• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2006.10a
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• pp.535-536
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• 2006

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.06a
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• pp.279-282
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• 1999

Acceleration in integration density and speed performance of ULSI circuits require miniaturization of CMOS and interconnections as well as higher current density capabilities for transistors. A leading candidate to substitute A1-alloy is Cu, which has lower resistivity and higher melting point. So we can expect much higher electromigration resistance. In this paper, we are going to explain the major features of EM for MOCVD Cu according to variant conditions. We compared the life time and activation energy of MOCVD Cu with those of E-beam Cu and Al in The same conditions.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.39-39
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• 2000

당사는 1996년 SPUTTERING SYSTEM 제작을 시작으로 하여 진공관련장치 및 부품을 제작, 납품하는 기업입니다. 그 동안 산업체 및 대학, 연구소 등에 제작 납품된 품목은 양산용SPUTTER 연구실험용SPUTTER, ION PLATING, RIE SYSTEM, E-BEAM 증착기 산업용 AL-EVAPORATOR, 산업용 AIP SYSTEM, 고온열처리로, 진공건조장치 진공 배기SYSTEM, 기타 진공관련장치가 있으며 진공부품으로는 OIL ROTARY PUMP, DIFFUSION PUMP, VALVE 및 배관부품 등이 있습니다. 그밖에 취급하는 품목으로는 진공게이지류 및 터보펌프를 판매하고 있습니다. 일부 장치는 기술력을 인정받아 일본, 동남아시아, 중국 등에 수출되었습니다. 당사는 항상 고객이 필요로 하는 진공응용장치를 다년간 축적된 제조기술과 연구력을 바탕으로 만족스러운 제품을 공급하고 있기에 이를 소개하고자 합니다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.305-305
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• 2013

태양전지는 무기태양전지와 유기태양전지 등이 연구 되고 있는데 [1] 그 중 유기물질의 장점(높은 수율, solution phase processing, 저비용으로 전력 생산)과 무기재료의 장점(높은 전자 이동도, 넓은 흡수 범위, 우수한 환경 및 열 안정성)을 융합함으로써 장기적 구조안정성의 확보와 광전변환의 고 효율화를 동시에 달성하기 위한 유기무기 하이브리드 태양전지가 최근 큰 관심을 끌고 있다[2]. 본 연구에서는 hybrid photovoltaics에 유기물 MDMO-PPV와 전도성 고분자 PEDOT:PSS를 무기물 GaN 위에 spin coating 하여 두께에 다른 효율을 측정하였다. 유기물 MDMO-PPV는 p-형으로 클로로벤젠, 톨루엔과 같은 유기 용매에 잘 녹으며 HOMO 5.33eV, LUMO 2.97eV, energy band gap 2.4eV이며 99.5%의 순도 물질을 사용하였다. 또한 정공 수송층(hole transport layer, HTL)으로 PEDOT:PSS를 사용하였으며, HOMO 5.0eV, LUMO 3.6eV, energy band gap 1.4eV를 가지며 증류수나 에탄올과 같은 수용성 용매에 잘 녹는 특성을 가지고 있다. 무기물은 III-V 족 물질 n-GaN(002)을 사용하였고 valence band energy 1.9eV, conduction band energy 6.3eV, energy band gap 3.4eV, 높은 전자 이동도와 높은 포화 속도, 광전자 소자에 유리한 광 전기적 특성을 가지고 있다. 기판으로는 GaN와 격자 부정합도와 열팽창계수 부정합도가 큰 Sapphire (Al2O3) 이종 기판을 사용하였다. 전극으로 Au를 사용하였으며 E-beam증착하였다. Reflector로서 Al를 thermal evaporator로 증착하였다 [3]. 실험 과정은 두께에 따른 효율을 알아보기 위해 MDMO-PPV를 900~1,500 rpm으로 spin coating 하였고, 열처리에 따른 효율을 알아보기 위해 열처리 온도 조건을 $110{\sim}170^{\circ}C$의 변화를 주었다. FE-SEM으로 표면과 단면을 관찰하였으며 J-V 특성을 알아보기 위해 각 샘플마다 solar simulator를 사용하여 측정하였고 그 결과를 논의하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.666-666
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• 2013

CIGS solar cell에서 p-type semiconductor역할을 수행하는 Cu(In,Ga)Se로 이루어진 Absorber layer는 4 element multi binary compound로 stoichiometry 측면에서 다양한 형태가 나타나기 때문에 태양전지 효율을 향상시키기 위해 이에 대한 연구가 활발하다. 우리는 E-beam evaporation 방법으로 다양한 조건의 multi layer로 증착된 CIG layer 위에 일정 두께의 Se을 증착하면서 열처리 조건에 따른 Selenization 메커니즘에 대한 연구를 수행하였다. 결과분석을 위해(in-situ High Temperature) XRD, XPS, Micro Raman spectroscopy, FE-SEM, (Nano Indentor, Atomic Force Microscopy) 등을 이용하여 결정구조, 결정화도, Depth profile, Eg (band gap energy) 등을 알아보고 분석결과간의 상관관계를 고찰하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.4
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• pp.464-471
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• 1995

메그네트론 스퍼터링으로 제작한 고밀도 다층박막($Co_75{{Pt_12}{Cr_13}}$합금) 디스크를 투과전자현미경을 이용해 단면 및 평면의 미세조직의 조사 혹은 미소부위 성분분석을 할 경우, 선행되어야하는 시편준비 경로와 각 단계별 구체적방법 및 그 효과를 연구하였다. Ion밀링시간이 증가함에 따라 시료가 얇게 되는과정에서 스퍼터링된 물질이 관찰될 시편부위의 다른 표면에 증착되므로써 미세조직의 선명도를 해칠 수 있고, 이로인한 해석상의 오류가능성이 시사되었다. 또한, 자기박막 디스크와 같이 다층으로 구성된 단면분석용 시료에서는 서로 맞붙인 실리콘 단결정 접착면을 따라 밀링속도가 선택적으로 커서 우선축이 생김으로써 양질의 시편을 얻기 어려운 문제점이 제기되었다. 이같은 문제를 포함한 전자현미경 시료준비과정에서 생길 수 있는 문제를 해결할 수 있는 실마리와 이를 이용해 수행한 전자현미경 분석결과 및 효과적인 시편준비방법이 본 논문에서 언급되었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07d
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• pp.1546-1548
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• 1998

Dual mode ring resonators(DMRR) have been fabricated using laser ablated $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ superconducting thin films. The transition temperature of YBCO thin films were 85 - 88 K and the film thicknesses were about 5,000 $\AA$. Dual mode ring resonators were patterned by standard photolithography process and wet-etching. Then two-layer metal thin films (Ti/Ag) have been deposited for the ground plane on the back side of substrate by e-beam and thermal evaporation. The input/output feedline angles of each resonator were $60^{\circ}$, $100^{\circ}$, $180^{\circ}$. A network analyzer was used for testing the performance of the resonators in the frequency range of 6-13 GHz at 77 K.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.283-283
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• 2012

금속 물질이 나노 크기 정도로 축소 된다면, 물질의 특성은 종종 유용한 방향으로 변한다. 특히 나노 결정 금속은 에너지 재료의 촉매 물질로 주목을 받아왔다. 지금까지는 일정한 크기를 갖는 나노 결정 제조 기술과 크기의 의존성 등 기초적인 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다. 지금까지의 제조 기술은 화학적 물리적 증착 방법을 주로 이용하였는데, 최근 고휘도 빛을 이용하여 금속 나노 촉매를 생산하는 효율적인 방법이 소개되고 있다. 본 논문에서는 Ag 박막의 Ag 나노 결정으로의 변화에 대하여 소개한다. E-beam evaporation에 의해 증착된 Ag 박막을 UV에 노출하면 표면 형태는 평탄한 표면에서 나노결정 형태로 점진적으로 변화한다. 본 논문에서는 Ag 나노 결정의 변화를 SEM과 AFM을 이용하여 고찰한 내용을 발표할 예정이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.54-54
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• 2014

전자빔 증착을 이용하여 알루미늄(Al)과 마그네슘(Mg)의 2층 구조를 갖는 박막을 강판 위에 코팅한 후 열처리를 실시하여 박막의 미세구조 변화와 합금상을 관찰하고 Al-Mg 코팅 강판의 내부식 특성을 평가하였다. 이를 통해서 Al-Mg 박막의 미세구조와 합금상이 Al-Mg 코팅 강판의 내부식 특성에 미치는 영향을 확인하였다. Al-Mg 박막의 조성은 Al 박막과 Mg 박막의 두께 변화를 이용하여 조절하였으며 Al-Mg 박막의 두께비는 각각 1:1(Al:Mg), 2:1, 5:1 이었다. 열처리 온도는 $400^{\circ}C$, 열처리 시간은 2, 3, 10분 이었다. Al-Mg 코팅 강판은 열처리를 실시하면 주상구조에서 치밀한 구조로 변화하였으며 Al-Mg 합금상이 생성되었으며 합금상은 $Al_3Mg_2$와 $Al_{12}Mg_{17} $ 이었다. 이러한 합금상의 생성으로 Al-Mg 박막의 미세구조가 변화하고 Al-Mg 코팅 강판의 내식성에도 영향을 미친 것으로 판단된다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2006.06a
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• pp.170-173
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• 2006

[ $CuInS_2$ ] filims were appeared from 0.84 to 1.27 of Cu/In composition ratio and sulfur composition ratios of $CuInS_2$ thin films fabricated, Also when Cu/In composition ratio was 1.03, $CuInS_2$ thin film with chalcopyrite structure had the highest XRD peak (112). And lattice constant (a) of and grain size of the film tin s ambient were appeared a little larger than those in only Vacuum The films in S ambient were p-type with resistive of around $10^{-1}{\Omega}cm$ and optical energy band gaps of the films in S ambient were appeared a little larger than those in only Vacuum. Analysis of the optical energy band gap of $CuInS_2$ thin films a value of 1.53eV.