• 제목/요약/키워드: dangling

검색결과 116건 처리시간 0.024초

Representing Topic-Comment Structures in Chinese

  • Pan, Haihua;Hu, Jianhua
    • 한국언어정보학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국언어정보학회 2002년도 Language, Information, and Computation Proceedings of The 16th Pacific Asia Conference
    • /
    • pp.382-390
    • /
    • 2002
  • Shi (2000) claims that topics must be related to a syntactic position in the comment, thus denying the existence of dangling topics in Chinese. Under Shi's analysis, the dangling topic sentences in Chinese are not topic-comment but subject-predicate sentences. However, Shi's arguments are not without problems. In this paper we argue that topics in Chinese can be licensed not only by a syntactic gap but also by a semantic gap/variable without syntactic realization. Under our analysis, all the dangling topics discussed in Shi (2000) are, in fact, not subjects but topics licensed by a semantic gap/variable that can turn the relevant comment into an open predicate, thus licensing dangling topics and deriving well-formed topic-comment constructions. Our analysis fares better than Shi's in not only unifying the licensing mechanism of a topic to an open predicate without considering how the open predicate is derived, but also unifying the treatment of normal and dangling topics in Chinese,

  • PDF

서봉총 금제 과대 및 요패의 성분 분석 (A Scientific Analysis of the Gold Belt with Dangling Ornaments from Seobongchong Tomb)

  • 윤은영
    • 박물관보존과학
    • /
    • 제17권
    • /
    • pp.17-42
    • /
    • 2016
  • 신라시대 대형 고분인 서봉총에서 출토된 과대 1점과 요패 8점을 성분 분석하였다. 구성품을 크게 금판, 못, 영락, 금사 등으로 구분하여 성분비를 검토한 결과 모두 서로 다른 순도를 지닌 금제로 제작되었다. 과대에 사용된 금판은 순도 17~18K, 19~20K 두 가지로 구분되며, 못은 약 20K, 영락과 금사는 대부분 18K의 금으로 제작되었다. 요패에 사용된 금판 역시 대부분 17K~19K이며, 연결고리는 17~19K, 못은 17~20K, 영락과 금사는 약 19K의 금제로 확인되었다.

Influence of Dangling Bonds on Nanotribological Properties of Alpha-beam Irradiated Graphene

  • Hwang, Jinheui;Kim, Jong Hoon;Kwon, Sangku;Hwang, C.C.;Wu, Junqiao;Park, Jeong Young
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
    • /
    • pp.265-265
    • /
    • 2013
  • We have investigated the influences of dangling bonds generated by alpha particle irradiation on friction and adhesion properties of graphene. Single layer of graphene grown with chemical vapor deposition on copper foil was irradiated by the alpha beam with the average energy of 3.04 MeV and the irradiation dosing between $1{\times}10^{14}$ and $1{\times}10^{15}$/$cm^3$. Raman spectroscopic showed that the ${\pi}$ electron states below Fermi level arises and the $I_D$/$I_G$ increases as increasing the dosing of alpha particle irradiation. The core level X-ray photoelectron (XPS) revealed that these defects represent the creation of various carbon-related defects and dangling bond. The nanoscale tribological properties were investigated with atomic force microscopy in ultrahigh vacuum. The friction appeared to increase remarkably as increasing the amount of dosing, indicating that the dangling bonds on graphene layers enhances the energy dissipations in friction. This trend can be explained by the additional channel of energy dissipation by dangling bond or O- and H- terminated clusters created by alpha particle irradiation.

  • PDF

Dynamics of Hydrogen on Si (100)

  • Boland, John J.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
    • /
    • pp.25-25
    • /
    • 2000
  • In this talk we discuss the dynamics of hydrogen on the Si(100)-2xl surface. At room temperature the sticking coefficient for molecular hydrogen on this surface is less than 10sup-12. However, hydrogen molecules desorbing from the surface do not have an excess of energy, suggesting at best a small barrier on the exit channel. These observations have led to speculation about the validity of detailed balance in this system. Here we show that this discrepancy can be explained by considering both the surface-molecule co-ordinate and that associated with the Si-Si dimer bond tiltangle. By preparing the surface dimers with a specific tiltangle we demonstrate that the barrier to adsorption is a function of this angle and that the sticking coefficient dramatically increase for certain angles. The adsorption-desopption dynamics can then be described in terms of a common potential energy hypersurface involving both of these co-ordinates. The implications of these observations are also discussed. The dynamics of adsorbed hydrogen atoms on the Si(100) surface is also described. Paired dangling bonds produced following recombinative hydrogen desorption are mobile at elevated temperatures. Pairs of dangling bonds are observed to dissociate, diffuse, and ultimately recombine. At sufficiently elevated temperatures dangling bond exchange reactions are observed. These data are analyzed in terms of an attractive zone and an effective binding interaction between dangling bonds. Insights that this provides into the nature of surface defects and the localized chemistry that occurs on this surface, are also discussed.

  • PDF

웹 페이지에서 참조무결성 제약조건에 관한 연구 (A Study on Referential Integrity Constraint on Web Page)

  • 유남현;손철수;김원중
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
    • /
    • pp.569-572
    • /
    • 2004
  • 다수의 사람들이 관리ㆍ운영하는 많은 분량의 HTML 문서들로 이루어진 웹사이트들의 경우에는 현수참조(Dangling Reference)와 오문참조(Inaccurate Contents Reference)와 같은 깨진 링크(Broken Link)를 관리하는데 많은 어려움이 따른다. 즉, HTML 페이지의 내용 중 연결구조에 관련된 부분을 변경하거나 삭제하는 경우 문서들간의 연결구조에 대한 무결성(Integrity)을 보장하기가 어렵다. 본 논문에서는 Parent 페이지와 Child 페이지에서의 무결성 제약조건(Integrity Constraint Condition)들을 조사하여 정의하고, 확장 UML로 표현하는 방법에 대해 연구하였다.

  • PDF

a-SiGe:H 박막의 고상결정화에 따른 주요 결험 스핀밀도의 변화

  • 노옥환;윤원주;이정근
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
    • /
    • pp.78-78
    • /
    • 2000
  • 다결정 실리콘-게르마늄 (poly-SiGe)은 태양전지 개발에 있어서 중요한 물질이다. 우리는 소량의 Ge(x=0.05)으로부터 다량의 Ge(x=0.67)을 함유한 수소화된 비정질 실리콘-게르마늄 (a-SiGe:H) 박막의 고상결정화 과정을 ESR (electron spin resonance)방법으로 조사해보았다. 먼저 PECVD 방법으로 Corning 1737 glass 위에 a-Si1-xGex:H 박막을 증착시켰다. 증착가스는 SiH4, GeH4 가스를 썼으며, 기판온도는 20$0^{\circ}C$, r.f. 전력은 3W, 증착시 가스압력은 0.6 Torr 정도이었다. 증착된 a-SiGe:H 박막은 $600^{\circ}C$ N2 분위기에서 다시 가열되어 고상결정화 되었고, 결정화 정도는 XRD (111) peak의 세기로부터 구해졌다. ESR 측정은 상온 x-band 영역에서 수행되었다. 측정된 ESR스팩트럼은 두 개의 Gaussian 함수로써 Si dangling-bond와 Ge dangling-bond 신호로 분리되었다. 가열 초기의 a-SiGe:H 박막 결함들의 스핀밀도의 증가는 수소 이탈에 기인하고, 또 고상결정화 과정에서 결정화된 정도와 Ge-db 스핀밀도의 변화는 서로 깊은 상관관계가 있음을 알 수 있었다. 특히 Ge 함유량이 큰 박막 (x=0.21, 0.67)에서 뿐만 아니라 소량의 Ge이 함유된 박막(x=0.05)에서도 Ge dangling-bond가 Si dangliong-bond 보다 고상결정화 과정에서 더 중요한 역할을 한다는 것을 알수 있었다. 또한 초기 열처리시 Si-H, Ge-H 결합에서 H의 이탈로 인하여 나타나는 Si-dangling bond, Ge-dangling bond 스핀밀도의 최대 증가 시간은 x 값에 의존하였는데 이러한 결과는 x값에 의존하는 Si-H, Ge-H 해리에너리지로 설명되어 질 수 있다. 층의 두께가 500 미만인 커패시터의 경우에 TiN과 Si3N4 의 계면에서 형성되는 슬릿형 공동(slit-like void)에 의해 커패시터의 유전특성이 파괴된다는 사실을 알게 되었으며, 이러한 슬릿형 공동은 제조 공정 중 재료에 따른 열팽창 계수와 탄성 계수 등의 차이에 의해 형성된 잔류응력 상태가 유전막을 기준으로 압축응력에서 인장 응력으로 바뀌는 분포에 기인하였다는 사실을 확인하였다.SiO2 막을 약화시켜 절연막의 두께가 두꺼워졌음에도 기존의 SiO2 절연막의 절연 파괴 전압 및 누설 전류오 비교되는 특성을 가졌다. 이중막을 구성하고 있는 안티퓨즈의 ON-저항이 단일막과 비교해 비슷한 것을 볼 수 잇는데, 그 이유는 TiO2에 포함된 Ti가 필라멘트에 포함되어 있어 필라멘트의 저항을 감소시켰기 때문으로 사료된다. 결국 이중막을 구성시 ON-저항 증가에 의한 속도 저하 요인은 없다고 할 수 있다. 5V의 절연파괴 시간을 측정한느 TDDB 테스트 결과 1.1$\times$103 year로 기대수치인 수십 년보다 높아 제안된 안티퓨즈의 신뢰성을 확보 할 수 있었다. 제안된 안티퓨즈의 이중 절연막의 두께는 250 이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고, 약 65$\Omega$의 on 저항을 얻을수 있었다.보았다.다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에 의한 기능성 나노 입자 제조 기술을 확립하고 2차 오염 발생원인 유기계 항균제를 무기계 항균제로 대체할 수 있다. 이와 더불

  • PDF

H-induced Magnetism at Stepped Si (100) Surface

  • Lee, Jun-Ho;Cho, Jun-Hyung
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.211-211
    • /
    • 2012
  • Using spin-polarized density-functional theory calculations, we find that the existence of either Peierls instability or antiferromagnetic spin ordering is sensitive to hydrogen passivation near the step. As hydrogens are covered on the terrace, the dangling bond electrons are localized at the step, leading to step-induced states. We investigate the competition between charge and spin orderings in dangling-bond (DB) wires of increasing lengths fabricated on an H-terminated vicinal Si(001) surface. We find antiferromagnetic (AF) ordering to be energetically much more favorable than charge ordering. The energy preference of AF ordering shrinks in an oscillatory way as the wire length increases. This oscillatory behavior can be interpreted in terms of quantum size effects as the DB electrons fill discrete quantum levels.

  • PDF

FlexDesigner:계층적으로 모듈화된 주초의 객체 지향 방식 비다양체 모델링 커널 (FlexDesigner:Object-Oriented Non-manifold Modeling Kernel with Hierarchically Modularized Structure)

  • 이강수;이건우
    • 한국CDE학회논문집
    • /
    • 제2권4호
    • /
    • pp.222-236
    • /
    • 1997
  • Conventional solid or surface modeling systems cannot represent both the complete solid model and the abstract model in a unified framework. Recently, non-manifold modeling systems are proposed to solve this problem. This paper describes FlexDesigner, an open kernel system for modeling non-manifold models. It summarizes the data structure for non-manifold models, system design methodology, system modularization, and the typical characteristics of each module in the system. A data structure based on partial-topological elements is adopted to represent the relationship among topological elements. It is efficient in the usage of memory and has topological completeness compared with other published data structures. It can handle many non-manifold situations such as isolate vertices, dangling edges, dangling faces, a mixed dimensional model, and a cellular model. FlexDesigner is modularized hierarchically and designed by the object-oriented methodology for reusability. FlexDesigner is developed using the C++ and OpenGL on both SGI workstation and IBM PC.

  • PDF

Influence of Trap Passivation by Hydrogen on the Electrical Properties of Polysilicon-Based MSM Photodetector

  • Lee, Jae-Sung
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
    • /
    • 제18권6호
    • /
    • pp.316-319
    • /
    • 2017
  • A new approach to improving the electrical characteristics and optical response of a polysilicon-based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector is proposed. To understand the cause of current restriction in the MSM photodetector, modified trap mechanisms are suggested, which include interfacial electron traps at the metal/polysilicon interface and silicon dangling bonds between silicon crystallite grains. Those traps were passivated using hydrogen ion implantation with subsequent post-annealing. Photodetectors that were ion-implanted under optima conditions exhibited improved photoconductivity and reduced dark current instability, implying that the hydrogen bonds in the polysilicon influence the simultaneous decreases in the density of dangling bonds at grain boundaries and the trapped positive charges at the contact interface.

Electrical Instabilities of Mesoporous Silica Thin Films

  • ;정현담
    • 통합자연과학논문집
    • /
    • 제3권4호
    • /
    • pp.219-225
    • /
    • 2010
  • On the surface of mesoporous silica thin films (MSTF) which were fabricated by sol-gel approach there are existences of water and three different silanol types including chained, germinal and isolated silanol. Their amounts changes as a function of aging time of used sol solution, as confirmed by FT-IR. The adsorbed water generates ionic carriers such as H+ and OH- and passivates the Si dangling bonds at the interface of silicon wafer-MSTF. The ionic carriers can not only transport across the thickness of thin film to enhance the leakage current but also diffuse toward the silicon wafer-MSTF interface to depassivate Si dangling bonds. On the other hand, chained silanols or germinal silanols promote the moisture adsorption of MSTF and tend to form strongly hydrogen bonded systems with adsorbed water molecules resulting in very high dielectric constant. Isolated silanol, on the contrary, affects less on electrical properties of thin film.