• 제목/요약/키워드: crystal

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HWE 방법에 의한 $AgGaS_2$단결정 박막성장과 특성에 관한 연구 (A study on the growth and characteristics of $AgGaS_2$ single crystal thin film by hot wall epitaxy)

  • 홍광준;정준우
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.211-220
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    • 1998
  • 수평 전기로에서 $AgGaS_2$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성장하였다. $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성잘할 때 증발원과 기판의 온도를 각각 $590^{\circ}C$, $440^{\circ}C$로 성장하였을 때 이중결정 X-선 요동곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 124 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었다. 상온에서 $AgGaS_2$ 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 2.61cV였다. Band edge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Vaeshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 2.7284eV, $\alpha$= 8.695$\times$10-4 eV/K, $\beta$= 332K 로 주어졌다. 광발광 봉우리는 20K에서 414.3nm(2.9926eV)와 414.1nm(2.7249eV)는 free exciton(Ex)의 upper polariton과 lower polariton인 {{{{{E}`_{x} ^{u} }}}}와 {{{{{E}`_{x} ^{L} }}}}, 423.6nm(2.9269eV)는 bound exciton emission에 의한 I로 관측되었다. 또한 455nm(2.7249eV)의 peak는 donor-acceptor pair(DAP)에 기인하는 광발광 봉우리로 관측되었다.

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결정 소성학을 이용한 반구 박판 성형공정 전산모사 (Computer Simulation of Hemispherical Sheet Forming Process Using Crystal Plasticity)

  • 심정길;금영탁
    • 한국소성가공학회:학술대회논문집
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    • 한국소성가공학회 2007년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.282-284
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    • 2007
  • The hardening and the constitutive equation based on the crystal plasticity are introduced for the numerical simulation of hemispherical sheet metal forming. For calculating the deformation and the stress of the crystal, Taylor's model of the crystalline aggregate is employed. The hardening is evaluated by using the Taylor factor, the critical resolved shear stress of the slip system, and the sum of the crystallographic shears. During the hemispherical forming process, the texture of the sheet metal is evolved by the plastic deformation of the crystal. By observing the texture evolution of the BCC sheet, the texture evolution of the sheet is traced during the forming process. Deformation texture of the BCC sheet is represented by using the pole figure. The comparison of the strain distribution and punch force in the hemispherical forming process between crystal plasticity and experiment shows the verification of the crystal-based formulation and the accuracy of the hardening and constitutive equation obtained from the crystal plasticity.

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$KMgCl_3$결정의 육성과 강탄성적 성질에 관한 연구 (The crystal growth and ferroelasticity of the crystal $KMgCl_3$)

  • 조용찬;정희태;박상언;박진습;황윤회;정세영
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.544-549
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    • 1998
  • $KMgCl_3$ 단결정을 Ar 분위기에서 최초로 Czochralski 방법을 사용하여 육성하였다. 원료시약 KCl과 $KMgCl_2$를 화학량론적인 혼합으로는 KMgCl3를 육성할 수 없었고 비화학량론적인 방법을 사용하여 $KMgCl_3$를 육성할 수 있었다. KCl과 MgCl2를 1:1의 비율로 혼합하여 결정을 육성하였을 때에는 $K_2MgCl_4$단결정이 육성되었다. 육성되어진 $KMgCl_3$ 단결정의 연속적 상전이점들을 확인하기 위하여 DTA, DSC 등이 열적 실험을 수행하였다. 그리고 $KMgCl_3$ 단결정이 강탄성적 성질을 가짐을 확인하였으며 고온 편광현미경을 사용하여 온도에 따른 강탄성 domain의 변화를 조사하였다. 또한 stress-strain 이력곡선의 조사를 통하여 결정내 spontaneous strain의 온도에 따른 변화를 조사하였다.

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PVT 법으로 성장된 AlN 단결정의 열처리 공정에 대한 연구 (A study on the heat treatment process for AlN single crystals grown by PVT method)

  • 강승민
    • 한국결정성장학회지
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    • 제27권2호
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    • pp.65-69
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    • 2017
  • AlN 단결정을 $1600{\sim}1800^{\circ}C$의 온도에서 100 torr 이하의 진공하에서 $100^{\circ}C$ 간격으로 열처리하였다. AlN 단결정은 고주파유도가열 방식으로 가열되는 성장부를 갖는 성장장치를 사용하여 PVT법으로 얻어내었다. 단결정 시편들의 표면을 광학현미경으로 관찰하였으며, 성장된 압력 하에서 온도에 따라 형상이 달라짐을 알 수 있었다. 본 연구에서는 광학현미경 관찰 결과를 보고하고자 하며, 열처리 온도가 증가함에 따라 표면의 열에칭이 나타났는데, 이는 작은 에치핏의 형성을 통하여 관찰하였다.

bloating zone법을 이용한 Langasite 단결정 성장 및 특성 분석 (Crystal growth of langasite by floating zone method and characterization)

  • 김영석;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.63-67
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    • 2002
  • 부유대역법을 이용하여 직경 Langasite 단결정을 Ar과 $O_2$가 혼합된 가스의 분위기에서 성장시켰으며, 그때 성장속도는 각각 1.5 mm/hr, 회전속도는 15rpm이었고, 성장된 결정은 투명한 짙은 오렌지색을 가졌다. 성장된 결정은 c 축 방향으로 성장되었으며, 길이 방향의 조성변동이 없이 성장한 것을 확인할 수 있었고, 성장된 결정은 $La_{3.10}Ga_{4.73}Si_{1.17}O_{14}$의 조성을 가지고 있었다. 500nm 부근의 흡수밴드는 성장된 결정의 오렌지빛과 관계가 있는 것을 확인할 수 있었으며, 계산된 Langasite의 활성화에너지는 0.23eV이었고, $300^{\circ}C$ 이상의 온도에서 PTC의 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

자기장이 가하여진 초크랄스키 실리콘 단결정 성장에서 질량전달에 미치는 성장결정과 도가니의 회전효과 (Effect of crystal and crucible rotations on the mass transfer in magnetohydrodynamic Czochralski crystal growth of silicon)

  • 김창녕
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.536-547
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    • 1997
  • 축방향으로 균일한 자장이 가하여진 Czochralski 도가니에서 도가니와 성장결정이 다양한 각속도로 회전하는 경우에 대하여 유동장, 온도장 및 산소의 농도장이 수치적으로 연구되었다. 도가니 벽의 가열에 의한 부력의 효과와 자유표면에서 온도차이에 의한 열모세관효과로 인한 용융물질의 유동은 도가니와. 성장결정의 회전에 따른 원심력에 의하여 차등적으로 억제될 수 있다. 이 원심력에 가장 큰 영향을 주는 인자는 도가니의 회전속도이며 이것이 초크랄스키 결정성장과정에서 속도장, 온도장, 농도장에 큰 영향을 주고 있다. 도가니의 회전속도가 작을 때에는 성장결정의 회전이 원심력을 효과적으로 발생시킨다.

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적외선 용융대역법에 의한 $La_{1/3}MO_3$ (M=Nb, Ta) 단결정 성장 및 유전 특성 (Crystal growth and dielectric properties of $La_{1/3}MO_3$ (M=Nb, Ta) by infrared floating zone method)

  • ;손정호;조상희
    • 한국결정성장학회지
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    • 제5권3호
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    • pp.233-239
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    • 1995
  • $La_{1/3}NbO_3$$La_{1/3}TaO_3$의 대형 단결정을 적외선 용융대역법으로 제작하여 A-자리 공공이 유전 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Weissenberg 및 Precession 사진에서 $La_{1/3}TaO_3$ 결정의 대칭성은 tetragonal 이며, 격자정수는 a $\approx$ 0.397, b $\approx$ 0.397, c $\approx$ 0.775이다. 유전이상은 $2/3La^{3+}$ 이온이 공공자리로의 이동에 기인한 것으로 추측하였다.

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느타리버섯 형질전환주(形質轉換株)에서 Filamentous Crystal 형성(形成) (Formation of Filamentous Crystal in Transformants of Pleurotus species)

  • 변명옥;차동열
    • 한국균학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.216-221
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    • 1992
  • 사철느타리버섯, 느타리버섯, 여름느타리버섯 형질전환주(形質轉煥珠)에서 crystal이 형성(形成) 되었으며, crystal은 물에는 녹지않고 고온(高溫)이나 ethanol에 녹으며 ethanol이 휘발되면 재결정이 이루어졌다 . crystal은 고체(固體)배지뿐 아니라 액체(液體) 배지(培地)에서도 형성(形成)되며 균사(菌絲)를 $15-25^{\circ}C$에서 배양(培養)할때 형성(形成)되나 $30-35^{\circ}C$ 에서는 형성(形成)되지 않았다. 또한 uv 를 이용(利用)하여 돌연변이(突然變異)를 유발(誘發)시켰을때도 여름느타리 버섯과 느타리버섯의 1핵(核) 균사(菌絲)에서 crystal을 형성(形成)하는 균주(菌株)를 얻었다 .

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Ge-Se-Te계 Chalcogenide 유리의 결정화 및 결정화가 물성에 미치는 영향 (Controlled Crystallization and its Effects on Some Properties of Ge-Se-Te Chalcogenide Glass)

  • 송순모;최세영;이용근
    • 한국세라믹학회지
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    • 제33권8호
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    • pp.855-862
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    • 1996
  • The nucleation and the crystal growth rates of Ge-Se-Te chalcogenide glass by two step heat-treatment and its effect on the mechanical optical properties and water-resistance were determined. The maximum nuclea-tion and crystal growth rate were 2.1$\times$103/mm3 .min at 28$0^{\circ}C$ and 0.4${\mu}{\textrm}{m}$/min at 33$0^{\circ}C$ respectively. When the crystal volume fraction with crystal size $1.5mutextrm{m}$ was about 4% the (hardness and fracture toughness were about 117kg/mm2 and 6.0 MPa.mm1/2)respectively. The weight loss of crystallized glass in water was lower than parent glass($25^{\circ}C$ for 32 hrs : 0.03% 8$0^{\circ}C$ for 16 hrs : 0.1%) as 0.01% at $25^{\circ}C$, 0.03% at 8$0^{\circ}C$ for 16 hrs : 0.1%) at $25^{\circ}C$ 0.03% at 8$0^{\circ}C$ respectively. The IR-transmittance decreased with increasing crystal size and crystal volume fraction. The IR-transmittance of crystallized glass with the crystal size of $1.5mutextrm{m}$ (crystal volume fraction : 4%) presented 56% which was about 4% lower than that of parent glass.

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Crystal Growing of NaX type Zeolite

  • Ha, Jong-Pil;Seo, Dong-Nam;Kim, Seong-Yong;Jung, Mi-Jeong;Moon, In-Ho;Cho, Sang-Joon;Park, Hyun-Min;Kim, Ik-Jin
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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    • pp.351-360
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    • 1999
  • A large NaX type zeolite crystal of a uniform particle size of 20${\mu}{\textrm}{m}$ are grown with various H2O content by hydrothermal reaction and added seed crystal (2~3 ${\mu}{\textrm}{m}$) to reactant solution as a function of different adding seed levels from 3 to 15 %. The result that increased purity of NaX zeolite above 95% and homogeneity of crystal size by increasing adding seed levels, also decreased crystallization time. It was explained that adding seed to synthesis solution leaded out increase of surface area of physical contact reaction and directed growth of seed crystal, so more rapid consumption of reaction gel as increase seeding levels.

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