• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.13.1-13.1
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• 2009

Transparent electronics has attracted many interests, for it can open new applications for consumer electronics, transportation, business, and military. Among them, display backplane, thin film transistor (TFT) array would be the most attractive application. Many researchers have been investigating oxide semiconductors for transparent channel material of TFT since the report for transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) TFT by Hosono group and ZnO TFT by Wager group. Especially, oxide TFTs have been intensively investigated during a couple of years since the first demonstration of ZnO-TFT driving AM-OLED. Many papers regarding the fabrication and performance of oxide TFTs, and active matrix display driven by oxide TFTs have been reported. Now lots of people have confidence in the competitiveness of oxide TFTs for the backplane of AM-Display. Especially, high mobility, uniformity, fairly good stability, and low cost process make oxide TFTs applied even to a large size AM-OLED. Last year, Samsung mobile display, former SID, reported 12" AM-OLED driven by IZGO-TFT and it seems that the remained issue for the mass production is the bias temperature stability. Here, we will introduce the application of oxide TFT and important issue for oxide TFT to be used for the direct printing.

• 동양고전연구
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• 제68호
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• pp.99-144
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• 2017

이 논문은 <구운몽>의 활자본 고전소설 이본인 <연정 구운몽>에 주목하여, 이 이본이 지니고 있는 서사 전개 및 주제 구현의 양상과 의미에 대해 고찰하였다. 일반적으로 고전소설 연구에서 이본은 선본을 확정하기 위한 수단으로 활용되는데, 이 논문에서는 <연정 구운몽>의 특징을 이본 그 자체가 지니고 있는 독자적인 면모로 보았고, 이를 바탕으로 이본의 특징적 성격을 희곡적 측면에서 찾았다. 우선 연정(演訂)이라는 단어가 제목에 부기된 이유를, 다른 작품의 제목에 연정(演訂)이 부기된 경우로부터 그리고 이본 내의 몇몇 표지로부터 찾았다. 다음으로는 이본의 서사 전개 양상에서 그 특징을 찾았다. 이는 '풍부한 상황 서술', '직접 발화의 빈번한 등장', '대화 내용의 구체적 서술', '시 상소문의 제시' 등으로 나누어 살폈다. 선본 계열과 비교하여 <연정 구운몽>의 차이점을 도출하였고, 이 차이점이 <연정 구운몽>의 서사적 의미망 안에서 어떻게 기능하였는지 따져보았다. 다음으로 주제 구현 양상에서 그 특징을 찾았다. 이 이본은 선본 계열과 유사한 주제 의식을 지니고 있으되, 각몽에서 가시적 효과를 보여줄 수 있는 장면 전환 부분을 생략하는 대신 이를 성진의 인식적 차원의 변화로 갈음하였다. 이로 인해 주제 구현의 과정에 미묘한 차이가 발생했고, 수용자들은 변화된 서사에 보다 공감했으리라고 보았다. 요컨대 <연정 구운몽>은 곳곳에서 희곡적 성격을 드러내는 바, 이 이본이 정밀한 연극 대본은 아니지만 공연 상황을 염두에 두었을 가능성이 매우 높다고 판단했다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.344-344
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• 2014

Transparent amorphous oxide semiconductors such as a In-Ga-Zn-O (a-IGZO) have advantages for large area electronic devices; e.g., uniform deposition at a large area, optical transparency, a smooth surface, and large electron mobility >10 cm2/Vs, which is more than an order of magnitude larger than that of hydrogen amorphous silicon (a-Si;H).1) Thin film transistors (TFTs) that employ amorphous oxide semiconductors such as ZnO, In-Ga-Zn-O, or Hf-In-Zn-O (HIZO) are currently subject of intensive study owing to their high potential for application in flat panel displays. The device fabrication process involves a series of thin film deposition and photolithographic patterning steps. In order to minimize contamination, the substrates usually undergo a cleaning procedure using deionized water, before and after the growth of thin films by sputtering methods. The devices structure were fabricated top-contact gate TFTs using the a-IGZO films on the plastic substrates. The channel width and length were 80 and 20 um, respectively. The source and drain electrode regions were defined by photolithography and wet etching process. The electrodes consisting of Ti(15 nm)/Al(120 nm)/Ti(15nm) trilayers were deposited by direct current sputtering. The 30 nm thickness active IGZO layer deposited by rf magnetron sputtering at room temperature. The deposition condition is as follows: a rf power 200 W, a pressure of 5 mtorr, 10% of oxygen [O2/(O2+Ar)=0.1], and room temperature. A 9-nm-thick Al2O3 layer was formed as a first, third gate insulator by ALD deposition. A 290-nm-thick SS6908 organic dielectrics formed as second gate insulator by spin-coating. The schematic structure of the IGZO TFT is top gate contact geometry device structure for typical TFTs fabricated in this study. Drain current (IDS) versus drain-source voltage (VDS) output characteristics curve of a IGZO TFTs fabricated using the 3-layer gate insulator on a plastic substrate and log(IDS)-gate voltage (VG) characteristics for typical IGZO TFTs. The TFTs device has a channel width (W) of $80{\mu}m$ and a channel length (L) of $20{\mu}m$. The IDS-VDS curves showed well-defined transistor characteristics with saturation effects at VG>-10 V and VDS>-20 V for the inkjet printing IGZO device. The carrier charge mobility was determined to be 15.18 cm^2 V-1s-1 with FET threshold voltage of -3 V and on/off current ratio 10^9.

• 만화애니메이션 연구
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• 통권46호
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• pp.207-231
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• 2017

판화는 순수예술의 한 분야이면서 에디션(edition)이라는 특수성 때문에 대중적인 성격을 띤 상업적 결과물로 인식되는 모호한 경계에 놓여져 있다. 현대의 과학기술 발전은 판화의 새로운 기법을 발달시켰고 디지털(digital)이라는 컴퓨터와의 융합은 복제예술로서의 가능성을 보여주었다. 복제 판화는 사진과 접하며 확장된 영역으로의 지대한 영향을 받았고 프린트의 다양한 형태는 간접예술의 가능성을 여러 각도로 자극함으로써 많은 변화와 시도를 가져왔다. 판화와 과학기술의 역사가 밀접하게 관련되어 있듯이 컴퓨터의 발달은 복수예술성의 광범위한 영역확대, 기술적, 예술적 변화를 시도하게 만든다. 디지털이 갖는 매끈한 평면위에 판화의 물성을 얹음으로 단순히 복사된 이미지 위에 새로운 개념의 형상을 만들어낼 수 있는 과정과 결과는, 일품미술의 가치 혹은 판화가 주는 물성의 특성과는 또 다른 독특한 작품의 영역을 보여준다. 복제성에 대한 폄하된 인식은 판화와 직결된 의미로 작품의 가치를 평가하였고 복제된 각 에디션의 가치와는 무관하게 한 묶음의 작품으로 평가절하 되는 것은 부인 할 수 없는 사실이다. 그러나 종이 위에 찍혔던 판화의 물성은 캔버스위에 손으로 직접 그리는 핸드드로잉(hand drawing)과 함께 올려지고, 디지털 프린트라는 정보의 종이위에 결합하는 과정을 통해 새로운 면모와 변화를 보여주는 계기가 된다. 매체가 주는 다양성은 예술과 과학기술사이에서 때로는 정체성의 논란이 되기도 한다. 앞으로 예술의 영역에서 누릴 수 있는 매체성의 한계를 어떤 기준으로 정할 수 있을지도 논의가 되어야 할 것이다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제20권8호
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• pp.162-175
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• 2020

본 연구는 비주얼 커뮤니케이션의 맥락에서 타이포그래피-특히 3차원 환경의 타이포그래피-와 글말의 기호성(記號性)을 시공간의 차원에서 융합하는 실천적 탐구를 다룬다. 지금까지의 타이포그래피 연구와 교육은 주로 지면(紙面)과 같은 2차원 환경과 인쇄 기술을 중심으로 이루어져 왔다. 그러나 본 연구는 지면을 벗어난 타이포그래피에 관한 프로젝트를 연구자가 직접 설계하고 수행한 결과로써 비주얼 커뮤니케이션에 쓰이는 사유와 표현의 수준을 한 차원 높이고 그 범위를 확장하는 기회를 제공한다. 프로젝트의 효율적인 진행을 위해 먼저 커뮤니케이션의 구조와 체계, 프로세스를 파악하고 비주얼 커뮤니케이션의 중추로서 2차원과 3차원 타이포그래피에 대해 고찰한다. 더불어 대표적인 3차원 타이포그래피 작품을 맥락적으로 분석하여 본 연구를 위해 진행한 프로젝트의 개념적 뼈대로 삼는다. 또한 이를 바탕으로 3차원 타이포그래피 프로젝트 연작 <수사적 공간>을 창작하여 그 가능성을 실제적이고 객관적으로 검증하고 제안한다. 나아가 문자 기반의 시각 언어와 비주얼 커뮤니케이션 디자인의 발전을 목표로 하는 아이디어의 시각화를 보다 공간적, 물리적, 그리고 입체적인 공적 환경의 영역에서 발현할 수 있는 기회로 삼고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.490.2-490.2
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• 2014

Since the general solar cells accept sun light at the front side, excluding the electrode area, electrons move from the emitter to the front electrode and start to collect at the grid edge. Thus the edge of gridline can be important for electrical properties of screen-printed silicon solar cells. In this study, the improvement of electrical properties in screen-printed crystalline silicon solar cells by contact treatment of grid edge was investigated. The samples with $60{\Omega}/{\square}$ and $70{\Omega}/{\square}$ emitter were prepared. After front side of samples was deposited by SiNx commercial Ag paste and Al paste were printed at front side and rear side respectively. Each sample was co-fired between $670^{\circ}C$ and $780^{\circ}C$ in the rapid thermal processing (RTP). After the firing process, the cells were dipped in 2.5% hydrofluoric acid (HF) at room temperature for various times under 60 seconds and then rinsed in deionized water. (This is called "contact treatment") After dipping in HF for a certain period, the samples from each firing condition were compared by measurement. Cell performances were measured by Suns-Voc, solar simulator, the transfer length method and a field emission scanning electron microscope. According to HF treatment, once the thin glass layer at the grid edge was etched, the current transport was changed from tunneling via Ag colloids in the glass layer to direct transport via Ag colloids between the Ag bulk and the emitter. Thus, the transfer length as well as the specific contact resistance decreased. For more details a model of the current path was proposed to explain the effect of HF treatment at the edge of the Ag grid. It is expected that HF treatment may help to improve the contact of high sheet-resistance emitter as well as the contact of a high specific contact resistance.