• 제목/요약/키워드: broadband amplifier

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고이득-광대역 MMIC Distributed Amplifier의 설계 (Design of a High Gain-Broadband MMIC Distributed Amplifier)

  • 김성찬;안단;조승기;윤진섭;이진구
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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    • pp.84-87
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    • 2000
  • In this paper, a high gain-broad bandwidth MMIC distributed amplifier was designed using cascaded single section distributed amplifier configuration. The PHEMT for this studies was fabricated at our lab The PHEMT has a 0.2 $\mu\textrm{m}$ gate length. a 80 $\mu\textrm{m}$ unit gate width and 4 gate fingers. A designed MMIC amplifier have higher S$\sub$21/ gain than the common distributed amplifier using the same number of active devices. From the simulated result, we obtained that the S$\sub$21/ gain of DC ∼ 20 GHz bandwidth was 15.6 dB and flatness was ${\pm}$0.9 dB, and input and output reflection coefficient were lower than -8 dB. The simulated gain shows an improvement 7.3 dB compared with those of conventional distributed amplifier. And the chip size is 2.0 ${\times}$ 1.2 $\textrm{mm}^2$.

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Three-Arm Branch $90^{\circ}$ Hybrid Coupler를 이용한 평형증폭기 설계에 대한 연구 (Balanced Amplifier using Three-Arm Branch $90^{\circ}$ Hybrid Coupler)

  • 김선숙;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제43권2호
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    • pp.76-80
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    • 2006
  • 본 논문에서는 중심주파수가 2GHz인 광대역 평형증폭기를 설계 및 제작 하였다. 본 논문에서는 $90^{\circ}$ Hybrid Branch-Line Coupler 와 Three-Arm Branch $90^{\circ}$ Hybrid Coupler의 특성을 비교하여, 광대역 특성을 나타내는 Three-Arm Branch $90^{\circ}$ Hybrid Coupler를 이용한 평형증폭기를 설계 및 제작하였으며, 제안된 증폭기는 대역폭이 480MHz이며, VSWR은 1.06 이하이고, 이득은 15.47dB의 특성을 보였다.

광대역 디지털TV 중계기용 100 Watt 고출력증폭기의 구현 및 특성 측정에 관한 연구 (Implementation and Evaluation of the 100 Watt High Power Amplifier for Broadband Digital TV Repeater)

  • 전중성
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제31권5호
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    • pp.575-582
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    • 2007
  • In this paper, a 100 Watt high power amplifier has been implemented and performed evaluation, which is operating at UHF band ($470\;{\sim}\;806\;MHz$) for Digital TV repeater. To achieve increase of bandwidth and high power capability, 3-way power combiner and divider of Wilkinson type was adopted. In order to measure the fabricated 100 Watt power amplifier, the estimation technique function which makes equivalent mask was used. As a result of the measurement, the existence of pilot signal is confirmed and the signal transmitted at the rated output power 100 Watt is brought out the flat feature through 6 MHz bandwidth. and it resulted that its value was less than -47 dB at the edge of radiation channel and less than -110 dB at more than 6 MHz position from channel edge.

Systematic Approach for Design of Broadband, High Efficiency, High Power RF Amplifiers

  • Mohadeskasaei, Seyed Alireza;An, Jianwei;Chen, Yueyun;Li, Zhi;Abdullahi, Sani Umar;Sun, Tie
    • ETRI Journal
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    • 제39권1호
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    • pp.51-61
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    • 2017
  • This paper demonstrates a systematic approach for the design of broadband, high efficiency, high power, Class-AB RF amplifiers with high gain flatness. It is usually difficult to simultaneously achieve a high gain flatness and high efficiency in a broadband RF power amplifier, especially in a high power design. As a result, the use of a computer-aided simulation is most often the best way to achieve these goals; however, an appropriate initial value and a systematic approach are necessary for the simulation results to rapidly converge. These objectives can be accomplished with a minimum of trial and error through the following techniques. First, signal gain variations are reduced over a wide bandwidth using a proper pre-matching network. Then, the source and load impedances are satisfactorily obtained from small-signal and load-pull simulations, respectively. Finally, two high-order Chebyshev low-pass filters are employed to provide optimum input and output impedance matching networks over a bandwidth of 100 MHz-500 MHz. By using an EM simulation for the substrate, the simulation results were observed to be in close agreement with the measured results.

MHEMT를 이용한 광대역 특성의 밀리미터파 Cascode 증폭기 연구 (Research on Broadband Millimeter-wave Cascode Amplifier using MHEMT)

  • 백용현;이상진;백태종;최석규;윤진섭;이진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권4호
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    • pp.1-6
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    • 2008
  • 본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 광대역 특성을 갖는 MHEMT (Metamorphic High Electron Mobility Transistor) cascode 증폭기를 설계 및 제작하였다. Cascode 증폭기 제작을 위해 먼저 $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT를 설계 및 제작하였다. 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도가 670 mA/mm이고, 최대 전달컨덕턴스(gm)는 688 mS/mm이며, 주파수 특성으로 전류이득 차단 주파수($f_T$)는 139 GHz, 최대 공진 주파수($f_{max}$)는 266 GHz의 특성을 나타내었다. 설계된 cascode 증폭기는 회로의 발진을 막기 위해서 저항과 캐패시터를 commom gate 소자의 드레인이 병렬로 연결하였다. Cascode 증폭기는 CPW (Coplanar Waveguide) 전송선로를 이용하여 광대역 특성을 얻을 수 있도록 정합회로를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 실험실에서 개발된 MHEMT MMIC 공정을 이용해 제작되었다. 제작된 cascode 증폭기의 측정결과, 3 dB 대역폭이 20.76$\sim$71.13 GHz로 50.37 GHz의 넓은 대역 특성을 얻었으며, 대역내에서 평균 7.07 dB 및 30 GHz에서 최대 10.3 dB의 S21 이득 특성을 나타내었다.

광대역 멀티미디어 시스템을 위한 다채널 중간 주파수 송수신기 설계 및 성능 분석 (Design and Performance Analysis of the Multichannel I. F. Transceiver for Broadband Multimedia System)

  • 김성철
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권5호
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    • pp.1038-1044
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    • 2011
  • 본 논문에서는 초고속 광대역 무선 멀티미디어 서비스를 양방향으로 제공하는 시스템을 위한 다 채널 중간주파수 변환 모듈을 설계하고 성능을 분석하였다. 먼저 송수신기를 구성하는 각 부분에 대한 기본적인 이론을 소개하고 이를 바탕으로 송수신부를 설계하고 각 모듈별로 무 변조, 변조시의 특성 및 광 대역 다 채널 신호의 발생과정에서의 채널에 따른 특성을 시간 및 주파수 영역에서 측정하였다. 송수신부의 국부 발진 신호의 위상잡음 특성은 70dBc/kHz 이하로 특성이 우수하다. 대역내 주파수 특성은 송수신 특성이 평탄하게 측정되었다. 한편 송수신기의 자동이득조절 기능은 상당히 우수한 것으로 나타났다. 또한 이웃채널 간섭의 영향과 스퓨리어스 방사에 대한 성능분석도 하였다.

PBG 구조를 이용한 Dual Band 전력증폭기 연구 (Research Dual Band Power Amplifier using PBG Structure)

  • 전익태;서철헌
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권8호
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    • pp.788-793
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    • 2004
  • 본 논문은 각각 1 W 출력의 5.8 GHz 대역의 무선 랜과 이동통신 서비스 주파수 대역인 1.8 GHz 대역에서 동작하는 이중대역 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 전력증폭기의 입력으로 다중대역 신호가 선택적으로 입력되지 않고 동시에 입력되어질 경우 효과적인 구조로 설계하였다. 입력 단에서 두 신호를 분리하기 위하여 PBG를 이용하여 광대역의 저지 특성을 가지는 Diplexer를 사용하였으며, 전력증폭기의 정합에는 Load-pull 이론을 적용하여 최대 출력을 얻도록 하였다. 전력증폭기의 선형성을 증가시키기 위하여 PBG 구조를 적용하였다. 본 논문은 Load-pull정합부 내에 PBG구조를 삽입하여 전력증폭기가 최대 출력 상태에서 선형성을 개선시켰다. 또한 출력 정합부내에서 PBG 구조의 위치에 따른 선형성 개선의 변화 시뮬레이션을 통해서 검증하였다.

소형 수신안테나용 광대역 Buffer amplifier 설계 (Design of Buffer amplifier for a small receiving antenna in broadband)

  • 오현종;김채영;이우성
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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    • pp.135-138
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    • 2004
  • Mobile phone antenna needs a small size and light weight for carrying and handling. In case of receiving a wide band TV signal, it would be difficult to obtain a good impedance matching between the antenna and the circuit due to a large capacitive reactance of antenna. Buffer amplifier was established on the teflon( ${\varepsilon}_r=3.38$, h=20mils) substrate by using GaAs FET( CPY30 ) and Silicon RF Transistor( BFP540 ) produced by Infineon and experimented.

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