• 환경생물
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• 제25권3호
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• pp.273-278
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• 2007

[ $2003{\sim}2007$ ]년 통영 바다목장 해역 5개 정점을 대상으로 표층수와 저층수의 종속영양세균의 개체수를 측정하고, 종속영양세균 군집의 종조성 및 우점종을 분석하였다. 종속영양세균은 겨울이나 봄 및 가을에 비하여 해수의 온도가 높은 여름에 더 많이 검출되었으며, 정점별 변화는 특별한 변화 경향이 없었다. 2003년 10월 및 2004년 9월에는 태풍과 집중호우의 영향으로 표층수와 저층수의 개체수가 큰 차이를 나타내지 않거나 저층수의 개체수가 표층수보다 오히려 더 많은 경우도 있었다. 통영 바다목장 해역의 종속영양세균 개체수는 해를 거듭할수록 감소하는 추세를 나타내었다. 종속영양세균 군집의 종조성은 Pseudomonas fluorescens TY1, Pseudomonas stutzeri TY2, Acinetobacter lwoffii TY3, Sphingomonas paucimobilis TY4, Burkholderia mallei TY5, Pasteurella haemolytica TY6, Pasteurella multocida TY7, Comamonas acidovorans TY8, Actinobacillus ureae TY9 및 Chryseobacterium indologenes TY10으로 조사되었고, P. fluorescens TY1과 A lowffii TY3이 우점종으로 분석되었다.

• 전기화학회지
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• 제8권3호
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• pp.139-145
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• 2005

전자싸이크로트론공명(ECR: Electro Cyclotron Resonance)상온화학증착법에 의해 PET 폴리머기판위에 $SnO_x$ 박막을 제조하고, Sn의 전구체인 TMT(Tetra-methyl Tin)에 대한 산소와 수소의 몰 비 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 조사하였다 비화학양론적인 결합에 의해 성장된 투명 주석 산화막은 주입되는 산소/TMT, 수소/TMT몰 비에 의하여 조성비가 결정되고, 결정된 조성비에 의해 전기적 성질이 결정되는 것을 확인할 수 있었다. 산소/TMT의 몰 비 변화에 대하여 PET(polyethylene terephthalate)에 증착된 $SnO_x$ 박막의 최적 조성비는 1:2.4이다. 조성비는 반응에 참가하는 산소의 양이 증가할수록 점차적으로 증가하고, 과량의 몰 비로 산소가 주입될 경우 박막내의 Sn과 결합하지 않고 잉여 산소전하밀도를 증가시켜 bulk한 박막을 형성해 전기 비저항을 증가시키는 주요 원인이 된다. 수소/TMT의 몰 비는 산소 몰 비와 같이 증착되는 $SnO_x$의 몰 비에 영향을 주어 조성비를 변화시킴으로서 전기비저항을 결정하는데 크게 기여한다. 반응기내에 공급되는 수소량이 적으면 TMT의 불완전한 분해를 초래하여 반응에 필요한 $Sn^+$ 이온농도가 낮아지게 되고,상대적으로 잉여 산소함량이 증가하면서 높은 저항을 나타낸다. 임계값 이상으로 많은 양의 수소를 공급하면 플라즈마 내에 존재하는 $O^-$ 이온을 환원시켜 주석 산화막의 형성에 필요한 $O^-$ 이온의 감소로 전기저항이 오히려 증가하게 된다. 따라서 박막의 Sn:O의 조성비는 주입되는 산소량이 증가할수록 더욱 큰 값을 갖게 되고, 주입되는 수소량이 증가할수록 작은 값을 갖게 된다. 본 연구범위에서 TMP에 대한 산소의 몰 비는 80배, 수소의 몰 비는 40배일 때 가장 투명도와 전기전도도를 지니는 박막 특성을 나타내었다.

• 한국수산과학회지
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• 제18권2호
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• pp.124-130
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• 1985

한국산 갈조류에서 추출한 알긴산의 우론산 조성 및 그 물성을 조사하고자 전보에 이어 괭생이모자반 및 외톨개모자반을 시료로 하여 채취 시기별에 따른 변화를 분석 검토하였다. 알긴산의 연평 균 함량은 외톨개모자반과 괭생이모자반인 각각 $25.2\%,\;26.5\%$이었으며, 연평균 M/G비는 외톨개모자반이 1.97, 괭생이모자반이 1.38이었다. 또한 M/G비의 연중 변화를 보면 외톨개모자반의 경우 최대치는 $12{\sim}l$월, 최소치는 $5{\sim}6$월, $10{\sim}11$월에 나타났다. 괭생이모자반의 경우는 1월에 최대치를 $3{\sim}4$월에 최소치를 나타내었다. 우론산 블럭 배렬비에 있어서는 alternating, M, G block이 외톨개모자반의 경우는 각각 $18.4\%,\;40.4\%,\;41.2\%$ 괭생이모자반의 경우는 각각 $9.8\%,\;33.3\%,\;56.9\%$로 나타났다. 외톨개모자반 알긴산의 점도는 11월 시료가 45.3cP로서 가장 높았으며, 괭생이모자반의 경우는 1월에 최고치 26.0cP를 나타내었다. 또한 점도의 온도의존성은 외톨개모자반의 경우는 11월 시료가 가장 컸으며 괭생이모자반의 경우는 6월 시료가 2월보다 다소 크게 나타났다. 금속이온교환량은 외톨개모자반의 경우 11월 시료가 가장 컸으며 그 교환량은 $Pb^{2+}\;4.4,\;Cu^{2+}\;1.8,\;Zn^{2+}\;2.5,\;Co^{2+}\;2.0\;meq/g. Na-Alg.$이었다. 괭생이모자반의 경우는 6월 시료가 2월 시료에 비하여 크게 나타났는데 그 교환량은 $Pb^{2+}\;4.5,\;Cu^{2+}\;2.2,\;Zn^{2+}\;2.4,\;Co^{2+}\;2.1\;meq/g. Na-Alg.$이었다. 대체적으로 보아 금속이온교환능은 우론산의 블럭비와 관련성이 있는 것으로 보인다.

• 한국수산과학회지
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• 제18권1호
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• pp.29-36
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• 1985

전보(김과 박, 1984)에 이어 우리나라산 갈조류에 대한 우론산 조성 및 그 물성을 조사하고자 월별로 1년간 동일 장소에서 채취한 큰잎모자반을 시료로 하여 채취 시기별, 조체 부위별에 따른 변화를 분석 검토하였다. 1. 알긴산의 연평균 함량은 근경부와 엽상부가 각각 $21.4\%,\;19.7\%$이었으며, 연평균 M/G비는 엽상부가 2.28, 근경부가 1.85 이었다. 또한 M/G비의 연중 변화를 보면 엽상부의 경우 최대치는 $1{\sim}4$월, 최소치는 5월과 $10{\sim}12$월에 나타났다. 근경부의 경우는 $1{\sim}4$월에 최대치, 5월에 최소치를 나타내었다. 우론산 블럭 배열비에 있어서는 대체적으로 보아 엽상부와 근경부 모두 M block이 G block 보다 그 비율이 높았다. 2. 엽상부 알긴산의 점도는 11월 시료가 31.1cP로써 가장 높았으며, 근경부 알긴산의 경우 대체적으로 7.0cP 이하의 낮은 점도를 나타내었다. 또한 점도의 온도의존성은 엽상부 11월 시료가 가장 컸으며, 그 이외의 엽상부 및 근경부 알긴산은 상당히 낮은 경향을 나타내었다. 금속이온교환량은 엽상부의 경우 7월의 시료가 가장 많았으며, 그 교환량은 $Pb^{2+}\;5.2,\;Cu^{2+}\;3.1,\;Zn^{2+}\;1.7,\;Co^{2+}\;1.5$ meq/g, Na-Alg.이였고, 근경부의 경우는 금속이온교환량은 5월에 가장 많고 그 교환랑은 $Pb^{2+}\;4.6,\;Cu^{2+}\;3.3,\;Zn^{2+}\;2.5,\;Co^{2+}\;2.4$meq/g. Na-Alg.이었다. 금속이온과의 친화력은 $Pb^{2+}>Cu^{2+}>Zn^{2+}>Co^{2+}$의 순이었으며, 금속이온교환능은 우론산의 블럭비와 관련이 있는것으로 보인다.

• 전기의세계
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• 제28권4호
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• pp.53-63
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• 1979

Interface recombination velocity in $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As-GaAs and $Al_{0.85}$, G $a_{0.15}$ As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$ heterojunction systems is studied as a function of lattice mismatch. The results are applied to the design of highly efficient III-V heterojunction solar cells. A horizontal liquid-phase epitaxial growth system was used to prepare p-p-p and p-p-n $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$-A $l_{x}$G $a_{1-x}$ As double heterojunction test samples with specified values of x and y. Samples were grown at each composition, with different GaAs and GaAs Sb layer thicknesses. A method was developed to obtain the lattice mismatch and lattice constants in mixed single crystals grown on (100) and (111)B oriented GaAs substrates. In the AlGaAs system, elastic lattice deformation with effective Poisson ratios .mu.$_{eff}$ (100=0.312 and .mu.$_{eff}$ (111B) =0.190 was observed. The lattice constant $a_{0}$ (A $l_{x}$G $a_{1-x}$ As)=5.6532+0.0084x.angs. was obtained at 300K which is in good Agreement with Vegard's law. In the GaAsSb system, although elastic lattice deformation was observed in (111) B-oriented crystals, misfit dislocations reduced the Poisson ratio to zero in (100)-oriented samples. When $a_{0}$ (GaSb)=6.0959 .angs. was assumed at 300K, both (100) and (111)B oriented GaAsSb layers deviated only slightly from Vegard's law. Both (100) and (111)B zero-mismatch $Al_{0.85}$ G $a_{0.15}$As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$ layers were grown from melts with a weight ratio of $W_{sb}$ / $W_{Ga}$ =0.13 and a growth temperature of 840 to 820 .deg.C. The corresponding Sb compositions were y=0.015 and 0.024 on (100) and (111)B orientations, respectively. This occurs because of a fortuitous in the Sb distribution coefficient with orientation. Interface recombination velocity was estimated from the dependence of the effective minority carrier lifetime on double-heterojunction spacing, using either optical phase-shift or electroluminescence timedecay techniques. The recombination velocity at a (100) interface was reduced from (2 to 3)*10$^{4}$ for y=0 to (6 to 7)*10$^{3}$ cm/sec for lattice-matched $Al_{0.85}$G $a_{0.15}$As-GaA $s_{0.985}$S $b_{0.015}$ Although this reduction is slightly less than that expected from the exponential relationship between interface recombination velocity and lattice mismatch as found in the AlGaAs-GaAs system, solar cells constructed from such a combination of materials should have an excellent spectral response to photons with energies over the full range from 1.4 to 2.6 eV. Similar measurements on a (111) B oriented lattice-matched heterojunction produced some-what larger interface recombination velocities.ities.ities.s.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권3호
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• pp.122-126
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• 2003

본 연구에서는 두께가 0.7 $\mu \textrm{m}$인 $Zn_{0.86}Mn_{0.14}$Te 에피막을 GaAs(100) 기판 위에 열벽 적층 성장하였다. 선택에칭용액에 의하여 GaAs 기판이 제거된 X-선 회절 패턴으로부터 $Zn_{0.86}Mn_{0.14}$Te에피막의 결정구조는 zincblende 이었으며 격자상수는 6.140 $\AA$으로 계산되었다. 이러한 격자상수 값과 Vegard 법칙으로부터 Mn의 조성비 x=0.14임을 알았다. 성장된 에피막의 결정성은 이중결정요동 곡선의 반폭치 값이 256 arcsec인 것으로부터 양호하다는 것이 확인되었다 상온에서 10K 까지 $Zn_{0.86}Mn_{0.14}$Te에피막의 온도에 따른 띠 간격 에너지를 측정하기 위하여 투과 스펙트럼으로부터 흡수 스펙트럼이 얻어졌다 온도가 감소할수록 흡수 스펙트럼에서 강하게 흡수가 일어나는 영역은 에너지가 큰 쪽을 향하여 이동하였고 흡쑤단 근처에서 자유 엑시톤 형성을 의미하는 흡수 피크가 생겨났다. $Zn_{0.86}Mn_{0.14}$Te에피막의 온도에 따른 자유 엑시톤 피크 에너지로부터 OK와 300 K일 때 띠 간격 에너지는 각각 2.4947 eV와 2.330 eV로 구하여졌다. 10 K에서 기판이 제거된 $Zn_{0.86}Mn_{0.14}$Te 에피막의 흡수 스펙트럼의 자유 엑시톤 피크 에너지는 광발광 피크 에너지보다 15.4 meV 정도 크다. 이 에너지 차이는 흡수 스펙트럼과 발광 피크 사이의 에너지 차이를 의미하는 Stokes shift를 나타낸다.