• 한국전자통신학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.265-274
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• 2019

본 논문은 저가형 AHRS(: Attitude Heading Reference System)센서를 이용하여 무인 운송체(Unmanned vehicle)의 자세를 무향 칼만 필터 (Unscented Kalman filter)통해 추정하는 방법을 제안한다. 측정된 가속도와 지구자기장 값을 이용하여 UKF의 보정 단계에서 사용될 자세를 계산한다. 롤 (roll)과 피치 (pitch)는 가속도로부터 구해지며 요 (yaw)는 지구 자기장을 이용하여 연산한다. 이때 사용되는 지구자기장 측정값은 강철 효과(hard-iron effect)와 연철 효과(soft-iron effect)에 의해 쉽게 왜곡되기 때문에 계산된 요의 불확실성이 롤이나 피치의 불확실성에 비하여 크다. 본 논문은 이러한 불확실성을 줄이기 위하여 측정된 지구자기장에 포함된 편차성분을 추정하고 보정하여 더 정밀한 요값을 구한다. 제안된 방법을 수조에서의 무인 운송체 항법 실험을 통하여 검증하였다. 실험결과, 자세 추정 성능이 개선되고 이에 따라 위치 추정 성능도 개선됨을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권5호
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• pp.197-199
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• 2011

In this paper, the bottom-gate thin-film transistors (TFTs) were fabricated with an amorphous/microcrystalline Si double layer (DL) as an active layer and the variations of the electrical characteristics were investigated according to the DC bias stresses. Since the fabrication process of DL TFTs was identical to that of the conventional amorphous Si (a-Si) TFTs, it creates no additional manufacturing cost. Moreover, the amorphous/microcrystalline Si DL could possibly improve stability and mass production efficiency. Although the field effect mobility of the typical DL TFTs is similar to that of a-Si TFTs, the DL TFTs had a higher reliability with respect to the direct current (DC) bias stresses.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.141-144
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• 1998

The electrical characteristics of poly-Si TFT's with offset structure by negative bias stress are systematically investigated as a function of offset length. The changes of electrical characteristics, V$\_$th/, off-current, on/off ratio, in the offset structured poly-Si TFT's are smaller than that of the conventional structured poly-Si TFT's under the stress condition (V$\_$ds/=20V, V$\_$gs/=-20V). It is found that the hot carrier effect by negative bias stress is suppressed by the offset structured poly-Si TFT's because the local electric field near the drain region is decreased by offset region.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.304-305
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• 2013

We report a positive exchange bias (HE) in thinmultilayered filmscontaining nano-oxide layer. The positive HE, obtained for our system results from an antiferromagnetic coupling between the ferromagnetic (FM) CoFe and the antiferromagnetic (AFM) CoO layers, which spontaneously form on top of the nano-oxide layer (NOL). The shift in the hysteresis loop along the direction of thecooling field and the change in the sign of exchange bias are evidence of antiferromagnetic interfacial exchange coupling between the CoO and CoFe layers. Our calculation indicates that uncompensated oxygen moments in the NOL results in antiferromagnetic interfacial exchange coupling between the CoO and CoFe layers. One of the interesting features observed with our system is that it displays the positive HE even above the bulk Neel temperature (TN) of CoO. Although the positive HEsystem has a different AFM/FM interfacial spin structure compare to that of the negative HE one, the results of the angular dependence measurements show that the magnetization reversal mechanism can be considered within the framework of the coherent rotation model.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1582-1585
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• 2009

The effects of bias stress on spin-coated zinc tin oxide (ZTO) transistors are investigated. Applying a positive bias stress results in the displacement of the transfer curves in the positive direction without changing the field effect mobility or the subthreshold behavior. Device instability appears to be a consequence of the charging and discharging of temporal trap states at the interface and in the zinc tin oxide channel region.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.567-569
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• 1995

By using the ac field source which can change the applied field magnitude, frequency and dc offset field, the dynamic magnetoresistance characteristics of permalloy based multilayers which have different R-H(resistance-magnetic field) curves were monitored and compared with static magnetoresistance curves that were measured with electromagnet of VSM. Output of each sample according to the external field strength was identified and optimum bias position could be obtained.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2023년도 학술발표회
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• pp.161-161
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• 2023

Bias correction of values is a necessary step in downscaling coarse and systematically biased global climate models for use in local climate change impact studies. In addition to univariate bias correction methods, many multivariate methods which correct multiple variables jointly - each with their own mathematical designs - have been developed recently. While some literature have focused on the inter-comparison of these multivariate bias correction methods, none have focused extensively on the effect of diverse configurations (i.e., different combinations of input variables to be corrected) of climate variables, particularly high-dimensional ones, on the ability of the different methods to remove biases in uni- and multivariate statistics. This study evaluates the impact of three configurations (inter-variable, inter-spatial, and full dimensional dependence configurations) on four state-of-the-art multivariate bias correction methods in a national-scale domain over South Korea using a gridded approach. An inter-comparison framework evaluating the performance of the different combinations of configurations and bias correction methods in adjusting various climate variable statistics was created. Precipitation, maximum, and minimum temperatures were corrected across 306 high-resolution (0.2°) grid cells and were evaluated. Results show improvements in most methods in correcting various statistics when implementing high-dimensional configurations. However, some instabilities were observed, likely tied to the mathematical designs of the methods, informing that some multivariate bias correction methods are incompatible with high-dimensional configurations highlighting the potential for further improvements in the field, as well as the importance of proper selection of the correction method specific to the needs of the user.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2009년도 학술발표회 초록집
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• pp.1136-1140
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• 2009

지상강우 관측망을 이용한 강우량 측정의 대안으로서 사용되는 기상 레이더를 활용한 강우량 추정의 경우, Z-R 방정식을 이용하여 반사도를 강우량으로 환산하는 방법을 일반적으로 사용한다. 이때 발생하는 각종 오차는 레이더 장비가 가지는 기계적인 오차뿐만 아니라 Z-R 방정식이 가지는 오차 등이 있으며, 이를 보정하기 위해서 레이더를 활용하여 추정된 강우량에 지상강우량계와 레이더강우량과의 비율인 G/R비를 보정하는 방법을 일반적으로 사용한다. 본 연구에서는 이와 같이 레이더 강우량을 보정하기 위해서 사용되는 G/R비를 산정하는데 미치는 지형적인 효과를 고려하기 위해서 광덕산 레이더 유효범위 100km 내(군사분계선 이북 미포함)의 지역에 대하여 군집분석을 실시하여 크게 산악지역과 평야지역으로 구분하고, 각각 구분된 지역에 대하여 G/R 비를 산정하여 초기추정 레이더 강우량에 곱하는 mean-field bias 보정을 실시하였다. 광덕산 레이더 기상관측소의 유효범위 100km 내의 2007년, 2008년 홍수기(6/21${\sim}$9/20)기간 동안 94개 Automatic Weather Station(AWS)지점에 대하여 크게 산악지역과 평야지역으로 지역화 시키는 방법은 비계층적 군집분석 기법 중 fuzzy-c mean 방법을 적용하였다. 또한 광덕산 레이더 반사도 기본 자료는 차폐영역으로 생기는 반사도 데이터 누락을 보완하기 위하여 0도와 1.5도 sweep 합성 10분단위 uf 자료를 사용하였으며, AWS와 보정이 이루어지는 레이더 격자의 크기는 최대 4km${\times}$4km로 선정하였다. 본 연구에 있어서 검증방법은 지역을 구분하기 전과 후를 AWS 실측 관측값과 절대상대오차, 평균제곱근 오차로써 비교하였다.

• 한국자기학회지
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• 제4권3호
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• pp.239-243
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• 1994

NiFe와 TbCo의 게면에서의 자기 교환 결합을 이용하여 자기 저항 소자에 수평 및 수직 바이어스 자장을 제공할수 있도록 $NiFe/TbCo/Si_3N_4$ 박막을 제조하였다. Tb의 면적비가 36 %이고, 기판 바이어스를 인가하지 않았을때 100~180 Oe의 교환 자장을 얻을 수 있었다. NiFe, TbCo, 그리고 보호막으로 사용되는 $Si_3N_4$ 각층의 두께는 각각 $470\;{\AA},\;2400\;{\AA},\;600\;{\AA}$ 이었다. NiFe를 1000 W의 전력과 2.5 mTorr의 아르곤 압력에 제작한 시편에서 1.45 %의 자기 저항 변화율을 얻을 수 있었다. 미세 소자로 제작된 NiFe의 자기 저항 변화율은 1.31 %로 감소 하였으며, 감자화 자장의 영향으로 박막이 완전히 포화되지 못한 곡선을 보였다. 150 Oe의 교환 자 장을 갖는 박막을 자화 용이 방향과 $36^{\circ}$의 각도로 소자를 제작한 결과 약 85 Oe 정도의 자기 저항 응답 곡선의 천이를 보였으며, 소자의 동작점이 응답의 선형 구간으로 이동하였다. 또한 Barkhausen 잡음이 교환 자장에 의한 수평 바이어스에 의하여 제거되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.302.1-302.1
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• 2016

Solution-processed amorphous metal-oxide thin-film transistors (TFTs) are considered as promising candidates for the upcoming transparent and flexible electronics due to their transparent property, good performance uniformity and possibility to fabricate at a low-temperature. In addition, solution processing metal oxide TFTs may allow non-vacuum fabrication of flexible electronic which can be more utilizable for easy and low-cost fabrication. Recently, for high-mobility oxide TFTs, multi-layered oxide channel devices have been introduced such as superlattice channel structure and heterojunction structure. However, only a few studies have been mentioned on the bias illumination stress in the multi- layered oxide TFTs. Therefore, in this research, we investigated the effects of bias illumination stress in solution-processed bilayer oxide TFTs which are fabricated by the deep ultraviolet photochemical activation process. For studying the electrical and stability characteristics, we implemented positive bias stress (PBS) and negative bias illumination stress (NBIS). Also, we studied the electrical properties such as field-effect mobility, threshold voltage ($V_T$) and subthreshold slop (SS) to understand effects of the bilayer channel structure.