한국정보기술응용학회 2005년도 6th 2005 International Conference on Computers, Communications and System
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pp.99-102
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2005
In the paper, a proposed VCO based on bondwire inductances and nMOS varactors was implemented in a standard $0.25\;{\mu}m$ CMOS process. Using the new drain current model and a propagation delay time model equations, the operation speed of CMOS gate will predict the dependence on the load capacitance and the depth of oxide, threshold voltage, the supply voltage, the channel length. This paper describes the result of simulation which calculated a gate propagation delay time by using new drain current model and a propagation delay time model. At the result, When the reverse bias voltage on the substrate changes from 0 voltage to 3 voltage, the propagation delay time is appeared the delay from 0.8 nsec to 1 nsec. When the reverse voltage is biased on the substrate, for reducing the speed delay time, a supply voltage has to reduce. The $g_m$ value of MOSFET is calculated by using new drain current model.
The output characteristics of step-down piezoelectric transformer is changed by a structure of layers. In this paper, we simulated output characteristics of multi-layer piezoelectric transformers with variation of output layers. Also, fabricated piezoelectric transformers were compared with simulated data. From simulated piezoelectric transformers, the output voltage decreased with increasing number of layers. From these results, piezoelectric transformers were made and the output electrical power of the transformers was measured at resonance frequency and at other frequency. The electrical power of transformers was measured on each transformer's resonance mode. However, measured value of 12-layed transformer's output power was smaller than that of 6-layered transformer's one. It is supposed that internal capacitance and reactance of the piezoelectric transformer's were effected in this result. Therefore we need to connect other road resistance and capacitance in output circuit, in order to increase electrical power of transformers.
The structure represents symmetrical metal electrode (gate 1) - front $SiO_2$ layer - n-Si nanowire FET - buried $SiO_2$ layer - metal electrode (gate 2). At the symmetrical gate voltages high conductive regions near the gate 1 - front $SiO_2$ and gate 2 - buried $SiO_2$ interfaces correspondingly, and low conductive region in the central region of the NW are formed. Possibilities of applications of nanosize FETs at the deep inversion and depletion as a distributed capacitance are demonstrated. Capacity density is an order to ${\sim}{\mu}F/cm^2$. The charge density, it distribution and capacity value in the nanowire can be controlled by a small changes in the gate voltages. at the non-symmetrical gate voltages high conductive regions will move to corresponding interfaces and low conductive region will modulate non-symmetrically. In this case source-drain current of the FET will redistributed and change current way. This gives opportunity to investigate surface and bulk transport processes in the nanosize inversion channel.
The recent emphasis on energy conservation demands an improvement of the efficiency of single-phase induction motors. To take the efficiency operation of the capacitor run single-phase induction motor with auxiliary and main winding, it is very important to select the capacitance value. This paper describes the theoretical analysis method of a single-phase induction motor which is based on the rotating field theory, using the method of symmetrical components. The optimal selection method of capacitance is proposed.
Electrochemical properties of carbon cryogel electrode for the application of composite electrode materials mixed with metal oxide in supercapacitor have been studied. Carbon cryogels were synthesized by sol-gel polycondensation of resorcinol with form aldehyde, followed by a freeze drying, and then pyrolysis in an inert atmosphere. Physical properties of carbon cryogel were characterized by BET, X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). It is found that carbon cryogel is amorphous material. The electrochemical properties of carbon cryogel were measured by cyclic voltammetry as a function of concentration of liquid electrolyte, galvanostatic charge-discharge with different scan rates and electrochemical impedance measurements. The result of cyclic voltammetry indicated that the specific capacitance value of a carbon cryogel electrode was approximately 150.2 F/g (at 5 mV/s in 6M KOH electrolyte).
This paper presents the generalized dynamic modeling of self-excited induction generator (SEIG) using state-space approach. The proposed dynamic model consists of induction generator; self-excitation capacitance and load model are expressed in stationary d-q reference frame with the actual saturation curve of the machine. An artificial neural network model is implemented to estimate the machine magnetizing inductance based on the knowledge of magnetizing current. The dynamic performance of SEIG is investigated under no load, with the load, perturbation of load, short circuit at stator terminals, and variation of prime mover speed, variation of capacitance value by considering the effect of main and cross-flux saturation. During voltage buildup the variation in magnetizing inductance is taken into consideration. The performance of SEIG system under various conditions as mentioned above is simulated using MATLAB/SIMULINK and the simulation results demonstrates the feasibility of the proposed system.
This paper describes the performance analysis and design of 1-phase self-excited induction generators. The minimum parallel capacitance of self-excited capacitor connected auxiliary winding and the series capacitance of regulating voltage capacitor connected main winding is proposed the suitable value using circuit equations of main and auxiliary winding. For the steady state analysis, the equivalent circuit of 1-phase induction generators is used as circuit modeling using the double-revolving field theory. The validity of designed generator system will be confirmed by experimental and computed results.
A new third harmonic injection circuit for light-emitting diode (LED) drivers is proposed to eliminate electrolytic capacitors and thereby extend the lifetime of LED drivers. When a third harmonic current is injected to the input current of the LED driver, the required capacitance of the driver can be reduced. The proposed circuit can control an injection ratio and has simple circuitry. The synchronous third harmonic is generated by a phase locked loop (PLL), a 1/3 counter, and op-amps and applied to a power factor correction circuit. Thus, the storage capacitor can install film capacitors instead of the electrolytic capacitor. The value of storage capacitance can be reduced to 78% compared to an input power factor of 100%. The proposed circuit is applied to the 80W prototype LED driver to experimentally verify the performances.
LB layers L-$\alpha$-DLPC deposited by LB method were deposited onto n-type silicon wafer as Z-type film. Films made up of 8, 16 layers of lipid with long alkyl chain and the thickness of monolayer and multiayers was determined by ellipsometry. Ut was deposited Ag and Al onto LB layers and silicon wafer for electrode and small electrode exhibit high capacitiance and low lekage current. The C-V curves of the MLS capacitor shows very high saturation value of capacitance. And cross-sectional SEM image of MLD capacitor indicated the presence of pore with Al electrode and we found that the Ag is good for electrode metal.
MLS capacitor with lipid ultra thin films were deposited by Langmuir-Blodgett (LB) method on the sillicon wafer. The current versus voltage and capacitance versus voltage relationships are depend on the applied voltage, electrode area and electrode materials. LB films deposited were made of L-$\alpha$-DLPC, the 1 layer's thickness of 35$\AA$ was measured by ellipsometer. And MLS capacitor with different electrode materials, the work function of these materials was investigated to increase the leakage current. The result indicated the lower leakage current and very high saturation value of capacitance was reached within 700-800 pF when the two electrode was Ag. And $\varepsilon$$_1$, $\varepsilon$$_2$ versus photon energy showed good film formation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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