• 제목/요약/키워드: diode laser

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Comparison of two techniques for transpharyngeal endoscopic auditory tube diverticulotomy in the horse

  • Koch, Drew W.;Easley, Jeremiah T.;Nelson, Brad B.;Delcambre, Jeremy J.;McCready, Erin G.;Hackett, Eileen S.
    • Journal of Veterinary Science
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    • 제19권6호
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    • pp.835-839
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    • 2018
  • Auditory tube diverticula, also known as guttural pouches, are naturally occurring dilations of the auditory tube in horses that communicate with the nasopharynx through a small ostium. Infection and select other conditions can result in inflammation and narrowing of the nasopharyngeal ostium, which prevents drainage of fluid or egress of air and can lead to persistent infection or guttural pouch tympany. Auditory tube diverticulotomy allows continuous egress from the auditory tube diverticula and is a feature of disease treatment in horses, in which medical treatment alone is not successful. Transpharyngeal endoscopic auditory tube diverticulotomy was performed using a diode laser either at a single dorsal pharyngeal recess location or bilaterally caudal to the nasopharyngeal ostium in 10 horse head specimens. Both methods resulted in clear communication between the nasopharynx and auditory tube diverticula. Diverticulotomy performed in the dorsal pharyngeal recess required less laser energy and activation time and had a shorter surgical duration than diverticulotomy performed caudal to the nasopharyngeal ostium. Further study related to the clinical application of both techniques is warranted.

WDM-PON 시스템을 위한 저가격 상호 주입 잠김 F-P LD (Cost Effective Mutual Injection Locked F-P LD for WDM-PON System)

  • 황지홍;이혁재;박준모
    • 융합신호처리학회논문지
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    • 제21권4호
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    • pp.162-169
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    • 2020
  • 본 논문에서는 엄밀한 수학 없이 상호 주임 잠김에 대한 정성적 이해를 시도하였고, 제안하는 상호 주입 잠김 광원에 대해 분석한다. 또한 두 개의 unpolarized Fabry-Perot Laser Diode (F-P LD)를 이용한 상호 주입 잠김 기반의 Wavelength Division Multiplexing - Passive Optical Network (WDM-PON)용 저가격 광원을 구현하였다. 한 쪽 F-P LD의 파장 변화에 대한 RIN (Relative Intensity Noise) 특성을 측정하였는데, 가변 파장의 범위가 2.07 nm일 때 최소 -110 dB/Hz의 RIN을 보여주었다.

레이저-수광소자를 이용한 선형 이송측의 기하학적 오차측정 시스템 (Geometric error assessment system for linear guideway using laser-photodiodes)

  • 박희재;주종남;황상욱
    • 한국정밀공학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.180-188
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    • 1994
  • Error assessment and evaluation for machine for machine tool slides have been considered as essential tools for improving accuracy. In this paper, a computer aided measurement technique is proposed using photo pin diodes of quadrant type and laser source. In thedeveloped system, three photo diodes are mounted on a sensor mounting table, and the sensored signal is processed by specially designed signal conditioner to give fine resolution with minimum noise. A micro computer inputs the processed signal, and the geometric errors of five degree of freedoms are successfully evaluated. Pitch, roll, yaw, vertical and horizontal straightness errors are thus assessed simultaneously for a machine tool slide. Calibration techniques such as optics calibration, photo diode calibration are proposed and implemented, giving precise calibration for the measurement system. The developed system has been applied to a practical machine tool slide, and has been found as one of efficient and precise technique for machine tool slide.

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Dynamic Quasi-Elastic Light Scattering Measurement of Biological Tissue

  • Youn, Jong-In;Lim, Do-Hyung
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제28권2호
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    • pp.169-173
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    • 2007
  • During laser irradiation, mechanically deformed cartilage undergoes a temperature dependent phase transformation resulting in accelerated stress relaxation. Clinically, laser-assisted cartilage reshaping may be used to recreate the underlying cartilaginous framework in structures such as ear, larynx, trachea, and nose. Therefore, research and identification of the biophysical transformations in cartilage accompanying laser heating are valuable to identify critical laser dosimetry and phase transformation of cartilage for many clinical applications. quasi-elastic light scattering was investigated using Ho : YAG laser $(\lambda=2.12{\mu}m\;;\;t_p\sim450{\mu}s)$ and Nd:YAG Laser $(\lambda=1.32{\mu}m\;;\;t_p\sim700{\mu}s)$ for heating sources and He : Ne $(\lambda=632.8nm)$ laser, high-power diode pumped laser $(\lambda=532nm)$, and Ti : $Al_2O_3$ femtosecond laser $(\lambda=850nm)$ for light scattering sources. A spectrometer and infrared radiometric sensor were used to monitor the backscattered light spectrum and transient temperature changes from cartilage following laser irradiation. Analysis of the optical, thermal, and quasi-elastic light scattering properties may indicate internal dynamics of proteoglycan movement within the cartilage framework during laser irradiation.

금형재료용 주철의 다이오드 레이저 표면경화처리에 관한 연구(I) - 금형재료에 따른 표면경화 특성 - (A Study on the Diode Laser Surface Hardening Treatment of Cast Iron for Die Material(I) - Characteristics of Surface Hardening by Die Materials -)

  • 김종도;송무근;황현태
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제35권8호
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    • pp.1041-1047
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    • 2011
  • 본 연구에서는 거의 모든 기반산업에서 필수적인 생산기술로 사용되고 있는 금형의 기계적 성질을 향상시키기 위해 고출력 다이오드 레이저를 이용하여 두 종류의 금형재료용 주철을 표면경화처리하였다. 우선, 구상흑연 주철인 FCD550 소재에 대하여 열처리 특성을 파악한 후, 편상흑연 주철인 HCI350 소재를 열처리하여 두 소재의 표면경화 특성을 비교하였다. 경화부의 경도는 두 시험편 모두 모재에 비해 3배 이상의 경도 상승을 보였지만, 재료에 포함된 흑연의 함유량 및 형상의 차이에 의한 재료의 열전도도에 따라서 FCD550 소재에 비해 HCI350이 열처리하는데 있어서 더 많은 입열이 요구되었다.

Meltback을 이용한 mesa shape의 형성과 평면매립형 반도체레이저의 제작 (The mesa formation and fabrication of planar buried heterostructure laser diode by using meltback method)

  • 황상구;오수환;김정호;김운섭;김동욱;홍창희
    • 한국광학회지
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    • 제10권6호
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    • pp.518-523
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    • 1999
  • 본 연구에서는 meltback 방법으로 mesa 모양을 형성하기 위하여 여러 가지 농도의 용액으로 meltback을 하였으며 InP 기판위에 InGaAsP 활성층과 InP cap층을 가지는 웨이퍼에 mesa 모양을 형성하기 위해서는 성장온도에서 성장용액의 80%인 InGaAsP(1.55$\mu$m)용액이 가장 적합한 것으로 확인되었다. meltback 방법만으로 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하기 위한 완전한 mesa를 형성하기는 어려우며, 따라서 본 연구에서는 화학에칭에 이어 Meltback 방법을 이용하여 mesa 모양을 형성하고 연속하여 전류 차단층을 형성시킨 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하였다. 이렇게 제작된 MQW-PBH-LD의 전기 광학적 특성은 공진기 길이가 $300{\mu}m$일 때 임계전류는 10mA, 내부양자효율은 82%, 내부손실은 $9.2cm^{-1}$, 특성온도는 $25~45^{\circ}C$ 사이에서는 65K, $45~65^{\circ}C$사이에서는 42K이었다.

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광통신용 $1.3{\mu}m$ Ridge Waveguide Distributed Feedback Laser Diode의 제작과 특성 평가 (Fabrication and Characterization of $1.3{\mu}m$ RWG-DFB-LD for Optical Fiber Communication)

  • 박경현;이중기;장동훈;유지범;강승구;김홍만;이용탁;박형무;조호성
    • 한국광학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.113-119
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    • 1994
  • 발진파장이 $1.3\mu\textrm{m}$인 Ridge Waveguide Distributed Feedback Laser Diode(RWG-DFB-LD)를 제작하고 특성을 평가하였다. 회절격자 형성은 광간섭무늬 노광법을 이용하였고 결정성장은 LPE로 수행하였다. 제작된 RWG-DFB-LD의 발진 임계전류는 67 mA이었고, 1296.5 nm 파장에서 측모우드 억제율 30 dB 이상으로 단일 종모우드 발진하였다. 금지대역폭 측정에 의한 회절격자 결합계수(k)는 $40cm^{-1}$로 평가되었다. 소신호 변조특성평가 펼과 제작한 RWG-DFB-LD는 1.2Ith에서 1.99GHz의 변조대역폭$(f_{-3dB})$ 특성을 보였다.

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Faraday효과를 이용한 광CT 기술 개발 연구 (The Study on The Skil Development of Optical CT Using Faraday Effects)

  • 전재일;안미경;박원주;이광식;김정배;김민수
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제18권3호
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    • pp.109-113
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    • 2004
  • 본 논문에서는 초고압 전력설비에서의 대전류 측정을 위한 광CT(optical current transformer)개발을 목적으로한 기초 연구를 하였다. 자기장에 의해서 광신호의 편광특성이 변화되는 Faraday 효과를 기본 이론으로 하며, 1310[nm] Laser Diode를 광원으로 사용하고 5[m], 10pm], 20[m]의 길이가 서로 다른 광섬유로 센싱부를 구성하였다. 전류의 측정은 400[A]에서 1300[A]까지의 범위에서 측정하였으며 센싱부를 구성한 광섬유의 길이에 따른 출력 특성을 파악하기 위한 실험을 하였다. 동일한 실험환경에서 각각의 출력의 크기 및 선형성은 인가 전류 및 광섬유의 길이에 비례하여 증가하였으며, 5[m]광섬유를 센싱부로 사용한 것은 최대 -11.1%의 오차율을, 10[m], 20[m]의 경우 각각 최대 -3.5%, 1.7%의 오차율을 나타냈다.

전치왜곡기를 이용한 LD 및 광변조기의 비선형 왜곡 보상 (Nonlinear distortion compensation of LD and optical intensity modulator using predistorter)

  • 전금수;왕영석;정용채;반재경
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권10호
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    • pp.41-49
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    • 2004
  • LD(laser diode)나 광변조기를 이용하는 광송신단에 존재하는 비선형 변조 특성은 SCM 시스템과 같은 아날로그 광통신 시스템의 성능을 심각하게 제한한다. 따라서 본 논문에서는 전기적 전치왜곡기를 이용하여 LD와 광변조기의 비선형 특성을 보상하였다. LD의 직접변조 방식에서는 877.5 MHz와 882.5 MHz의 두 신호를 이용하여 비선형 왜곡보상 실험을 하였으며, 3차혼변조 신호의 크기를 19 dB 개선하였다. 그리고 광변조기의 경우는 1.8975 GHz와 1.9025 GHz의 두 신호를 이용하여 21 dB의 3차 혼변조 신호를 개선하였다. 또한 LD와 광변조기의 동적 동작영역을 각각 5 dB/Hz/sup ⅔/와 7 dB/Hz/sup ⅔/ 개선하였다.

GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 (Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode)

  • 김광웅;조남기;송진동;이정일;박정호;이유종;최원준
    • 한국진공학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.266-271
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    • 2009
  • Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/$cm^2$, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/$cm^2$, 발진 파장은 1320 nm이다.