoned mine shafts and with surface mining areas. Geophysical technique therefore seems to play a key role in barite mining exploration.

• 열처리공학회지
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• 제33권1호
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• pp.13-19
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• 2020

Annealing effects on the properties of Bi-doped ZnO thin films were investigated. Bi- doped ZnO thin films were deposited on quartzs substrates at 300℃ by using radio-frequency magnetron sputtering system. Post heat treatments at 600, 700, and 800℃ were performed to evaluate the effect of annealing temperatures on the structural, optical, and electrical properties of Bi-doped ZnO thin films. FE-SEM images showed the dramatic surface morphology changes by rearrangement of elements at high heat treatment temperature of 800℃. X-ray diffraction analysis indicated that the peaks of the Bi-doped ZnO thin films were same as the peaks of the (002) planes of ZnO peak-positioned at 2θ=34.0° and peak intensities and FWHMs were improved as the annealing temperatures increased. The optical transmittance was improved with increasing annealing temperatures and was over 80% in the wavelength region between 435 and 1100 nm at the annealing temperature of 700 and 800℃. With increasing annealing temperature, the electron concentrations and electron mobilities were increased. On the other hand, electric resistivity of the films were decreased with increasing annealing temperatures. These results showed that the heat treatment temperature is an important parameter to improve the structural, optical, and electrical properties of Bi-doped ZnO thin films.