• 조명전기설비학회논문지
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• 제29권12호
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• pp.22-27
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• 2015

Conoscopic holography, which consists of two linear polarizers and two wave plates, and an uniaxial crystal, is incoherent holographic technology for three-dimensional display. In the uniaxial crystal, the wave from object divides into extraordinary and ordinary waves and phase difference between two waves is caused by the different refractive index of two waves. Four intensity patterns, which are made by phase difference, are obtained using LCLV(liquid crystal light valve) and conoscopic holography system. By combining four intensity patterns, the complex hologram without bias and conjugate image. In this paper, we propose the optimized system, which consists of a wave plate and a linear polarizer, and uniaxial crystal. In the proposed system, it doesn't need LCLV. By adjusting the azimuth angle of a linear polarizer and a wave plate, we derive four intensity patterns in recording plane. We demonstrate theoretically that the complex hologram with bias and a conjugate image is obtained using the proposed system.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권4호
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• pp.306-317
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• 1995

수평 브릿지만법은 갈륨 비소 반도체 결정을 성장시키는데 많이 사용된다. 수평 브릿지만 법에 의하여 성장된 단결정 내에서 불순물 분포를 알아보기 위하여 성장 과정 중의 액상에서 열전달, 물질전달, 유체흐름과 고상에서 열전달을 의사 정상상태를 가정하여 2차원 및 3차원 모델을 세우고 유한요소법에 의하여 수치모사하였다. 이때 고-액 계면의 위치와 형태도해의 일부분으로 다른 해들과 동시에 구하였다. 2차원 단열 경계조건에서는 3차원의 계면이 2차원의 경우보다 덜 휘어졌고, 대류 강도는 비슷하였다. 대류강도의 증가에 따라 수직 편석은 최대값을 보였으나 계면이 2차원에서 더 휘어져 최대값은 2차원에서 대류 강도가 더 작을 때 나타났다.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권5호
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• pp.207-210
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• 2001

Metal-organic VPE (MOVPE) epitaxial growth procedure and related device fabrication technique are reported for GaInP-based epitaxial materials and devices. For GaInP/GaInAs two-dimensional electron-gas field-effect transistor (TEGFET), a promising epitaxial stacking structure resulting in enhanced electron mobility is given. In conjunction with this, a new device fabrication technique to improve luminous intensity of GaInP-based LED is also shown.

• 대한기계학회논문집B
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• 제23권6호
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• pp.753-760
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• 1999

Experiments were conducted to investigate the effect of the initial turbulent intensity on the flow and heat transfer characteristics for a two-dimensional impinging jet. A square rod was installed at the nozzle exit to increase initial turbulent intensity. A hot wire probe and thermochromic liquid crystal technique were used to measure the turbulent intensity and the surface temperature. All measurements were made over a range of nozzle-to-plate distance from 1 to 10 at Re=20,000. When the rod is not installed, the maximum stagnation point Nusselt number is occurred at H/B=9. A higher initial turbulent intensity enhanced the heat transfer on the surface. A correlation between stagnation point Nusselt number and turbulent intensity are presented.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권2호
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• pp.41-46
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• 1992

Mutually pumped phase conjugator(MPPC) is experimentally investigated and analyzed in terms of fanning gratings of a photorefractive BaTiO$_3$ crystal. As considering the intensity-dependent absorption and coupling cofficients in photorefractive two wave mixing, the dependence of phase conjugate reflectivites on the incident angle, beam ratio, and total intensity in MPPC is analyzed.

• 한국결정학회지
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• 제14권1호
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• pp.24-24
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• 2003

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.581-586
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• 1998

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, X-선 단면 측정 및 습식 산화/선택적 식긱 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 산만 산란 정도와 X-선 과잉 강도의 적분값은 비례적으로 증가하였으며, 그 값을 Grade 1의 손상된 웨이퍼에서의 과잉 강도로 정규화하면 과잉 강도의 상대 정량비는 Geade 1:Grade 2:Grade 3 = 1:7:18.4이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권6호
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• pp.389-393
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• 2000

본 연구에서는 $\mu$-PD법으로 Er : Mg : $LiNbO_3$화이버 결정을 MgO의 첨가량을 달리하여 성장시켰으며, 첨가물 농도에 따른 성장조건과 PL 특성에 관해 조사하였다. 또한,성장한 결정의 투과 스펙트럼으로부터 Er : Mg : $LiNbO^3$에서 $Er^{3+}$ 의 에너지 준위구조를 계산하였다. Crack과 bubble등의 결함이 없는 결정은 after-beater를 조정하여 0.5 mm/min 이하의 성장속도에서 얻을 수 있었다. MgO의 농도에 따른 PL강도는 0.6 mol% $Er_2O_3$와 3 mol% MgO가 첨가된 Er : Mg : $LiNbO_3$결정에서 가장 강한 형광강도가 관측되었다. 또한, 에너지 준위 $^4S_{3/2}$에서 기저준위로 방출되는 빛이 가장 강했으며 1530 nm의 형광은 비방출천이 및 형광방출 등의 원인에 의한 $^4I_{13/2}$ 준위에서의 여기전자 감소가 형광강도 감소의 원인임을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권1호
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• pp.80-85
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• 2000

말토 덱스트린이 첨가된 알루미나 슬러리의 공정조건 변화에 따른 유동특성 변화를 실험계획법과 통계적 방법을 사용하여 분석하였다. 공정조건으로는 말토 덱스트린 첨가 여부, 말토 덱스트린 첨가 전.후에 슬러리에 대한 초음파 처리, 슬러리의 진동기 유지시간 등이 검토되었다. 대부분의 경우 슬러리의 점도는 전단 희석 특성을 나타내었으며 Ostwald-de-Weale 모델에 적합한 것으로 나타났다. 알루미나 슬러리의 점도는 말토 덱스트린이 첨가됨에 따라 감소하였으나 초음파 처리 강도가 증대됨에 따라 증가되었으며, 초음파 처리 전.후에 말토 덱스트린을 첨가하는 것은 슬러리의 점도에 별다른 영향을 미치지는 않았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권4호
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• pp.408-413
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• 1995

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향을 고찰하였다. 기계적손상의 정도는 X-선 이중결정 회절법과 X-선 단면 측정법 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 소수반송자 재결합 수명 측정에 영향을 미치는 반치전폭의 임계값은 약13초임을 알 수 있다.