최근 반도체 소자는 모바일 전자제품과 wearable 및 flexible한 소자와 기판의 다양한 활용으로 많은 분야에서 폭넓게 사용되고 있다. 이들 반도체 칩 접합 공정 중 기판과 솔더의 열팽창 계수(CTE)의 차이와 기판 및 부품 전체에 인가되는 과도한 열 영향은 소자의 성능 및 신뢰성에 영향을 주며, 최종적으로 휨(warpage) 현상 및 장기 신뢰성 저하 등을 초래한다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 저온에서 공정이 가능한 저융점 솔더에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Sn-Bi, Sn-In 등 다양한 저융점 솔더 합금 중 Sn-Bi 솔더는 높은 항복 강도, 적절한 기계적 특성 및 저렴한 가격 등의 이점이 있어 유망한 저온 솔더로 각광받고 있다. 그러나 Bi의 높은 취성 특성 등 단점으로 인해 솔더 합금의 개선이 필요하다. 본 review 논문에서는 다양한 미량 원소와 입자를 첨가하여 Sn-Bi 소재의 기계적 특성 개선을 위한 연구 동향을 소개하며 이를 비교 분석하였다.
천연접착제인 분말상 탄닌수지를 사용한 파티클보드의 물리·기계적 성질의 개선을 위하여 분말상 탄닌수지와 액상 탄닌수지를 혼합하여 사용한 결과, 30:70 (분말 : 액상)의 혼합비가 최적조건이었으며 분말상 탄닌 수지의 비율이 높으면 물성이 저하되는 현상을 볼 수 있었으며 또한 포름알데히드 방산량이 E0 수준의 고내수성 제품을 제조할 수 있었다. 한편 요소수지 및 멜라민수지와 분말상 탄닌 수지와의 혼합방법은 물리·기계적 성질의 개선에 영향을 주지 못했으며, 유리포름알데히드 방산에 대한 scavenger의 역할만을 하였다.
본 논문은 발수제 첨가 모르타르의 강도 및 발수성에 미치는 다양한 요인 중에서 발수제 종류 및 잔골재 입도에 대한 영향을 검토하고자 하였다. 그 결과 발수제 첨가 시멘트 모르타르의 압축강도는 무첨가 시멘트 모르타르와 비교하여 감소하였고, 올리고머계 발수제 첨가 모르타르의 압축강도는 모노머계 발수제와 비교하여 높게 나타났다. 또한 잔골재 입도에 따른 시멘트 모르타르 압축강도 영향은 크게 나타나지 않았다. 발수제 첨가 모르타르의 접촉각은 무첨가 모르타르와 비교하여 증가하였고, 올리고머계 발수제보다는 모노머계 발수제가 상대적으로 증가하였다. 또한 연마 전후 접촉각은 잔골재 입도에 따라서 상이한 경향을 보이고 있다.
본 연구에서는 Abaca 나노 셀룰로오스와 이산화 티타늄(TiO2)의 유-무기 하이브리드 복합체를 제조하였다. Abaca 나노 셀룰로오스는 Abaca 셀룰로오스를 산화시키는 방법으로 제조하였으며, 촉매로서 TEMPO (2,2,6,6-tetramethyl-piperidine-1-oxyl)를 이용하였다. TiO2 나노입자는 sol-gel법으로 제조하였으며 이를 나노 셀룰로오스와 하이브리드(hybrid) 시켜 복합체를 제조하였다. 제조 pH 변화에 따른 복합체의 특성과 그의 물성을 비교해 본 결과, 나노 셀룰로오스와 이산화 티타늄 결합 시 pH의 영향이 매우 컸으며, 본 실험 조건에서 pH 8에서 최적의 결합성능을 나타냈다. 또한, 제조된 복합체는 광촉매 특성을 보였으며, 이산화 티타늄의 함량이 높을수록 UV광 조사에 따라 복합체의 친수성이 증가하였다.
복합재료 구조는 필요한 기계적 성능을 충족하기 위해 서로 다른 적층 각도로 적층하여 설계되었다. 외부 하중을 받는 복합재료 구조물에 대한 발생하는 응력은 위치에 따라 다르지만, 최대 응력을 바탕으로 적층 순서를 결정하는데, 이는 효율적이지 않으며 일반적으로 최적의 설계가 아니다. 최근 이러한 비효율성을 해결하기 위해 구간 조합 복합재료(PIC)가 제안되었다. PIC는 인접한 조각들 사이의 완벽한 결합을 가정하지만, 이것은 매우 이상적이고 달성하기 어렵다. 따라서 경계에서의 중첩은 서로 분리되지 않도록 하기 위해 필수적이다. 본 연구에서는 중첩 설계가 PIC 플레이트의 충격 파손 모드에 미치는 영향을 조사하였다. 속경화 탄소섬유 프리프레그를 이용하여 서로 다른 겹침부 형상 및 절개선 간격을 가지는 시험편을 제작하였으며, ASTM D 7136에 따라 충격시험을 수행하였다. 복합재료 적층판의 충격 파손 형태는 겹침부 설계에 따라 서로 다른 양상을 가졌으며, 이로 인해 충격흡수에너지 및 충격하중곡선의 경향에도 영향을 주었음을 알 수 있었다.
반데르발스 물질이란 층간 결합이 약한 반데르발스 결합으로 이루어진 이차원 층상구조를 지닌 물질을 의미하며, 이러한 반데르발스 이차원 소재를 이용한 이종접합 구조 연구는 그래핀이 발견된 이후 꾸준히 연구되고 있다. 본 논문에서는 대기압 화학기상증착법을 통해 성장된 단층 단결정 MoSe2를 기반으로하는 반데르발스 이종접합 트랜지스터 소자에 대해 보고한다. 최적화된 공정조건에서 성장된 MoSe2는 원자수준의 결함이 존재하지 않는 것을 밝혔으며, 이를 이용한 트랜지스터 소자 또한 우수한 특성을 보인다는 것을 밝혀내었다.
Tandem or multijunction solar cells (MJSCs) can convert sunlight into electricity with higher efficiency (η) than single junction solar cells (SJSCs) by dividing the solar irradiance over sub-cells having distinct bandgaps. The efficiencies of various common SJSC materials are close to the edge of their theoretical efficiency and hence there is a tremendous growing interest in utilizing the tandem/multijunction technique. Recently, III-V materials integration on a silicon substrate has been broadly investigated in the development of III-V on Si tandem solar cells. Numerous growth techniques such as heteroepitaxial growth, wafer bonding, and mechanical stacking are crucial for better understanding of high-quality III-V epitaxial layers on Si. As the choice of growth method and substrate selection can significantly impact the quality and performance of the resulting tandem cell and the terminal configuration exhibit a vital role in the overall proficiency. Parallel and Series-connected configurations have been studied, each with its advantage and disadvantages depending on the application and cell configuration. The optimization of both growth mechanisms and terminal configurations is necessary to further improve efficiency and lessen the cost of III-V on Si tandem solar cells. In this review article, we present an overview of the growth mechanisms and terminal configurations with the areas of research that are crucial for the commercialization of III-V on Si tandem solar cells.
고분자 기반 복합재료는 가볍고 우수한 물성을 가지고 있기 때문에, 단일 소재가 갖기 어려운 물성을 충족하기 위한 방법으로서 그 수요는 급격하게 증가되고 있다. 그에 따라, 크기가 1-100 nm를 갖는 입자를 고분자 기지에 분산시켜 제작하는 고분자 나노 복합재료에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 그리고, 나노입자 강화 복합재의 기지 재료로 열가소성 수지를 사용한 복합재료 연구를 많이 진행하고 있다. 본 연구를 통해 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB)으로 층간 물질을 개질한 유기 나노 점토가 포함된 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET) 기반 나노 복합체를 제조하였다. 다양한 나노 점토 중에서, 질석 (vermiculite, VMT)은 저가이며 풍부한 매장량과 고유의 물성으로 인해 고분자 재료의 기계적 및 열적 특성을 증가시키는 연구들이 수행되고 있다. 하지만, VMT의 강한 층간 결합으로 인해 고분자 기지 내에서 박리 및 분산 성능이 낮아 그 활용이 제한되었다. 본 연구에서는 나노 점토의 함유량에 따른 기계적 물성을 인장 시험으로 확인하였고, 나노 점토 입자가 PET 기재 내에 분산되는 정도를 TEM 단면 사진으로 평가하고, 그리고 질소 가스 차단 특성을 측정하였다.
O. H. Nam;K. H. Ha;J. S. Kwak;Lee, S.N.;Park, K.K.;T. H. Chang;S. H. Chae;Lee, W.S.;Y. J. Sung;Paek H.S.;Chae J.H.;Sakong T.;Kim, Y.;Park, Y.
한국재료학회:학술대회논문집
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한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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pp.20-20
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2003
We developed 30 ㎽-AlInGaN based violet laser diodes. The fabrication procedures of the laser diodes are described as follows. Firstly, GaN layers having very low defect density were grown on sapphire substrates by lateral epitaxial overgrowth method. The typical dislocation density was about 1-3$\times$10$^{6}$ /$\textrm{cm}^2$ at the wing region. Secondly, AlInGaN laser structures were grown on LEO-GaN/sapphire substrates by MOCVD. UV activation method, instead of conventional annealing, was conducted to achieve good p-type conduction. Thirdly, ridge stripe laser structures were fabricated. The cavity mirrors were formed by cleaving method. Three pairs of SiO$_2$ and TiO$_2$ layers were deposited on the rear facet for mirror coating. Lastly, laser diode chips were mounted on AlN submount wafers by epi-down bonding method. The lifetime of the laser diodes was over 10,000 hrs at room temperature under automatic power controlled condition. We expect the performance of the LDs to be improved by the optimization of the growth and fabrication process. The detailed characteristics and important issues of the laser diodes will be discussed at the conference.
본 연구에서는 보편적으로 건물의 옥상 등에 사용되는 폴리 우레탄 방수재의 바탕구조물의 함수정도와 시공환경조건에 따른 하자원인을 분석하기 위한 것으로 바탕판의 함수조건에 따른 부착강도, 표면상태를 육안관찰하였고, 온도, 습도의 양생조건에 따라서 방수재 도막의 기계적 성능을 평가하였다. 실험결과 바탕판의 함수상태가 10%이상일 때 도막의 부착이 이뤄지지 않음을 확인하였고, 온습도 조건이 20℃, 80% RH일때는 기초물성이 모두 확보되었으나, 40℃, 60% RH일 때 표면에 기포가 관찰되었으며, 40℃, 80% RH일 때 건조도막 기초물성이 KS F 3211 성능기준이하로, 우레탄 방수재 도포에 있어 시공환경조건의 하자원인 중 바탕판의 함수조건 및 양생 시 절대습도가 중요한 요인임을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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