• 한국결정성장학회지
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• 제27권1호
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• pp.18-21
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• 2017

본 연구에서는 homogeneous precipitation method를 통하여 구형의 단분산(monodispersed) YAG : $Ce^{3+}$를 합성했다. 단분산 YAG : $Ce^{3+}$의 전구체를 합성하는 과정에서 aluminum ion들이 먼저 석출되어 aluminum 화합물을 형성하고 후에 yttrium 화합물들이 aluminum 화합물들의 표면에서 석출된다. 합성된 전구체를 파우더형태로 얻기 위해 건조과정을 거치는데, oven에서 건조했을 때 보다 동결건조기에서 건조했을 때 비교적 구형의 단분산 YAG : $Ce^{3+}$ 입자를 얻을 수 있었다. 하소 과정에서 공정을 진행하는 온도로서 $1100^{\circ}C$와 $1200^{\circ}C$를 비교해 보았다. 실험 결과 $1200^{\circ}C$의 온도로 상압에서 6시간 동안의 하소 과정을 진행하였을 때 400~500 nm 입자크기를 가진 단분산된 구형의 나노 YAG : $Ce^{3+}$ 입자가 합성되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.462-462
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• 2009

$CeO_2$는 고체 산화물 연료전지 (SOFC, soild oxide fuel cell)의 전해질 재료와 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 재료, 자동차의 3원 촉매, gas sensor, UV absorbent등 여러 분야에서 사용되고 있다. 본 연구에서는 위의 활용범위 외에 $CeO_2$의 구조적 안정성과 빠른 $Ce^{3+}/Ce^{4+}$의 전환 특성을 이용하여 lithium ion battery의 anode 재료로서 전기화학적 특성을 알아보고자 실험을 실시하였다. $CeO_2$ 합성에 사용되는 전구체인 cerium carbonate의 형상 및 크기, 비표면적과 같은 물리화학적 특성이 $CeO_2$ 분말의 특성에 직접적인 영향을 주기 때문에 전구체의 합성 단계에서 입자의 특성을 조절하였다. 전구체 합성의 출발원료로 cerium nitrate hexahydrate 와 ammonium carbonate를 사용하였고 반응온도 및 농도 등을 변화시켜 입자의 형상 및 결정상을 fiber형태의 orthorombic $Ce_2O(CO_3)_2{\cdot}H_2O$와 구형의 hexagonal $CeCO_3OH$의 세리아 전구체를 합성하였다. 이를 $300^{\circ}C$에서 30분 동안 하소하여 전구체의 입자형상을 유지하는 cubic $CeO_2$를 합성하고 X-ray diffraction, FE-SEM, micropore physisorption analyzer 분석을 통하여 입자의 결정상과 형상, 비표면적 등을 비교 분석하고 $Li/CeO_2$ couple의 충,방전 용량과 수명특성을 비교 분석하여 $CeO_2$의 전기화학적 특성을 알아보았다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제10권1호
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• pp.3-13
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• 1985

주요 핵분열 생성물인 세슘-137, 장수명 핵종과 세륨-144, 희토류원소 그리고 부식 생성물인 코발트-60등의 제올라이트 A, 제올라이트 F-9(Faujasite) 그리고 비정형 제올라이트에 대한 흡착거동을 염농도 0.01 M부터 2.0 M 질산과 질산암모늄 그리고 교반시간 15분부터 90분까지 15분 간격으로 검토하였다. Kd 값은 Batch 실험방법으로 구했다. 결론으로 주요핵종의 분리 제거의 최적조건은 비정질 제올라이트, 0.01 M-질산과 0.1 M-질산암모늄, pH 4, 교반시간 한시간 그리고 가장 효율높은 핵종은 세슘 -137이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.1296-1299
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• 2004

MIM capacitor has been investigated for the next generation DRAM. Conventional poly-Si bottom electrode cannot satisfy the requirement of electrical properties and comparability to the high k materials. New bottom electrode material such as ruthenium has been suggested in the fabrication of MIM structure capacitor. However, the ruthenium has to be planarized due to the backend scalability. For the planarization CMP has been widely used in the manufacture of integrated circuit. In this research, ruthenium thin film was Polished by CMP with cerium ammonium nitrate (CAN)base slurry. HNO3 was added on the CAN solution as an additive. In the various concentration of chemical and alumina abrasive, ruthenium surface was etched and polished. After static etching and polishing, etching and removal rate was investigated. Also microroughness of surface was observed by AFM. The etching and removal rate depended on the concentration of CAN, and HNO3 accelerated the etching and polishing of ruthenium. The reasonable removal rate and microroughness of surface was achieved in the 1wt% alumina slurry.