Kim, You-Na;Kim, Joo-Seong;Thieu, Minh-Triet;Dinh, Hung-Cuong;Yeo, In-Hyeong;Cho, Won-Il;Mho, Sun-Il
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제31권11호
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pp.3109-3114
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2010
Flexible composite films of $V_2O_5$ and conductive polypyrrole ($V_2O_5$/PPy) were grown by facile electrochemical polymerization, wherein an anodization potential was applied to the substrate electrode in an electrolyte solution containing pyrrole monomer and dispersed $V_2O_5$ particles. The coating of polypyrrole (PPy) on the surface of $V_2O_5$ particles was induced by the oxidative catalytic action of $V_2O_5$ during the electrochemical polymerization of pyrrole. PPy in the composite film connects the isolated $V_2O_5$ particles. This results in the formation of conductive networks in the composite film cathode, thereby enhancing the Li+ ion diffusion to the surface of the isolated $V_2O_5$ particles and thus increasing the accessibility of the $Li^+$ ions. The specific capacity tests of the Li rechargeable batteries revealed that the discharge capacity of this composite film cathode was higher, i.e., $497\;mAhg^{-1}$, than that of $V_2O_5$/PPy powder or pristine $V_2O_5$.
니켈-흑연 복합분말은 고온 고압하에서 수소개스를 사용하여 ammoniacal황산니켈염 수용액으로 부터 니켈이온을 흑연코어표면에 석출시켜 제조하였으며, SEM. X-선 회절분석, 입도 및 화학분석 등을 이용하여 환원속도 및 니켈코팅층의 특성에 미치는 코팅 촉매제 Anthraquinone$(C_6H_4COC_6H_4 CO)$ 의 영향을 조사하였다. 코팅촉매제의 입도 및 첨가량 변호에 따라 수소개스 주입 후 환원반응이 시작되기 까지 필요한 잠복기는 22~70분 정도 이었으며, 흑연코어 표면의 니켈코팅층은 포도송이 모양(botryoidal)인 미립의 니켈 nodule(2-4$\mu\textrm{m}$)로 형성되었다. 또한 코팅촉매제의 첨가량이 증가함에 따라 코팅용액중 니켈이온의 환원속도는 증가하여 0.2gr/$\ell$첨가시 4.5gr/$\ell$/min를 나타내었다.
Chun, Hui-Gon;Oskomov, Konstantin V.;Sochugov, Nikolay S.;Lee, Jing-Hyuk;You, Yong-Zoo;Cho, Tong-Yul
반도체디스플레이기술학회지
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제2권1호
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pp.1-5
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2003
Plasma generator based on non-self-sustained low-pressure arc discharge has been examined as a tool for deposition of highly-adhesive hydrogenated amorphous diamond-like carbon(DLC) films. Since the discharge is stable in wide range of gas pressures and currents, this plasma source makes possible to realize both plasma-immersion ion implantation(PIII) and plasma-immersion ion deposition(PIID) in a unified vacuum cycle. The plasma parameters were measured as functions of discharge current. Discharge and substrate bias voltage parameters have been determined for the PIII and PIID modes. For PIID it has been demonstrated that hard and well-adherent DLC coating are produced at 200-500 eV energies per deposited carbon atom. The growth rates of DLC films in this case are about 200-300 nm/h. It was also shown that short(∼60$\mu\textrm{s}$) high-voltage(> 1kV) substrate bias pulses are the most favorable for achieving high hardness and good adhesion of DLC, as well as for reducing of residual intrinsic stress are.
In the industrial chemical process involving combustible materials, reliable safety data are required for design prevention, protection and mitigation measures. The accurate combustion properties are necessary to safely treatment, transportation and handling of flammable substances. The combustion parameters necessary for process safety are lower flash point, upper flash point, fire point, lower explosion limit(LEL), upper explosion limit(UEL)and autoignition temperature(AIT) etc.. However, the combustion properties suggested in the Material Safety Data Sheet (MSDS) are presented differently according to the literatures. In the chemical industries, tetralin which is widely used as a raw material of intermediate products, coating substances and rubber chemicals was selected. For safe handling of tetralin, the lower and flash point, the fire point, and the AIT were measured. The LEL and UEL of tetralin were calculated using the lower and upper flash point obtained in the experiment. The flash points of tetralin by using the Setaflash and Pensky-Martens closed-cup testers measured $70^{\circ}C$ and $76^{\circ}C$, respectively. The flash points of tetralin using the Tag and Cleveland open cup testers are measured $78^{\circ}C$ and $81^{\circ}C$, respectively. The AIT of the measured tetralin by the ASTM E659 apparatus was measured at $380^{\circ}C$. The LEL and UEL of tetralin measured by Setaflash closed-cup tester at $70^{\circ}C$ and $109^{\circ}C$ were calculated to be 1.02 vol% and 5.03 vol%, respectively. In this study, it was possible to predict the LEL and the UEL by using the lower and upper flash point of tetralin measured by Setasflash closed-cup tester. A new prediction method for the ignition delay time by the ignition temperature has been developed. It is possible to predict the ignition delay time at different ignition temperatures by the proposed model.
The development of new concepts of liners is required in order to effectively neutralize the enemy's attack power concealed in the armored vehicles. A multiple-layer liner is one of possibilities and has a mechanism for explosion after penetrating the target which is known as "Behind Armor Effect." The multiple-layer explosive liner should have sufficient kinetic energy to penetrate the protective structure and explosive material react after target penetration. With this in mind, double-layer liner materials were obtained by cold spray coating methods and these material properties were experimentally characterized and used in this simulation for double-layer liners. In this study, numerical simulations in the three different layer types, i.e., single, A/B, A/B/A in terms of the layer location were verified in terms of finite element mesh sizes and numerical results for the jet tip velocity, kinetic energy, and the corresponding jet deformation characteristics were analysed in detail depending on the structure of layer types.
CeO$_2$ thin films have used in wide applications such as SOI, buffer layer, antirflection coating, and gate dielectric layer. CeO$_2$takes one of the cubic system of fluorite structure and shows similar lattice constant (a=0.541nm) to silicon (a=0.543nm). We investigated CeO$_2$films as buffer layer material for nonvolatile memory device application of a single transistor. Aiming at the single transistor FRAM device with a gate region configuration of PZT/CeO$_2$ /P-Si , this paper focused on CeO$_2$-Si interface properties. CeO$_2$ films were grown on P-type Si(100) substrates by 13.56MHz RF magnetron sputtering system using a 2 inch Ce metal target. To characterize the CeO$_2$ films, we employed an XRD, AFM, C-V, and I-V for structural, surface morphological, and electrical property investigations, respectively. This paper demonstrates the best lattice mismatch as low as 0.2 % and average surface roughness down to 6.8 $\AA$. MIS structure of CeO$_2$ shows that breakdown electric field of 1.2 MV/cm, dielectric constant around 13.6 at growth temperature of 200 $^{\circ}C$, and interface state densities as low as 1.84$\times$10$^{11}$ cm $^{-1}$ eV$^{-1}$ . We probes the material properties of CeO$_2$ films for a buffer layer of FRAM applications.
Objectives: This study investigated the effect of continuous application of 10-methacryloyloxydecyldihydrogen phosphate (MDP)-containing primer and luting resin cement on bond strength to tribochemical silica-coated yttria-stabilized tetragonal zirconia polycrystal (Y-TZP). Materials and Methods: Forty bovine teeth and Y-TZP specimens were prepared. The dentin specimens were embedded in molds, with one side of the dentin exposed for cementation with the zirconia specimen. The Y-TZP specimen was prepared in the form of a cylinder with a diameter of 3 mm and a height of 10 mm. The bonding surface of the Y-TZP specimen was sandblasted with silica-coated aluminium oxide particles. The forty tribochemical silica-coated Y-TZP specimens were cemented to the bovine dentin (4 groups; n = 10) with either an MDP-free primer or an MDP-containing primer and either an MDP-free resin cement or an MDP-containing resin cement. After a shear bond strength (SBS) test, the data were analyzed using 1-way analysis of variance and the Tukey test (${\alpha}=0.05$). Results: The group with MDP-free primer and resin cement showed significantly lower SBS values than the MDP-containing groups (p < 0.05). Among the MDP-containing groups, the group with MDP-containing primer and resin cement showed significantly higher SBS values than the other groups (p < 0.05). Conclusions: The combination of MDP-containing primer and luting cement following tribochemical silica coating to Y-TZP was the best choice among the alternatives tested in this study.
The Electrical conduction and optical properties of Ta$_{2}$/O$_{5}$ thin films as the insulators in DRAM capacitors were studied. Liquid Ta/sib 2//O sub 5/ were prepared by a sol-gel processing and multiple layers were applied by spin-coating up to thickness of 800$\AA$. At annealing temperature of 300~$600^{\circ}C$ the electrical conduction and specific dielectric constant were discussed the behaivor of carrier were observed by the Thermally Stimulated Current (TSC) at the temperature range of 30~23$0^{\circ}C$. At annealing temperature of 300~$600^{\circ}C$ the samples were found to be amorphous below $600^{\circ}C$ and crystalline over it. The electrical strength was about 2.2 MV/cm at 40$0^{\circ}C$. In spite of noncrystallization over 50$0^{\circ}C$ the increasing of leakage current due to pinholes and increasing creak. The refractive index was obtained maximum (2.2) at 40$0^{\circ}C$. The dielectric constant was obtained maximum(18.6) at 40$0^{\circ}C$. TSC was observed one peak at the temperature range of 30~23$0^{\circ}C$ from sample at 40$0^{\circ}C$. In the case of collecting voltage the peak size is decreased in proportion to collecting voltage and then the peak may be thought carrier to be a ionic space charge.e.
The efficacy of cowdung, Bangladesh Institute of Nuclear Agriculture (BINA)-biofertilizer, and Bangladesh Agricultural University (BAU)-biofungicide, alone or in combination, was evaluated for controlling foot rot disease of lentil. The results exhibited that BINA-biofertilizer and BAU-biofungicide (peat soil-based Rhizobium leguminosarum and black gram bran-based Trichoderma harzianum) are compatible and have combined effects in controlling the pathogenic fungi Fusarium oxysporum and Sclerotium rolfsii, which cause the root rot of lentil. Cowdung mixing with soil (at 5 t/ha) during final land preparation and seed coating with BINA-biofertilizer and BAU-biofungicide (at 2.5% of seed weight) before sowing recorded 81.50% field emergence of lentil, which showed up to 19.85% higher field emergence over the control. Post-emergence deaths of plants due to foot rot disease were significantly reduced after combined seed treatment with BINA-biofertilizer and BAU-biofungicide. Among the treatments used, only BAU-biofungicide as the seed treating agent resulted in higher plant stand (84.82%). Use of BINA-biofertilizer and BAU-biofungicide as seed treating biocontrol agents and application of cowdung in the soil as an organic source of nutrient resulted in higher shoot and root lengths, and dry shoot and root weights of lentil. BINA-biofertilizer significantly increased the number of nodules per plant and nodules weight of lentil. Seeds treating with BAU-biofungicide and BINA-biofertilizer and soil amendment with cowdung increased the biomass production of lentil up to 75.56% over the control.
The properties of AlTiN films by a cathodic arc deposition process have been studied. Oblique angle deposition has been applied to deposit AlTiN films. AlTiN films have been deposited on stainless steel (SUS304) and cemented carbide (WC) at a substrate temperature of $500^{\circ}C$. AlTiN films were analyzed by scanning electron microscopy, glow-discharge light spectroscopy, micro-vickers hardness, and nanoindenter. When applying a current of 50 A to the cathodic arc source, it showed that the density of macroparticle of AlTiN films was 5 lower than other deposition conditions. With the increase of the bias voltage applied to the substrate up to -150 V, the density of macroparticle was decreased. The change of the $N_2$ flow rate during coating process made no influence on the film properties. For the multi-layered films, the film prepared at oblique angle of $60^{\circ}$ showed the highest hardness of 28 GPa and $H^3/E^2$ index of 0.18. AlTiN films have been shown a good oxidation resistance up to $800^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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