• 조명전기설비학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.103-109
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• 2010

이 논문은 동축원통형 전극계에서 임펄스전류에 의한 토양의 절연파괴특성에 관한 것으로 4종의 토양에 대한 절연파괴전압과 전류를 측정하고, 절연파괴를 일으키는 전계의 세기, 절연파괴까지의 지연시간과 전압-전류곡선을 분석하고 검토하였다. 그 결과, 절연파괴전압과 전류 파형은 토양입자의 크기에 의존하며, 자갈과 모래의 절연파괴 전압과 전류 파형은 마사토와 황토의 파형과는 다르게 나타났다. 절연파괴를 일으키는 전계의 세기는 자갈, 모래, 황토, 마사토의 순으로 높았으며, 모든 시료의 전압-전류곡선은 ${\infty}$모양의 교차폐곡선을 나타내었다. 또한 자갈과 모래의 절연파괴까지의 시간지연은 마사토나 황토보다 길게 나타났다. 본 연구 결과는 토양의 이온화를 고려하여 낙뢰전류가 입사되는 접지전극시스템의 과도적 성능의 향상을 위한 설계에 유용한 정보가 될 것이다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.59-68
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• 2009

분산진원으로서 연료전지 발전장치는 100w부터 수백[kw]의 용량을 가지며 종전의 대규모 전력설비와 비교하여 높은 신뢰도를 갖는 고품질의 전력을 공급할 수 있다. 본 연구에서는 소형 분산전원으로서 PEMFC(polymer electrolyte membrane fuel cell)연료전지 발전장치에 대한 PSIM(power electronics simulation tool) 모델을 설정하고 이를 바탕으로 DSP(digital signal processor)기반의 연료전지 하드웨어 시뮬레이터를 구현하였다. 연료전지 전류와 출력전압과의 관계는 연료전지의 전압-전류(V-I) 곡선 중 ohmic영역에서 1차 함수로 간략화 하였다. 구현된 시스템은 PEMFC 하드웨어 시뮬레이터, 절연형 풀 브리지 직류 부스트 컨버터 그리고 60[Hz] PWM인버터로 구성되어있다. 부하변동 및 과도상태에 대한 연료전지 하드웨어 시뮬레이터의 전압-전류-전력(V-I-P) 특성을 파악하였으며, 저항 부하 및 비선형 부하에 대한 전력변환기의 60[Hz] 정현파 교류출력 전압파형을 고찰하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.569-575
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• 2020

최근, 화석연료 고갈과 온실 가스 배출에 대한 우려가 높아지면서 신·재생 에너지 기술에 대한 연구가 주목을 받고 있다. 휴대용 전자기기 및 웨어러블 디바이스의 수요가 증가하고 IT기기들이 소형화되면서 배터리의 크기, 사용시간 등의 한계를 극복하기 위한 기술로 에너지 하베스팅이 있다. 본 논문에서는 열전소자의 V-I 특성곡선과 내부저항을 분석하고, 기존의 MPPT제어방식을 비교하였다. P&O제어방식은 열전소자의 전압, 전류를 측정하기 위한 센서 2개를 사용해야하기 때문에 경제적으로 비효율적이다. 따라서 본 논문에서는 출력전압 조절을 위한 센서1개만을 이용하여 MPP를 추적하는 새로운 MPPT제어방식을 제안한다. 제안하는 MPPT제어방식은 duty ratio와 부하의 출력전압의 관계를 이용하였으며, DC-DC Converter의 출력전압을 주기적으로 샘플링하여 duty ratio를 증가 또는 감소시켜 최적의 duty ratio를 찾아 MPP를 유지하도록 제어된다. DC-DC Converter는 Two-Switch 토폴로지인 Cascaded boost-Buck Converter를 이용하여 회로도를 설계하였다. 제안된 MPPT 제어방식은 PSIM 시뮬레이션을 이용한 모의실험을 통하여 검증하였고, 그 결과 열전소자의 V-I 특성곡선으로부터 얻어지는 MPP에서 전압×전류 및 전력값(V=4.2V, I=2.5A, P=10.5W)과 일치함을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권6호
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• pp.219-222
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• 2004

This paper discovers that there are some peculiar properties that can remove holography grating, which was made in chacogenide thin film by impressed voltage. The thin films were used are $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$, and we use He-Ne laser in order to form thin films. I-V curved line in a thin film before a lattice was made has the critical point, about 3.7 V. Moreover, the I-V curved line increased current intensity at over 4 V after it made thin film. In addition, while holography grating is being made, and when it has the highest diffraction efficiency, a lattice can be deleted if put more voltage into it.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.53-56
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• 1998

Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays, where they are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(Phen)/Al(A), glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)$_3$(p-hen)/Al(B) and glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)$_3$(phen)/AlQ$_3$/Al(C) structures were fabricated by vacuum evaporation method. where aromatic diamine(TPD) was used as a hole transporting material, Eu(TTA)$_3$(phen) as an emitting material. and tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum(AlQ$_3$) as an electron transporting layer. Electroluminescent(EL) and I-V characteristics of Eu(TTA)$_3$(Phen) with a various thickness were investigated. This structure shows the red EL spectrum, which is almost the same as the PL spectrum of Eu(TTA)$_3$(phen). I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density was 0.01A/$\textrm{cm}^2$ at a dc operation voltage of 9V. Electrical transporting phenomena of these structures was explained using the trapped- charge-limited current model with I-V characteristics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.317-320
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• 1998

Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays, where they are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(Phen)/Al(A), glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)$_3$(phen)/Al(B) aNd glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)$_3$(Phen)/A1Q$_3$/Al (C) structures were fabricated by vacuum evaporation method, where aromatic diamine(TPD) was used as a hole transporting material, Eu(TTA)$_3$(phen) as an emitting material, and tris(8-hydroxyquinoline) Aluminum (AlQ$_3$) as an electron transporting layer. Etectroluminescent(EL) and I-V characteristics of Eu(TTA)$_3$(phen) with a various thickness were investigated. This structure shows the red EL spectrum, which is almost the same as the PL spectrum of Eu(TTA)$_3$(phen). I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density was 0.01A/㎤ at a dc operation voltage of 9V. Electrical transporting phenomena of these structures was explained using the trapped-charge-limited current model with I-V characteristics.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제5권1호
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• pp.21-25
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• 2006

To improve the performance of organic thin film transistor, we investigated the properties of gate insulator's surface according to the leakage current by I-V measurement. The surface was treated by the dilute n-octadecyltrichlorosilane solution. The alkyl group of n-octadecyltrichlorosilane induced the electron tunneling and the electron tunneling current caused the breakdown at high electric field, consequently shifting the breakdown voltage. The 0.5% sample with an electron-rich group was found to have a large leakage current and a low barrier height because of the effect of an energy barrier lowered by, thermionic current, which is called the Schottky contact. The surface properties of the insulator were analyzed by I-V measurement using the effect of Poole-Frankel emission.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권5호
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• pp.329-337
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• 2001

고유전 (Ba, Sr)TiO/sub 3/ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.520-521
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• 2008

This paper describes a low voltage, low-power CMOS buck DC/DC converter, which has a simple common-gate current sensing circuit. It consumes low power because it includes less transistors than other converters which use operational amplifiers for current sensing. The designed DC-DC converter is fabricated in a 0.18um CMOS technology. A maximum efficiency of 88% has been obtained with the proposed circuit. It has $2V{\sim}3.7V$ input voltage range, $1V{\sim}2.5V$ output voltage range and maximum output current of 1000mA.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권4호
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• pp.177-181
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• 2013

In this paper, silicon solar cells are analyzed regarding power conversion efficiency by changed capacitance in the depletion region. For the capacitance control in the depletion region of silicon solar cell was applied for 10, 20, 40, 80, 160 and 320 Hz frequency band character and alternating current(AC) voltage with square wave of 0.2~1.4 V. Academically, symmetry formation of positive and negative change of the p-n junction is similar to the physical effect of capacitance. According to the experiment result, because input of square wave with alternating current(AC) voltage could be observed to changed capacitance effect by indirectly method through non-linear power conversion (Voltage-Current) output. In addition, when input alternating current(AC) voltage in the silicon solar cell, changed capacitance of depletion region with the forward bias condition and reverse bias condition gave a direct effect to the charge mobility.