• Korean Journal of Materials Research
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• v.34 no.5
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• pp.235-241
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• 2024

Gas identification techniques using pattern recognition methods were developed from four micro-electronic gas sensors for noxious gas mixture analysis. The target gases for the air quality monitoring inside vehicles were two exhaust gases, carbon monoxide (CO) and nitrogen oxides (NO_x), and two odor gases, ammonia (NH₃) and formaldehyde (HCHO). Four MEMS gas sensors with sensing materials of Pd-SnO₂ for CO, In₂O₃ for NO_X, Ru-WO₃ for NH₃, and hybridized SnO₂-ZnO material for HCHO were fabricated. In six binary mixed gas systems with oxidizing and reducing gases, the gas sensing behaviors and the sensor responses of these methods were examined for the discrimination of gas species. The gas sensitivity data was extracted and their patterns were determined using principal component analysis (PCA) techniques. The PCA plot results showed good separation among the mixed gas systems, suggesting that the gas mixture tests for noxious gases and their mixtures could be well classified and discriminated changes.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.20 no.3
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• pp.211-216
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• 1983

This work aims at characterizing silicon grains and its compacts. In order to remove iron silicon grains were washed with 5N hydrochloride at 60-7$0^{\circ}C$ for 170 hrs, and then followed the chemical analysis by atomic absorption spectrophotometer X-ray diffraction analysis SEM observation and specific surface area determination by B. E. T. Mixtures of graded silicon particles with two or three different sizes were made into packings by mechanical vibration. The mixtures were used to make compacts with 10 mm in diameter and 70mm in length by isostatically pressing at 1, 208 kg/$cm^2$ (20 kpsi) and 4, 255kg/$cm^2$ (60 kpsi) respectively. Bulk densities of packings and compacts were measured. A slip made of magnesium nitrate solution and fine silicon particles was spray-dried and then decomposed at 30$0^{\circ}C$ for the purpose of coating the uniform layer of magnesium oxide on the surface of particles. The results obtained are as follows: (1) About two thirds of iron content could be removed from silicon by washing silicon powders with hydrochloride. (2) Uniform layer of magnesium oxide on the surface of silicon could be prepared by spray-drying suspension and by decomposing it. (3) B. E. T. specific surface area of fine silicon particles was 2, 826.753$m^3$/kg. (4) In the binary system with two sizes of 40-53$\mu\textrm{m}$ particles and <10$\mu\textrm{m}$ particles the maximum bulk density of packing was 55% of theoretical value and that of compacts made at the pressure of 4, 255 kg./$cm^2$ (60 kpsi) was 73% of theoretical value. (5) In the ternary system with three sizes the maximum bulk density of packing was 1.43 g/$cm^3$and that of compacts was 1.80g/$cm^3$which is equivalent to 77.6% of theoretical value. The composition of the closest compact was consisted of 50% of 40-53$\mu\textrm{m}$ particles 20% of 10-30$\mu\textrm{m}$ particles and 30% of <10$\mu\textrm{m}$ parti-cles.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.255-255
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• 2016

Resistive random access memory (ReRAM)는 낮은 동작 전압, 빠른 동작 속도, 고집적화 등의 장점으로 인해 차세대 비휘발성 메모리 소자로써 많은 관심을 받고 있다. 최근에 ReRAM 절연막으로 NiOx, TiOx, AlOx TaOx, HfOx와 같은 binary metal oxide 물질들을 적용하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, HfOx는 안정적인 동작 특성을 나타낸다는 점에서 ReRAM 절연막 물질로 적합하다고 보고되고 있다. ReRAM 절연막을 형성할 때, 물리 기상 증착 방법 (PVD)이나 화학 기상 증착법 (CVD)과 같은 방법이 많이 이용된다. 이러한 증착 방법들은 고품질의 박막을 형성시킬 수 있는 장점이 있다. 하지만, 높은 온도에서의 공정과 고가의 진공 장비가 이용되기 때문에 경제적인 문제가 있으며, 기판 또는 금속에 플라즈마 손상으로 인한 문제가 발생할 수 있다. 따라서 이러한 문제점들을 개선하기 위해 용액 공정이 많은 관심을 받고 있다. 용액 공정은 공정과정이 간단할 뿐만 아니라 소자의 대면적화가 가능하고 공정온도가 낮으며 고가의 진공장비가 필요하지 않은 장점을 가진다. 따라서 본 연구에서는, 용액공정을 이용하여 HfOx 기반의 ReRAM 제작하였고 $25^{\circ}C$와 $85^{\circ}C$에서 ReRAM의 동작특성에 미치는 compliance current의 영향을 평가하였다. 실험 방법으로는, hafnium chloride (0.1 M)를 2-methoxyethanol에 충분히 용해시켜서 precursor를 제작하였다. 이후, p-type Si 기판 위에 습식산화를 통하여 300 nm 두께의 SiO2 절연층을 성장시킨 후, 하부전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 10/100 nm 두께의 Ti/Pt 전극을 증착하였다. 순차적으로, 제작된 산화물 precursor를 이용하여 Pt 위에 spin coating 방법으로 1000 rpm 10 초, 6000 rpm 30초의 조건으로 두께 35 nm의 HfOx 막을 증착하였다. 최종적으로, solvent 및 불순물을 제거하기 위해 $180^{\circ}C$의 온도에서 10 분 동안 열처리를 진행하였으며, 상부 전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 Ti와 Al을 각각 50 nm, 100 nm의 두께로 증착하였다. ReRAM 동작에서 compliance current가 미치는 영향을 평가하기 위하여 compliance current를 10mA에서 1mA까지 변화시키면서 측정한 결과, $25^{\circ}C$에서는 compliance current의 크기와 상관없이 일정한 메모리 윈도우와 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 한편, $85^{\circ}C$의 고온에서 측정한 경우에는 1mA의 compliance current를 적용하였을 때, $25^{\circ}C$에서 측정된 메모리 윈도우 크기를 비슷하게 유지하면서 더 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 결과적으로, 용액공정 방법으로 제작된 ReRAM을 측정하는데 있어서 compliance current를 줄이면 보다 우수한 endurance 특성을 얻을 수 있으며, ReRAM 소자의 전력소비감소에 효과적이라고 기대된다.