• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1428-1430
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• 2002

Polyaniline/polystyrene conducting blends were prepared and measured with the mechanical properties such as tensile strength and elongation and the electrcal properties such as surface resistance, electrical conductivity and dielectric loss tangent. The percolation threshold concentration of blends was 5phr of polyaniline and the morphology of blends was setting colser to that of polyaniline at higher concentration. The dielectric loss increased up to $10^5$ at the 50 % of polyaniline and was much influenced by frequency than temperature at higher concentration of polyaniline.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.7-7
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• 2010

Indium tin oxide (ITO) - SWNT nano crystalline composites was synthesized at low temperature(${\sim}250^{\circ}C$)using Nano Cluster Deposition technique by Metal Orhoganic Chemical Vapor Deposition method. XRD patterns of ITO- SWNT composite shows pure cubic phases without any secondary phase. I-V measurement gives resistance of 12 ohms for Sn doped (3 wt %) indium oxide-SWNT composites. The electrical conductivity of the nano composites is significantly enhanced compared to the SWNT.

• 열처리공학회지
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• 제29권3호
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• pp.109-112
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• 2016

We have considered the influence of electron irradiation on the optical and electrical properties of $SnO_2$ thin films deposited with reactive RF magnetron sputtering. After deposition, the films electron irradiated at 300 eV shows a lower sheet resistance of $277{\Omega}/{\square}$ and the optical transmittance in a visible wave length region also influenced with the electron irradiation energy. The film that electron irradiated at 400 eV shows a higher optical transmittance of 82.6% in this study. By comparison of figure of merit, it is concluded that the post-deposition electron irradiation at 300 eV is the optimum condition for the enhancement of opto-electrcal performance of $SnO_2$ thin film in this study.

• 대한화학회지
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• 제40권7호
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• pp.467-473
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• 1996

유기 전도성고분자들 중 100-400${\Omega}^{-1}cm^{-1}$으로 전도도가 큰 피롤 고분자는 공기 중에서 산화되어 전도성이 저하되는데, 이를 막기 위해 피롤을 먼저 일정량 중합한 후 산소에 내성이 큰 티오펜 고분자를 일정량 끼워심기 중합시켜 이와 같은 단점이 보완된 고분자 복합체를 만들고 그 때의 중합 속도를 측정하였다. 피롤 고분자를 먼저 1.70C$cm^{-2}$만큼 전기적으로 중합시킨 후 그 위에 티오펜 고분자를 0.34C$cm^{-2}$로 전기적 중합시켰을 때 그 산화-환원 특성이 개선되었으며, 3개월 동안 공기 중에 방치한 것의 순환 전압-전류 특성이 처음것과 잘 이치하였다. 티오펜의 중합 속도는 백금 전극 위에서 피롤 고분자를 1.70C$cm^{-2}$로 일정량을 입힌 전극에서 행했을 때 속도상수 값은 각각 $3.89{\times}10^{-8}$과 $6.07{\times}10^{-8}cms^{-1}$이었고, 표준속도상수는 각각 $5.16{\times}10^{-6}$ 과 $3.94{\times}10^{-4} cms^{-1}$이었다. 또, 피롤을 입힌 전극에서의 전극촉매속도는 $3.45{\times}10^{-3}cm^3mol^{-1}s^{-1}$이었다. 이와같이 피롤로 수식한 전극에서의 고정된 피롤 피막층은 촉매적 기능을 가지고 있음을 알 수 있고, 티오펜을 중합할 때의 반응은 고분자 피막 내에서 전하전달과 확산이 지배적인 과정이었다. 반면에 백금 전극에 티오펜을 중합할 때는 전자 전달이 지배적이 과정으로 나타났다.