Graphene have showed promising performance as electrodes of organic devices such as organic transistors, light-emitting diodes, and photovoltaic solar cells. In particular, among various organic materials of graphene-based organic devices, pentacene has been regarded as one of the promising organic material because of its high mobility, chemical stability. In the bottom-contact device configuration generally used as graphene based pentacene devices, the morphology of the organic semiconductors at the interface between a channel and electrode is crucial to efficient charge transport from the electrode to the channel. For the high quality morphology, understanding of initial stages of pentacene growth is essential. In this study, we investigate self-assembly of pentacene molecules on graphene formed on a 6H-SiC (0001) substrate by scanning tunneling microscopy. At sub-monolayer coverage, adsorption of pentacene molecules on epitaxial graphene is affected by $6{\times}6$ pattern originates from the underlying buffer layer. And the orientation of pentacene in the ordered structure is aligned with the zigzag direction of the edge structure of single layer graphene. As coverage increased, intermolecular interactions become stronger than molecule-substrate interaction. As a result, herringbone structures the consequence of higher intermolecular interaction are observed.
In case that limited resources can be mobilized, non-structural countermeasures such as 'monitoring using Information and Communication Technology might be one of solutions to mitigate disaster risks. Having established the monitoring system, operational and maintenance costs to maximize the effectiveness might trouble the authority concerned or duty attendant who is in charge. In this respect, "Guerrilla Sensor" would be very cost effective because of the inherent mobility characteristic. The sensor device with the IRIS camera and GPS (Global Positioning System) equipped, is basically battery-operated and communicates with WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access). It has a strong advantage of capabilities for 'Disaster Response' with immediate and prompt action on the spot, making the best use of IoT (Internet of Things), especially with the mobile web. This paper will explain how the sensor system works in real-time GIS (Geographic Information System) pinpointing the exact location of the abnormal movement/ground displacement and notifying the registered users via SMS (Short Message Service). Real time monitoring with early warning and evaluation of current situations with LBS (Location Based Service), live image and data information can help to reduce the disaster impact. Installation of Guerrilla sensor for a real site application at Gimcheon, South Korea is also reported.
Alumina (Al2O3) doped zinc oxide (ZnO) films (AZO) have been prepared from 2 wt.% Al2O3 doped ZnO target by DC magnetron sputtering at a 2 mTorr (0.27 Pa) chamber pressure in (15 sccm) argon ambient. We obtained films of various opto-electronic properties by variation of target angle from 32.5o to 72.5o. At lower target angle deposited films show higher values in optical gap, mobility of charge carrier, carrier concentration, crystallite grain size, transmission range of wavelength, which are favorable characteristics of AZO as a transparent conducting oxide (TCO). At higher target angle the sheet resistance, work function, surface roughness for the AZO films increases. Measured haze ratio of the films changed lower to higher and size of characteristic surface structure of as deposited film ranges from ~40 nm to ~300 nm. By a combination of low and high target angle we obtained a textured TCO film with high conductivity.
We have prepared alumina (Al2O3) doped zinc oxide (AZO) films by DC magnetron sputtering (MS) technique and obtained higher self surface texturing at a high target angle (f). We have characterized the films and applied it as a front electrode of a single junction amorphous silicon solar cell. At a lower f the deposited films show higher values of optical gap (Eg), charge carriers mobility & concentration, crystallite grain size and wider wavelength range of transmission. At higher target angle the sheet resistance, surface roughness, haze factor etc for the films increase. For f=72.5o the haze factor for diffused transmission becomes 6.46% at 540 nm wavelength. At f=72.5o the material shows a reduction in crystallinity and evolution of a hemispherical-type sub-micron surface textures. A Monte Carlo method (MCM) of simulation of the AZO film deposition shows that such an enhanced self-surface texturing of the films at higher f is possible.
Kim, Sang Jin;Lee, Bora;Choi, Yong Seok;Kim, Philip;Hone, James;Hong, Byung Hee;Bae, Sukang
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.301.1-301.1
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2016
We report an ultraclean, cost-effective, and easily scalable method of transferring and patterning large-area graphene using pressure sensitive adhesive films (PSAFs) at room temperature. This simple transfer is enabled by the difference in wettability and adhesion energy of graphene with respect to PSAF and a target substrate. The PSAF transferred graphene is found to be free from residues, and shows excellent charge carrier mobility as high as ${\sim}17,700cm^2/V{\cdot}s$ with less doping compared to the graphene transferred by thermal release tape (TRT) or poly(methyl methacrylate) (PMMA) as well as good uniformity over large areas. In addition, the sheet resistance of graphene transferred by recycled PSAF does not change considerably up to 4 times, which would be advantageous for more cost-effective and environmentally friendly production of large-area graphene films for practical applications.
Ryu, Ka Yeon;Cho, Kyuwan;Kim, Won-Suk;Kim, Kyungkon
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.432.2-432.2
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2016
A new A-D-A type (Acceptor-Donor-Acceptor) conjugated based on pyridine-borane complex (Donor), non-boron fluorine (Donor) and 2,5-bis(alkyl)-3,6-di(thiophen-2-yl)pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4(2H,5H)-dione (DPP) (Acceptor) were designed and synthesized via Pd-catalyzed Suzuki cross-coupling reaction. The synthesized boron based complex exhibited high electron affinity, which indicates deep HOMO energy levels and good visible absorption led to their use as donors in BHJ (bulk heterojunction) solar cells. Inverted devices were fabricated, reaching open-circuit voltage as high as 0.91eV. To probe structure-property relationship and search for design principle, we have synthesized pyridine-boron based electron donating small molecules. In this study, we report a new synthetic approach, molecular structure, charge carrier mobility and morphology of blended film and their correlation with the photovoltaic J-V characteristics in details.
KUH-1에 적용되는 질소충전트레일러는 항공기의 주/전륜 완충기, 테일범퍼완충기, 브레이크 축압기, 타이어 등에 질소를 충전하는 장비이다. 명칭에서 알 수 있는 것과 같이 질소충전트레일러는 질소 충전과 더불어 이동성을 가지고 있는 장비이다. 기존 미국의 Tronair사에서 독점 공급하여 국내에서는 수입에 의존하던 품목이며, 본 국산화 개발품은 도입품의 성능을 만족할 뿐만 아니라 운용 시 도입품보다 용이하도록 설계를 추진하였다. 제15-4차 민관공동투자사업으로 선정되어 개발이 진행되었으며, 민관투자기업인 한국항공우주산업과 국방기술품질원의 개발관리 지원하에 개발요구도 분석 및 시험평가가 수행되었으며, 2017년 5월 군사용 적합 판정 결과 승인을 받았다.
Chae, Sang Youn;Jung, Hejin;Joo, Oh-Shim;Hwang, Yun Jeong
Rapid Communication in Photoscience
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제4권4호
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pp.82-85
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2015
Photoelectrochemical cell (PEC) is one of the attractive ways to produce clean and renewable energy. However, solar to hydrogen production via PEC system generally requires high external bias, because of material's innate electronic band potential relative to hydrogen reduction potential and/or charge separation issue. For spontaneous photo-water splitting, here, we design dye-sensitized solar cell (DSSC) and their monolithic tandem cell incorporated with a $BiVO_4$ photoanode. $BiVO_4$ has high conduction band edge potential and suitable band gap (2.4eV) to absorb visible light. To achieve efficient $BiVO_4$ photoanode system, electron and hole mobility should be improved, and we demonstrate a tandem cell in which $BiVO_4/WO_3$ film is connected to cobalt complex based DSSC.
Polycrystalline Si(polysilicon) TFTs have opened a way for the next generation of display devices, due to their higher mobility of charge carriers relative to a-Si TFTs. The polysilicon W applications extend from the current Liquid Crystal Displays to the next generation Organic Light Emitting Diodes (OLED) displays. In particular, the OLED devices require a stricter control of properties of gate oxide layer, polysilicon layer, and their interface. The polysilicon layer is generally obtained by annealing thin film a-Si layer using techniques such as solid phase crystallization and excimer laser annealing. Typically laser-crystallized Si films have grain sizes of less than 1 micron, and their electrical/dielectric properties are strongly affected by the presence of grain boundaries. Impedance spectroscopy allows the frequency-dependent measurement of impedance and can be applied to inteface-controlled materials, resolving the respective contributions of grain boundaries, interfaces, and/or surface. Impedance spectroscopy was applied to laser-annealed Si thin films, using the electrodes which are designed specially for thin films. In order to understand the effect of grain size on physical properties, the amorphous Si was exposed to different laser energy densities, thereby varying the grain size of the resulting films. The microstructural characterization was carried out to accompany the electrical/dielectric properties obtained using the impedance spectroscopy, The correlation will be made between Si grain size and the corresponding electrical/dielectric properties. The ramifications will be discussed in conjunction with active-matrix thin film transistors for Active Matrix OLED.
Kim, Do-Kyeong;Oh, Yeong-Jun;Kim, Sang-Hyun;Hong, Kyeong-Jin;Jung, Haeng-Yeon;Kim, Hoy-Jin;Jeon, Myeong-Seok
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권4호
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pp.177-181
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2013
In this paper, silicon solar cells are analyzed regarding power conversion efficiency by changed capacitance in the depletion region. For the capacitance control in the depletion region of silicon solar cell was applied for 10, 20, 40, 80, 160 and 320 Hz frequency band character and alternating current(AC) voltage with square wave of 0.2~1.4 V. Academically, symmetry formation of positive and negative change of the p-n junction is similar to the physical effect of capacitance. According to the experiment result, because input of square wave with alternating current(AC) voltage could be observed to changed capacitance effect by indirectly method through non-linear power conversion (Voltage-Current) output. In addition, when input alternating current(AC) voltage in the silicon solar cell, changed capacitance of depletion region with the forward bias condition and reverse bias condition gave a direct effect to the charge mobility.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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