• 제목/요약/키워드: crystal defect

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플라즈마 에쳐용 실리콘 전극과 링의 수명에 미치는 결함의 영향 (Effect of defects on lifetime of silicon electrodes and rings in plasma etcher)

  • 음정현;채정민;피재환;이성민;최균;김상진;홍태식;황충호;안학준
    • 한국결정성장학회지
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    • 제20권2호
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    • pp.101-105
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    • 2010
  • 플라즈마 에쳐 내에 사용되는 실리콘 전극과 링 부품은 사용 중에 강한 플라즈마와 접촉하면서 주기적인 가열과 냉각 과정을 거친다. 이 때 부품의 표면에서는 열 응력으로 인하여 PSB라고 하는 띠 형상의 결함이 생성되며 이로 인하여 그 수명을 다하게 된다. 원료인 실리콘 잉곳의 관점에서 그 수명에 미치는 인자를 살펴보았다. 잉곳의 등급, 즉 S/F와 S/A에 따라 불순물과 결함의 농도를 GDMS와 ${\mu}$-PCD로 평가하여 잉곳의 어떤 요소들에 의하여 수명이 결정되는가를 분석하였다. 그 결과, {001} 면상에서 관찰되는 <110> 방향의 면 결함들이 PSB와 연결될 가능성이 있음을 제안하였다.

Skull melting법에 의해 성장된 rutile 단결정 분석 (Analysis of rutile single crystals grown by skull melting method)

  • 석정원;최종건
    • 한국결정성장학회지
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    • 제16권5호
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    • pp.181-188
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    • 2006
  • 스컬용융법에 의해 성장시킨 rutile단결정을 성장 축과 수평 또는 수직으로 절단한 후 ${\phi}5.5mmx1.0mm$ 크기의 웨이퍼로 양면연마 하였다. 연마한 흑색 웨이퍼들은 $1200^{\circ}C$에서 $3{\sim}15$시간, $1300^{\circ}C$에서 $10{\sim}50$시간 annealing을 행함에 의해 옅은 황색으로 변화되었다. Annealing 후 구조적 및 광학적 특성은 비중, SEM-EBSP, XRD, FT-IR, laser Raman, PL 그리고 XPS 등으로 분석하였고, 이들 결과들은 공기중의 무게 증가, 수중의 무게 및 비중의 감소,침상의 2차상, 산소이온 확산 및 $Ti^{3+}$ 이온이 감소되는 것으로 분석되었다. 이는 스컬용융법에 의해 성장된 rutile 단결정에 $O_v,\;Ti^{3+},\;O_v-Ti^{3+}$ interstitial 그리고 $F^+-H^+$와 같은 결함의 존재를 의미한다.

Liquid Crystal Alignment Effects on Nitrogen-doped Diamond like Carbon Layer by Ion Beam Alignment Method

  • Han, Jeong-Min;Choi, Sung-Ho;Kim, Byoung-Yong;Han, Jin-Woo;Kim, Jong-Hwan;Kim, Young-Hwan;Hwang, Jeoung-Yeon;Lee, Sang-Keuk;Ok, Chul-Ho;Seo, Dae-Shik
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제8권1호
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    • pp.46-50
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    • 2007
  • We have studied the nematic liquid crystal (NLC) alignment effects on a nitrogen-doped diamond-like carbon (NDLC) thin film layer with ion beam irradiation. The pretilt angle for NLC on the NDLC surface with ion beam exposure was observed below 1 degree. Also, we had the good LC alignment characteristics on the NDLC thin films with ion beam exposure of 1800 eV. In thermal stability experiments, the alignment defect of the NLC on the NDLC surface with ion beam irradiation above annealing temperature of $250^{\circ}C$ can be observed. Therefore, the good thermal stability and LC alignment for NLC by ion beam aligned NDLC thin films can be achieved.

Preparation and Characterization of Porous and Composite Nanoparticulate Films of CdS at the Air/Water Interface

  • Ji, Guanglei;Chen, Kuang-Cai;Yang, Yan-Gang;Xin, Guoqing;Lee, Yong-Ill;Liu, Hong-Guo
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제31권9호
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    • pp.2547-2552
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    • 2010
  • CdS nano-particulate films were prepared at the air/water interface under Langmuir monolayers of arachidic acid (AA) via interfacial reaction between $Cd^{2+}$ ions in the subphase and $H_2S$ molecules in the gaseous phase. The films were made up of fine CdS nanoparticles with hexagonal Wurtzite crystal structure after reaction. It was revealed that the formation of CdS nano-particulate films depends largely on the experimental conditions. When the films were ripened at room temperature or an increased temperature ($60^{\circ}C$) for one day, numerous holes were appeared due to the dissolution of smaller nanoparticles and the growth of bigger nanoparticles with an improved crystallinity. When the films were ripened further, CdS rodlike nanoparticles with cubic zinc blende crystal structure appeared due to the re-nucleation and growth of CdS nanoparticles at the stacking faults and defect structures of the hexagonal CdS grains. These structures were characterized by transmission electron microscopy (TEM), high-resolution TEM (HRTEM), and X-ray diffraction (XRD). These results declare that CdS semiconductor nanoparticles formed at the air/water interface change their morphologies and crystal structures during the ripening process due to dissolution and recrystallization of the particles.

Liquid Crystal Aligning Capabilities Treated on Organic Overcoat Thin Films by Ion Beam Irradiation Method

  • Han, Jeong-Min;Kim, Byoung-Yong;Kim, Jong-Yeon;Kim, Young-Hwan;Han, Jin-Woo;Hwang, Jeoung-Yeon;Lee, Sang-Keuk;Kang, Dong-Hun;Ok, Chul-Ho;Seo, Dae-Shik
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제20권3호
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    • pp.245-249
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    • 2007
  • The liquid crystal display (LCD) applications treated on the organic overcoat thin film surfaces by ion beam irradiation was successfully studied. The good LC aligning capabilities treated on the organic overcoat thin film surfaces with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min above ion beam energy of 1200 eV can be achieved. But, the alignment of defect of NLC on the organic overcoat surface at low energy of 600 eV was measured. The pretilt angle of NLC on the organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min at energy of 1800 eV was measured about 1 degree. Finally, the good thermal stability of LC alignment on the organic overcoat thin film surface with ion beam exposure of $60^{\circ}$ for 2 min until annealing temperature of $200^{\circ}C$ can be measured.

골결손부 재건을 위한 금속 이온 치환 이상인산칼슘 합성 및 생체 활성 평가 (Synthesis and bioactivity evaluation of metal ion-substitution biphasic calcium phosphate for bone defect reconstruction)

  • 김태완;김동현;진형호;이승호;박홍채;윤석영
    • 한국결정성장학회지
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    • 제22권6호
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    • pp.279-285
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    • 2012
  • BCP, Mg-BCP, Si-BCP 분말을 공침법(co-precipitation process)을 이용하여 합성하였다. 제조된 분말을 X-선 회절 분석(XRD), 적외선분광분석(FTIR)을 이용하여 특성을 분석하였다. Ca/P 몰 비율이 1.602인 칼슘 결손 아파타이트 공침물을 제조하여 $1000^{\circ}C$ 열처리 과정을 통하여 HAp와 ${\beta}$-TCP 상이 혼재된 BCP, Mg-BCP, Si-BCP을 합성할 수 있었다. 제조된 분말의 생체활성 거동을 평가하기 위하여 Hanks' Balanced Salt Solution(HBSS)에 침적시켜 시간에 따라 형상의 변화 및 결정상을 분석한 결과, BCP 분말에 비하여 금속 이온이 치환된 BCP 분말에서 빠른 생체활성을 관찰할 수 있었다. MTT assay를 통한 세포 성장률 평가에서모든 분말에서 시간 경과에 따라 독성을 나타내지 않았으며, 세포의 활성이 증가하였다.

FDM(Fused Deposition Modeling) 방식 3D 프린터를 이용한 불규칙한 표면 출력 (Irregular surface output using FDM (Fused Deposition Modeling) 3D printer)

  • 이정수;차경철
    • 한국결정성장학회지
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    • 제32권1호
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    • pp.33-39
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    • 2022
  • 3D 프린터 관련 특허가 만료되고 주요 기술이 공개되면서 3D 프린터 가격이 하락하면서 원하는 제품을 쉽게 찾을 수 있는 환경이 조성되고 있다. 특히 가장 저렴한 FDM(Fused Deposition Modeling) 3D 프린터가 다양한 분야에서 사용되고 있다. FDM 방식은 형상을 출력할 때 특정 조건이상에서는 지지대(Support)를 붙여야만 형상의 무너짐 없이 제작이 가능하다. 지지대를 달지 않고 형상을 출력할 때 특정 각도에서 발생하는 불규칙한 표면은 제품에 있어서는 불량이지만 예술과 공예적 측면에서는 또 다른 재미를 느낄 수 있는 요소로 활용될 수 있다고 사료된다. 본 논문에서는 이러한 불규칙한 표면을 얻기 위해 출력에 영향을 줄 수 있는 요인들을 제어하고 출력 각도만 변위요소로 실험하였다. 실험 결과 수직에서 62°~70°의 각도로 프린팅 시 필라멘트가 흘러내리지 않고 불규칙한 표면을 얻을 수 있었다. 또한 인위적으로 불규칙한 표면을 공예적인 제품에 적용해 보았다.

토파즈의 人工着色 處理를 위한 硏究(I) : 世界 主要 産地別 토파즈의 鑛物學的 및 化學的 特性 (A Study of Coloration of Topaz(I): Mineralogical and Chemical Study on the Topaz Selected from Some Localities of the World)

  • 한이경;박맹언;장영남
    • 한국광물학회지
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    • 제5권2호
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    • pp.109-121
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    • 1992
  • 본 연구는 토파즈의 인공착색 처리 방법을 설정하기 위하여 브라질, 중국, 인도, 나이지리아, 스리랑카 등 5개국에서 산출된 토파즈를 대상으로, 전자현미분석(EPMA), 중성자활성분석(NAA), X선 회절분석, 라만 분광분석, 주사현미경(SEM), 부식시험, 굴절률측정, 비중측정, 유체 포유물 관찰 등의 실험을 실시하여 광물학적, 화학적 특성에 관한 연구를 수행하였다. 연구 결과 토파즈는 산지에 따라 화학적, 구조적 및 물리적 특성의 차이를 나타내었으며 특히, F와 OH 고용체 함량의 차이는 물리적, 구조적 특성과 밀접한 관련성이 있음이 확인되었다. F에 대한 OH로 치환정도가 가장 높은 인도산 토파즈는 굴절률, 단위포상수 b, 단위포 체적 및 ${\Delta}021$값이 가장 크고, 비중값은 가장 작으며 스리랑카산, 중국산, 브라질산, 나이지리아산순으로 F에 대한 OH로 치환 정도가 낮다. F에 대한 OH로 치환정도가 가장 낮은 나이지리아산 토파즈는 굴절률, 단위포상수 b, 단위포 체적 및 ${\Delta}021$값이 가장 작고, 비중값은 가장 크다. 토파즈내에 함유되는 미량원소종은 Na, Fe, Br, Co, Ce, La, Sm, Th, Au, Sc, Cr 등이며 이러한 미량원소의 정성정량적 특성은 물리적 특성에는 거의 영향을 미치지 않았다. 라만 분광분석 결과 토파즈의 피크는 산지에 따라 강도의 차이를 나타내었으며 브라질산과 인도산은 455∼458($cm^{-1}$)근처의 피크, 중국산은 282∼284($cm^{-1}$) 근처의 피크가 나타나지 않았다. 산지에 따른 결정구조결함 특성은 주로 point-bottom pit의 negative crystal defect(인도산, 나이지리아산)와 curl-bottom pit의 net work defect(브라질산, 중국산)로 구분되며, 결정내에 발달하는 미세한 균열을 따라 형성된 선결함 양상(linear defect)을 보여준다. 유체 포유물의 특징은 브라질산이 액상 $CO_2$를 가지는 III형이고, 중국산에는 유체 포유물이 거의 관찰되지 않으며 단지 $10{\mu}m$이하의 매우 작은 크기인 초생포유물의 극소량 존재한다. 인도산은 기체가 풍부한 II형이고, 나이지리아산은 암염, 실바이트 등의 고체 포유물을 함유하는 IV형이며 스리랑카산은 거의 대부분의 유체 포유물이 2차 생성의 I형이 주로 형성되어 있다. 본 연구의 결과는 광물학적 특성의 차이를 갖는 산지별 토파즈의 인공착색을 위한 처리 방법을 설정하는 유용한 기초 자료로 이용될 수 있을 것이다.

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플라즈마 이온주입 후 RTP 열처리 온도와 시간에 따른 접촉저항 특성 (Characteristics of Contact resistivity on RTP annealing temperature and time after Plasma ion implant)

  • 최장훈;도승우;이용현
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.5-6
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    • 2009
  • In this paper, plasma ion implant is performed with $PH_3$ gas diluted by helium gas on P-type Si wafer (100). Spike Rapid Thermal Processing(RTP) annealing performed for 30~60 sec from $800\;^{\circ}C$ to $1000\;^{\circ}C$ in $N_2+O_2$ ambient. Crystalline defect is analyzed by Transmission Electron Microscope(TEM) and Double crystal X-ray Diffraction(DXRD). Contact resistivity($\rho c$), contact resistance(Rc) and sheet resistance(Rs) are analyzed by measuring Transfer Length Method(TLM) using 4155C analysis. As annealing temperature increase, Rs decrease and ${\rho}c$ and Rc increase at temperature higher than $850\;^{\circ}C$. We achieve low Rs, ${\rho}c$ and Rc with Plasma ion implant and spike RTP.

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Czochralski 법으로 성장시킨 단결정 Silicon Wafer에서의 표면 무결함층(Denuded Zone) 형성에 관한 연구(I) (The Study on the Denuded Zone Formation of Czochralski-grown Single Crystal Silicon Wafer (I))

  • 김승현;양두영;김창은;이홍림
    • 한국세라믹학회지
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    • 제28권6호
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    • pp.495-501
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    • 1991
  • This study is intended to make defect-free region, denuded zone at the silicon wafer surface for semiconductor device substrates. In this experiment, initial oxygen concentration of starting material CZ-grown silicon wafer, various heat treatment combinations, denuding ambient and the amounts of oxygen reduction were measured, and then denuded zone (DZ) formation and depth were investigated. In Low/High anneal (DZ formation could be achieved), the optimum temperature for Low anneal was 700$^{\circ}C$∼750$^{\circ}C$. In case of High anneal, with the time increased, DZ depth was increased at 1000$^{\circ}C$, 1150$^{\circ}C$ respectively, but on the contrary, DZ depth was decreased at low temperature 900$^{\circ}C$. As well, out-diffusion time below 2 hours was unsuitable for effective Gettering technique even though the temperature was high, and DZ formation could be achieved when initial oxygen concentration was only above 14 ppm in silicon wafer.

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