고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리시이드화된 $n^+$ -p 다이오드 특성 분석
(The Formation of the Shallow Junction by RTD and Characteristic Analysis for $n^+$ -p Diode with Ti-silicide)
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- 전자공학회논문지A
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- 제31A권8호
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- pp.80-90
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- 1994